Bipolar transistor biasing (original) (raw)
Die Grundschaltungen einer Verstärkerstufe sind nach der Elektrode benannt, welche auf einem fest definierten elektrischen Potential liegt. Das ist jene Elektrode, die Eingangs- und Ausgangskreis gemein ist. Im Falle eines Bipolartransistors mit seinen drei Elektroden Emitter, Kollektor und Basis ergeben sich so die Emitterschaltung, die Kollektorschaltung und die Basisschaltung. Aufgrund ihrer Eigenschaften wird die Kollektorschaltung meistens Emitterfolger genannt. Die Transistor-Grundschaltungen unterscheiden sich prinzipiell in ihren elektrischen Eigenschaften und daher im Verwendungszweck.
| Property | Value |
|---|---|
| dbo:abstract | يجب أن تكون الترانزستورات ثنائية القطب متحيزة بشكل صحيح لتعمل بشكل صحيح. في الدوائر المصنوعة من الأجهزة الفردية (الدوائر المنفصلة)، عادةً ما تستخدم الشبكات المنحازة المكونة من المقاومات. تستخدم ترتيبات انحياز أكثر تفصيلاً في الدوائر المتكاملة، على سبيل المثال، مراجع جهد فجوة النطاق ومرايا التيار. يحقق تكوين مقسم الجهد الفولتية الصحيحة باستخدام المقاومات في أنماط معينة. من خلال تحديد قيم المقاوم المناسبة، يمكن تحقيق مستويات تيار مستقرة تختلف قليلاً فقط عن درجة الحرارة الزائدة ومع خصائص الترانزستور مثل β. نقطة تشغيل الجهاز، والمعروفة أيضًا بنقطة التحيز، أو نقطة الهدوء، أو نقطة-Q، هي النقطة الموجودة على خصائص المخرج التي تُظهر DC جهد المرسل والمجمع (Vce) وتيار المجمع (Ic) بدون إشارة إدخال مُطبَّق. (ar) Bipolar transistors must be properly biased to operate correctly. In circuits made with individual devices (discrete circuits), biasing networks consisting of resistors are commonly employed. Much more elaborate biasing arrangements are used in integrated circuits, for example, bandgap voltage references and current mirrors. The voltage divider configuration achieves the correct voltages by the use of resistors in certain patterns. By selecting the proper resistor values, stable current levels can be achieved that vary only little over temperature and with transistor properties such as β. The operating point of a device, also known as bias point, quiescent point, or Q-point, is the point on the output characteristics that shows the DC collector–emitter voltage (Vce) and the collector current (Ic) with no input signal applied. (en) Die Grundschaltungen einer Verstärkerstufe sind nach der Elektrode benannt, welche auf einem fest definierten elektrischen Potential liegt. Das ist jene Elektrode, die Eingangs- und Ausgangskreis gemein ist. Im Falle eines Bipolartransistors mit seinen drei Elektroden Emitter, Kollektor und Basis ergeben sich so die Emitterschaltung, die Kollektorschaltung und die Basisschaltung. Aufgrund ihrer Eigenschaften wird die Kollektorschaltung meistens Emitterfolger genannt. Die Transistor-Grundschaltungen unterscheiden sich prinzipiell in ihren elektrischen Eigenschaften und daher im Verwendungszweck. (de) |
| dbo:thumbnail | wiki-commons:Special:FilePath/BJT_CE_load_line.svg?width=300 |
| dbo:wikiPageExternalLink | https://web.archive.org/web/20071125125418/http:/www.tpub.com/neets/book7/25d.htm http://www.answers.com/topic/bias-technology%3Fcat=technology%23Sci-Tech_Encyclopedia |
| dbo:wikiPageID | 14025633 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageLength | 23194 (xsd:nonNegativeInteger) |
| dbo:wikiPageRevisionID | 1122192753 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageWikiLink | dbr:Amplifier dbr:Push–pull_output dbr:Current_mirror dbr:Early_effect dbr:Power_amplifier_classes dbr:Ohm's_law dbr:Class-A_amplifier dbr:Operating_point dbr:MOSFET dbr:Common_emitter dbr:Heat_sink dbr:Ebers–Moll_model dbr:Alternating_current dbr:Bandgap_voltage_reference dbr:Diode dbr:Direct_current dbr:Series_and_parallel_circuits dbr:Resistor dbc:Electronic_engineering dbr:Bipolar_junction_transistor dbr:Automatic_gain_control dbr:Integrated_circuits dbr:Negative_feedback dbr:Thermal_runaway dbr:Saturation_current dbr:Kirchhoff's_voltage_law dbr:Biasing_(electronics) dbr:Small_signal_model dbr:Q-point dbr:Bipolar_transistor dbr:Voltage_gain dbr:File:BJT_CE_load_line.svg dbr:File:Amplifier_Circuit_Small.svg dbr:File:Collector_to_base_bias.svg dbr:File:Emitter_bias.svg dbr:File:Fixed_bias.svg dbr:File:Fixed_bias_with_emitter_resistor.svg dbr:File:Voltage_divider_bias.svg dbr:File:Voltage_divider_with_cap.svg |
| dbp:wikiPageUsesTemplate | dbt:Center dbt:Citation_needed dbt:Cite_book dbt:Refbegin dbt:Refend dbt:Reflist dbt:Short_description |
| dcterms:subject | dbc:Electronic_engineering |
| rdf:type | yago:WikicatTransistors yago:Artifact100021939 yago:Circuit103033362 yago:Conductor103088707 yago:Device103183080 yago:ElectricalDevice103269401 yago:Instrumentality103575240 yago:Object100002684 yago:PhysicalEntity100001930 yago:SemiconductorDevice104171831 yago:Transistor104471632 yago:Whole100003553 yago:WikicatElectricalCircuits |
| rdfs:comment | Die Grundschaltungen einer Verstärkerstufe sind nach der Elektrode benannt, welche auf einem fest definierten elektrischen Potential liegt. Das ist jene Elektrode, die Eingangs- und Ausgangskreis gemein ist. Im Falle eines Bipolartransistors mit seinen drei Elektroden Emitter, Kollektor und Basis ergeben sich so die Emitterschaltung, die Kollektorschaltung und die Basisschaltung. Aufgrund ihrer Eigenschaften wird die Kollektorschaltung meistens Emitterfolger genannt. Die Transistor-Grundschaltungen unterscheiden sich prinzipiell in ihren elektrischen Eigenschaften und daher im Verwendungszweck. (de) يجب أن تكون الترانزستورات ثنائية القطب متحيزة بشكل صحيح لتعمل بشكل صحيح. في الدوائر المصنوعة من الأجهزة الفردية (الدوائر المنفصلة)، عادةً ما تستخدم الشبكات المنحازة المكونة من المقاومات. تستخدم ترتيبات انحياز أكثر تفصيلاً في الدوائر المتكاملة، على سبيل المثال، مراجع جهد فجوة النطاق ومرايا التيار. يحقق تكوين مقسم الجهد الفولتية الصحيحة باستخدام المقاومات في أنماط معينة. من خلال تحديد قيم المقاوم المناسبة، يمكن تحقيق مستويات تيار مستقرة تختلف قليلاً فقط عن درجة الحرارة الزائدة ومع خصائص الترانزستور مثل β. (ar) Bipolar transistors must be properly biased to operate correctly. In circuits made with individual devices (discrete circuits), biasing networks consisting of resistors are commonly employed. Much more elaborate biasing arrangements are used in integrated circuits, for example, bandgap voltage references and current mirrors. The voltage divider configuration achieves the correct voltages by the use of resistors in certain patterns. By selecting the proper resistor values, stable current levels can be achieved that vary only little over temperature and with transistor properties such as β. (en) |
| rdfs:label | ترانزستور ثنائي القطب المتحيز (ar) Transistorgrundschaltungen (de) Bipolar transistor biasing (en) |
| owl:sameAs | freebase:Bipolar transistor biasing yago-res:Bipolar transistor biasing wikidata:Bipolar transistor biasing dbpedia-ar:Bipolar transistor biasing dbpedia-de:Bipolar transistor biasing dbpedia-fa:Bipolar transistor biasing http://hi.dbpedia.org/resource/द्विध्रुवी_ट्रांजिस्टर_की_अभिनति https://global.dbpedia.org/id/QUk4 |
| prov:wasDerivedFrom | wikipedia-en:Bipolar_transistor_biasing?oldid=1122192753&ns=0 |
| foaf:depiction | wiki-commons:Special:FilePath/Collector_to_base_bias.svg wiki-commons:Special:FilePath/Emitter_bias.svg wiki-commons:Special:FilePath/Fixed_bias.svg wiki-commons:Special:FilePath/Fixed_bias_with_emitter_resistor.svg wiki-commons:Special:FilePath/Voltage_divider_bias.svg wiki-commons:Special:FilePath/Voltage_divider_with_cap.svg wiki-commons:Special:FilePath/Amplifier_Circuit_Small.svg wiki-commons:Special:FilePath/BJT_CE_load_line.svg |
| foaf:isPrimaryTopicOf | wikipedia-en:Bipolar_transistor_biasing |
| is dbo:wikiPageRedirects of | dbr:Voltage_divider_bias dbr:BJT_biasing dbr:Discrete_Bipolar_Transistor_Biasing dbr:Discrete_bipolar_transistor_biasing |
| is dbo:wikiPageWikiLink of | dbr:DC_bias dbr:Low-noise_amplifier dbr:Load_line_(electronics) dbr:Differential_amplifier dbr:Bipolar_junction_transistor dbr:Nascom_(computer_kit) dbr:Thermal_runaway dbr:Transistor_diode_model dbr:Voltage_divider_bias dbr:BJT_biasing dbr:Discrete_Bipolar_Transistor_Biasing dbr:Discrete_bipolar_transistor_biasing |
| is foaf:primaryTopic of | wikipedia-en:Bipolar_transistor_biasing |
