CZTS (original) (raw)
Kupfer-Zink-Zinnsulfid (abgekürzt CZTS von englisch copper, zinc, tin, sulfur) ist eine halbleitende Verbindung von Kupfer, Zink, Zinn und Schwefel. Aufgrund der geeigneten optoelektronischen Eigenschaften wird sie wird für die Anwendung in Dünnschichtsolarzellen erforscht. Besonders interessant ist dieses Material als mögliche Alternative zu herkömmlichen Dünnschicht-Technologien wie CdTe oder CIGS, welche auf seltenen oder giftigen Elementen basieren.
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| dbo:abstract | Copper zinc tin sulfide (CZTS) is a quaternary semiconducting compound which has received increasing interest since the late 2000s for applications in thin film solar cells. The class of related materials includes other I2-II-IV-VI4 such as copper zinc tin selenide (CZTSe) and the sulfur-selenium alloy CZTSSe. CZTS offers favorable optical and electronic properties similar to CIGS (copper indium gallium selenide), making it well suited for use as a thin-film solar cell absorber layer, but unlike CIGS (or other thin films such as CdTe), CZTS is composed of only abundant and non-toxic elements. Concerns with the price and availability of indium in CIGS and tellurium in CdTe, as well as toxicity of cadmium have been a large motivator to search for alternative thin film solar cell materials. The power conversion efficiency of CZTS is still considerably lower than CIGS and CdTe, with laboratory cell records of 11.0 % for CZTS and 12.6 % for CZTSSe as of 2019. (en) Kupfer-Zink-Zinnsulfid (abgekürzt CZTS von englisch copper, zinc, tin, sulfur) ist eine halbleitende Verbindung von Kupfer, Zink, Zinn und Schwefel. Aufgrund der geeigneten optoelektronischen Eigenschaften wird sie wird für die Anwendung in Dünnschichtsolarzellen erforscht. Besonders interessant ist dieses Material als mögliche Alternative zu herkömmlichen Dünnschicht-Technologien wie CdTe oder CIGS, welche auf seltenen oder giftigen Elementen basieren. (de) Le CZTS, de l'anglais copper zinc tin sulfide (sulfure de cuivre, de zinc et d'étain), est un composé chimique de formule Cu2ZnSnS4. Il s'agit d'un semiconducteur à gap direct constitué de cuivre, de zinc, d'étain et de soufre, et utilisé pour réaliser des cellules photovoltaïques en couches minces. Ces couches peuvent être déposées par diverses méthodes telles que la pulvérisation cathodique, l'évaporation sous vide, l'ablation laser et le dépôt chimique en phase vapeur. (fr) |
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