dbo:abstract
- Fosfid inditý, také fosfid india, chemickým vzorcem InP, je polovodivá binární sloučenina india a fosforu. Krystalickou strukturu tvoří plošně centrovaná kubická mřížka, shodná s mřížkou arsenidu gallitého a většiny polovodičů tvořených prvky III.–V. skupiny. Vyznačuje se jednou z nejdelších životností optických fononů v rámci sloučenin téhož typu krystalické struktury. Fosfid inditý lze připravit reakcí bílého fosforu s při teplotě 400 °C, rovněž tak sloučením obou elementárních prvků za vysoké teploty a tlaku, či termolýzou směsi tvořené sloučeninami trialkylů india a fosfanu. Výroba monokrystalů do polovodivých integrovaných obvodů probíhá Czochralského metodou. Využití sloučenina nachází při výrobě polovodičových injekčních laserů, experimentálních fotovoltaických článků a polovodivých součástek v elektronice. Primárním uplatněním je podíl na zhotovování optoelektronických zařízení, například světelných diod, či výroba polovodičových přechodů v bipolárních tranzistorech. V tenkých filmech a monokrystalických destičkách polovodičů je klíčovou vlastností vysoká čistota velmi ušlechtilého india (99,9999 % či vyšší). Fosfid inditý plní funkci činidla pro arsenidy galia a germania. Nařízením komise Evropské unie z března 2014 byl fosfid inditý klasifikován jako karcinogenní látka kategorie 1B. Mezinárodní agentura pro výzkum rakoviny změnila zařazení ze skupiny 2B do 2A, definované jako „pravděpodobně karcinogenní pro člověka“, v důsledku testování sloučeniny s výsledkem výjimečně vysoké incidence plicních maligních novotvarů u krys a myší, nárůstu incidence feochromocytomu u krys a a adenomu u myší. Karcinogenita u člověka nebyla známá. Analýza chromozomových mutací u hepatocelulárního adenomu a karcinomu myši indukovaných fosfidem inditým odhalila mutaci genů pro syntézu proteinů H-ras a , jež se shodovala s nálezy u hepatocelulárních novotvarů člověka. To vedlo k domněnce možné podobnosti karcinogeneze u obou druhů. (cs)
- Indiumphosphid ist eine Halbleiterverbindung aus der Gruppe der binären III-V-Verbindungshalbleiter, die in der Hochfrequenztechnik für Laser für die dämpfungsarme langreichweitige Datenkommunikation um 1550 nm über Glasfaserkabel, in der Hochleistungselektronik sowie der Herstellung von Integrierten Schaltkreisen (Sandwich-Chips) mit Taktfrequenzen bis 1 THz und darüber und bei Bauelementen im Bereich der Hochfrequenztechnik wie der Gunndiode eingesetzt wird. Grund für diese Einsatzbereiche ist die gegenüber Silicium sehr hohe Elektronenbeweglichkeit im Gitter. Indiumphosphid besitzt eine direkte Bandlücke, wodurch die Verbindung für Laserdioden, LEDs, Detektoren und andere Anwendungen im Bereich der Optoelektronik gut geeignet ist. Weiterhin eignet sich Indiumphosphid als Basismaterial für photonische Kristalle. (de)
- فوسفيد إنديوم ثلاثي مركب كيميائي له الصيغة InP، ويكون على شكل بلورات سوداء، وهي عبارة عن مادة نصف ناقلة تتألف من الفوسفور والإنديوم. (ar)
- Indium phosphide (InP) is a binary semiconductor composed of indium and phosphorus. It has a face-centered cubic ("zincblende") crystal structure, identical to that of GaAs and most of the III-V semiconductors. (en)
- El fosfuro de indio (InP) es un compuesto formado por fósforo e indio. Es un material semiconductor similar al arseniuro de galio. (es)
- Le phosphure d'indium est un composé inorganique de formule InP. C'est un semi-conducteur binaire de type III-V, constitué d'indium et de phosphore utilisé en micro-électronique. (fr)
- Il fosfuro di indio è un materiale semiconduttore binario composto da indio e fosforo con formula chimica InP. Ha una struttura cristallina cubica a facce centrate di tipo zinocblenda, identica a quella dell'arseniuro di gallio (GaAs) e della maggior parte dei semiconduttori di tipo III-V. Possiede una costante di reticolo a=5,8687 Å. (it)
- リン化インジウム（リンかインジウム、indium(III) phosphide）、別名インジウム燐（インジウムりん）はインジウムとリンの化合物。IUPAC名はリン化インジウム(III) (ja)
- Fosforek indu, InP – nieorganiczny związek chemiczny indu i fosforu, półprzewodnik. (pl)
- Indiumfosfid, InP, är en halvledare av III-V-typ. Ämnet har samma kristallstruktur som zinkblände. Det används bland annat i HEMT-transistorer och . (sv)
- Фосфид индия (InP) — химическое соединение индия и фосфора. Важный прямозонный полупроводник с шириной запрещенной зоны 1.34 эВ при 300 K. Используется для создания сверхвысокочастотных транзисторов, диодов Ганна. Твердые растворы на основе InP используются для создания светодиодов, лазерных диодов, лавинных фотодиодов.По высокочастотным свойствам превосходит арсенид галлия. (ru)
- 磷化銦（Indium phosphide，InP）是由磷和銦組成的二元半導體材料，磷化銦和砷化鎵及大部份的三五族半導體相同，都是面心立方（闪锌矿）晶體結構。 (zh)
rdfs:comment
- فوسفيد إنديوم ثلاثي مركب كيميائي له الصيغة InP، ويكون على شكل بلورات سوداء، وهي عبارة عن مادة نصف ناقلة تتألف من الفوسفور والإنديوم. (ar)
- Indium phosphide (InP) is a binary semiconductor composed of indium and phosphorus. It has a face-centered cubic ("zincblende") crystal structure, identical to that of GaAs and most of the III-V semiconductors. (en)
- El fosfuro de indio (InP) es un compuesto formado por fósforo e indio. Es un material semiconductor similar al arseniuro de galio. (es)
- Le phosphure d'indium est un composé inorganique de formule InP. C'est un semi-conducteur binaire de type III-V, constitué d'indium et de phosphore utilisé en micro-électronique. (fr)
- Il fosfuro di indio è un materiale semiconduttore binario composto da indio e fosforo con formula chimica InP. Ha una struttura cristallina cubica a facce centrate di tipo zinocblenda, identica a quella dell'arseniuro di gallio (GaAs) e della maggior parte dei semiconduttori di tipo III-V. Possiede una costante di reticolo a=5,8687 Å. (it)
- リン化インジウム（リンかインジウム、indium(III) phosphide）、別名インジウム燐（インジウムりん）はインジウムとリンの化合物。IUPAC名はリン化インジウム(III) (ja)
- Fosforek indu, InP – nieorganiczny związek chemiczny indu i fosforu, półprzewodnik. (pl)
- Indiumfosfid, InP, är en halvledare av III-V-typ. Ämnet har samma kristallstruktur som zinkblände. Det används bland annat i HEMT-transistorer och . (sv)
- Фосфид индия (InP) — химическое соединение индия и фосфора. Важный прямозонный полупроводник с шириной запрещенной зоны 1.34 эВ при 300 K. Используется для создания сверхвысокочастотных транзисторов, диодов Ганна. Твердые растворы на основе InP используются для создания светодиодов, лазерных диодов, лавинных фотодиодов.По высокочастотным свойствам превосходит арсенид галлия. (ru)
- 磷化銦（Indium phosphide，InP）是由磷和銦組成的二元半導體材料，磷化銦和砷化鎵及大部份的三五族半導體相同，都是面心立方（闪锌矿）晶體結構。 (zh)
- Fosfid inditý, také fosfid india, chemickým vzorcem InP, je polovodivá binární sloučenina india a fosforu. Krystalickou strukturu tvoří plošně centrovaná kubická mřížka, shodná s mřížkou arsenidu gallitého a většiny polovodičů tvořených prvky III.–V. skupiny. Vyznačuje se jednou z nejdelších životností optických fononů v rámci sloučenin téhož typu krystalické struktury. (cs)
- Indiumphosphid ist eine Halbleiterverbindung aus der Gruppe der binären III-V-Verbindungshalbleiter, die in der Hochfrequenztechnik für Laser für die dämpfungsarme langreichweitige Datenkommunikation um 1550 nm über Glasfaserkabel, in der Hochleistungselektronik sowie der Herstellung von Integrierten Schaltkreisen (Sandwich-Chips) mit Taktfrequenzen bis 1 THz und darüber und bei Bauelementen im Bereich der Hochfrequenztechnik wie der Gunndiode eingesetzt wird. Grund für diese Einsatzbereiche ist die gegenüber Silicium sehr hohe Elektronenbeweglichkeit im Gitter. (de)
rdfs:label
- فوسفيد إنديوم ثلاثي (ar)
- Fosfur d'indi (ca)
- Fosfid inditý (cs)
- Indiumphosphid (de)
- Fosfuro de indio (es)
- Indium phosphide (en)
- Phosphure d'indium (fr)
- Fosfuro di indio (it)
- リン化インジウム (ja)
- Indiumfosfide (nl)
- Fosforek indu (pl)
- Indiumfosfid (sv)
- Фосфид индия (ru)
- 磷化銦 (zh)