Phonon scattering (original) (raw)
フォノンは物質を伝搬する際にいくつかのメカニズムによって散乱する。これらの散乱メカニズムは、ウムクラップ散乱、不純物散乱、フォノン-電子散乱、および境界散乱である。それぞれの散乱メカニズムは、対応する緩和時間の逆数である緩和速度 1/τ によって特徴付けることができる。 マティーセンの規則を用いてすべての散乱プロセスを考慮に入れることができる。このとき全緩和時間 τC は、次のように書くことができる。 ここで τU, τM, τB, τph-e はそれぞれウムクラップ散乱、質量数が異なる不純物による散乱、境界散乱、フォノン-電子散乱によるものである。
| Property | Value |
|---|---|
| dbo:abstract | Phonons can scatter through several mechanisms as they travel through the material. These scattering mechanisms are: Umklapp phonon-phonon scattering, phonon-impurity scattering, phonon-electron scattering, and phonon-boundary scattering. Each scattering mechanism can be characterised by a relaxation rate 1/ which is the inverse of the corresponding relaxation time. All scattering processes can be taken into account using Matthiessen's rule. Then the combined relaxation time can be written as: The parameters , , , are due to Umklapp scattering, mass-difference impurity scattering, boundary scattering and phonon-electron scattering, respectively. (en) フォノンは物質を伝搬する際にいくつかのメカニズムによって散乱する。これらの散乱メカニズムは、ウムクラップ散乱、不純物散乱、フォノン-電子散乱、および境界散乱である。それぞれの散乱メカニズムは、対応する緩和時間の逆数である緩和速度 1/τ によって特徴付けることができる。 マティーセンの規則を用いてすべての散乱プロセスを考慮に入れることができる。このとき全緩和時間 τC は、次のように書くことができる。 ここで τU, τM, τB, τph-e はそれぞれウムクラップ散乱、質量数が異なる不純物による散乱、境界散乱、フォノン-電子散乱によるものである。 (ja) Проходя через материал, фононы могут рассеиваться по нескольким механизмам: фонон-фононное рассеяние переброса, рассеяние на примесях или дефектах кристаллической решётки, фонон-электронное рассеяние и рассеяние на границе образца. Каждый механизм рассеяния можно охарактеризовать скоростью релаксации 1/ , обратному соответствующему времени релаксации. Все процессы рассеяния можно учесть с помощью правила Маттиссена. Тогда суммарное время релаксации можно записать как: Параметры , , , обусловлены рассеянием переброса, рассеянием на примесях, граничным рассеянием и фонон-электронным рассеянием соответственно. (ru) Мультифононне розсіювання — розсіювання світла за рахунок процесів перекиду, фононних домішок, фононно-електронного та фононного граничного розсіювань. Кожен із них може бути описаним у вигляді частоти релаксації, яка є оберненою до часу релаксації 1/. У такому випадку, сумарне розсіювання буде виглядати як: . Доданки цього виразу , , , є відповідно частотами релаксації процесів перекиду, розсіювання на домішках дифференційованих по масі, граничне та фононно-електронне розсіювання. (uk) |
| dbo:wikiPageExternalLink | https://www.nature.com/articles/s41467-020-19938-9, |
| dbo:wikiPageID | 24540472 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageLength | 8390 (xsd:nonNegativeInteger) |
| dbo:wikiPageRevisionID | 1097496970 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageWikiLink | dbr:Debye_frequency dbr:Electron-longitudinal_acoustic_phonon_interaction dbc:Condensed_matter_physics dbr:Lattice_scattering dbr:Thermal_conductivity dbr:Umklapp_scattering dbc:Scattering dbr:Phonons dbr:Grüneisen_parameter dbr:Nanostructures dbr:Shear_modulus dbr:Matthiessen's_rule |
| dbp:wikiPageUsesTemplate | dbt:Citation_needed dbt:Mvar dbt:Reflist |
| dct:subject | dbc:Condensed_matter_physics dbc:Scattering |
| rdfs:comment | フォノンは物質を伝搬する際にいくつかのメカニズムによって散乱する。これらの散乱メカニズムは、ウムクラップ散乱、不純物散乱、フォノン-電子散乱、および境界散乱である。それぞれの散乱メカニズムは、対応する緩和時間の逆数である緩和速度 1/τ によって特徴付けることができる。 マティーセンの規則を用いてすべての散乱プロセスを考慮に入れることができる。このとき全緩和時間 τC は、次のように書くことができる。 ここで τU, τM, τB, τph-e はそれぞれウムクラップ散乱、質量数が異なる不純物による散乱、境界散乱、フォノン-電子散乱によるものである。 (ja) Мультифононне розсіювання — розсіювання світла за рахунок процесів перекиду, фононних домішок, фононно-електронного та фононного граничного розсіювань. Кожен із них може бути описаним у вигляді частоти релаксації, яка є оберненою до часу релаксації 1/. У такому випадку, сумарне розсіювання буде виглядати як: . Доданки цього виразу , , , є відповідно частотами релаксації процесів перекиду, розсіювання на домішках дифференційованих по масі, граничне та фононно-електронне розсіювання. (uk) Phonons can scatter through several mechanisms as they travel through the material. These scattering mechanisms are: Umklapp phonon-phonon scattering, phonon-impurity scattering, phonon-electron scattering, and phonon-boundary scattering. Each scattering mechanism can be characterised by a relaxation rate 1/ which is the inverse of the corresponding relaxation time. All scattering processes can be taken into account using Matthiessen's rule. Then the combined relaxation time can be written as: (en) Проходя через материал, фононы могут рассеиваться по нескольким механизмам: фонон-фононное рассеяние переброса, рассеяние на примесях или дефектах кристаллической решётки, фонон-электронное рассеяние и рассеяние на границе образца. Каждый механизм рассеяния можно охарактеризовать скоростью релаксации 1/ , обратному соответствующему времени релаксации. Все процессы рассеяния можно учесть с помощью правила Маттиссена. Тогда суммарное время релаксации можно записать как: (ru) |
| rdfs:label | フォノン散乱 (ja) Phonon scattering (en) Фононное рассеяние (ru) Мультифононне розсіювання (uk) |
| owl:sameAs | freebase:Phonon scattering wikidata:Phonon scattering dbpedia-da:Phonon scattering dbpedia-ja:Phonon scattering dbpedia-ru:Phonon scattering dbpedia-uk:Phonon scattering https://global.dbpedia.org/id/4tmTs |
| prov:wasDerivedFrom | wikipedia-en:Phonon_scattering?oldid=1097496970&ns=0 |
| foaf:isPrimaryTopicOf | wikipedia-en:Phonon_scattering |
| is dbo:wikiPageWikiLink of | dbr:Monte_Carlo_methods_for_electron_transport dbr:Brian_Ridley dbr:Electron-longitudinal_acoustic_phonon_interaction dbr:Graphyne dbr:Crystal_oscillator dbr:Material_properties_of_diamond dbr:Thermodynamics_of_nanostructures dbr:Lattice_scattering dbr:Umklapp_scattering dbr:Phonon dbr:List_of_thermal_conductivities dbr:Polymorphs_of_silicon_carbide dbr:Single-layer_materials dbr:Thermoelectric_materials |
| is foaf:primaryTopic of | wikipedia-en:Phonon_scattering |