| dbo:abstract |
Der englische Begriff dual stress liner (DSL) bezeichnet in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur Herstellung von verspanntem Silizium (engl. strained silicon) für p- und n-Kanal-MOSFETs in Silicon-on-Insulator-Technologien (SOI). Das von IBM entwickelte Verfahren kommt durch die wird/wurde unter anderem bei AMD/Globalfoundries und Chartered Semiconductor Manufacturing angewandt. Dabei wird nach der Herstellung des MOSFETs Siliziumnitrid (Si3N4) über den Bauelementen abgeschieden. In Abhängigkeit von den Prozessbedingungen wirkt diese Siliziumnitridschicht kompressibel oder entspannend auf die darunter liegenden Source- und Draingebiete aus. Diese lokalen Verspannungen wirken sich komplementär auf das Kanalgebiet zwischen den Source- und Draingebieten aus, das heißt komprimierte Source- und Draingebiete führen zu gedehntem Silizium im Kanalgebiet und umgekehrt.Technologisch werden beide Arten von Verspannungen genutzt: Da die Elektronenbeweglichkeit in entspanntem (tensilem) Silizium steigt, eignen sich solche Kanalgebiete für n-MOSFETs; im Gegensatz dazu führt kompressibles Silizium zu erhöhter Löcherbeweglichkeit, was in p-MOSFETs ausgenutzt wird. Die Vorteile der DSL-Technologie liegen in ihrer Kompatibilität zur von IBM und AMD propagierten SOI-Technologie und in der Tatsache, dass im Gegensatz zu dem von Intel verwendeten die elektronischen Eigenschaften von p- und n-Kanal-MOSFETs gleichermaßen verbessert werden. (de) Strain engineering refers to a general strategy employed in semiconductor manufacturing to enhance device performance. Performance benefits are achieved by modulating strain in the transistor channel, which enhances electron mobility (or hole mobility) and thereby conductivity through the channel. (en) |
| dbo:wikiPageID |
8761903 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageLength |
11254 (xsd:nonNegativeInteger) |
| dbo:wikiPageRevisionID |
1107154558 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageWikiLink |
dbr:Electron_mobility dbr:Lithography dbr:Electrical_conductivity dbr:MOSFET dbr:Strain_(materials_science) dbr:Lattice_constant dbr:AMD dbr:Germanium dbc:Semiconductors dbr:Transistor dbr:IBM dbr:Intel dbr:Microprocessor dbr:Semiconductor dbr:Strained_silicon |
| dbp:wikiPageUsesTemplate |
dbt:Chem dbt:Citation_needed dbt:Reflist |
| dct:subject |
dbc:Semiconductors |
| rdf:type |
yago:WikicatSemiconductors yago:Abstraction100002137 yago:Conductor114821043 yago:Material114580897 yago:Matter100020827 yago:Part113809207 yago:PhysicalEntity100001930 yago:Relation100031921 yago:Semiconductor114821248 yago:Substance100019613 |
| rdfs:comment |
Strain engineering refers to a general strategy employed in semiconductor manufacturing to enhance device performance. Performance benefits are achieved by modulating strain in the transistor channel, which enhances electron mobility (or hole mobility) and thereby conductivity through the channel. (en) Der englische Begriff dual stress liner (DSL) bezeichnet in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur Herstellung von verspanntem Silizium (engl. strained silicon) für p- und n-Kanal-MOSFETs in Silicon-on-Insulator-Technologien (SOI). Das von IBM entwickelte Verfahren kommt durch die wird/wurde unter anderem bei AMD/Globalfoundries und Chartered Semiconductor Manufacturing angewandt. (de) |
| rdfs:label |
Dual Stress Liner (de) Strain engineering (en) |
| owl:sameAs |
freebase:Strain engineering dbpedia-de:Strain engineering yago-res:Strain engineering wikidata:Strain engineering https://global.dbpedia.org/id/JoTz |
| prov:wasDerivedFrom |
wikipedia-en:Strain_engineering?oldid=1107154558&ns=0 |
| foaf:isPrimaryTopicOf |
wikipedia-en:Strain_engineering |
| is dbo:wikiPageRedirects of |
dbr:Strained_engineering dbr:Dual_Stress_Liner dbr:Dual_stress dbr:Strain_Engineering |
| is dbo:wikiPageWikiLink of |
dbr:Paul_R._Berger dbr:Strained_engineering dbr:Material_properties_of_diamond dbr:Microbial_cell_factory dbr:Terfenol-D dbr:Eigenstrain dbr:Dual_Stress_Liner dbr:Silicon_on_insulator dbr:Strained_silicon dbr:Multigate_device dbr:Silicon–germanium dbr:Superstripes dbr:Terbium_compounds dbr:Dual_stress dbr:Strain_Engineering |
| is foaf:primaryTopic of |
wikipedia-en:Strain_engineering |