Крёмер, Герберт | это... Что такое Крёмер, Герберт? (original) (raw)

Герберт Крёмер
нем. Herbert Krömer
Дата рождения: 25 августа 1928(1928-08-25) (84 года)
Место рождения: Веймар, Германия
Страна: Flag of Germany.svg Германия Flag of the United States.svg США
Награды и премии Нобелевская премия Нобелевская премия по физике (2000)

В Википедии есть статьи о других людях с такой фамилией, см. Кремер.

Герберт Крёмер (нем. Herbert Krömer; род. 25 августа 1928, Веймар, Германия) — немецкий физик, лауреат Нобелевской премии по физике. Половина премии за 2000 год, совместно с Жоресом Алфёровым, «за разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокочастотной и опто-электронике». Вторая половина премии была присуждена Джеку Килби «за вклад в изобретение интегральных схем».

Биография

После окончания курсов подготовки к университету (Abitur), Герберт Крёмер приступает к изучению физики в Йенском университете, где помимо прочего посещал лекции Фридриха Гунда. Во время действия блокады Берлина Крёмер находился на практике в Берлине и воспользовался возможностью для побега на запад. После этого он продолжил обучение в Гёттингенском университете. В 1952 году он защитил диссертацию в области теоретической физики по теме эффекта горячих электронов в транзисторах. После этого Крёмер работал в качестве «прикладного теоретика», как он сам себя называл, в техническом центре радиовещания немецкой федеральной почты. В 1954 году он переехал в США и работал там в различных исследовательских учреждениях в Принстоне и Пало Альто. С 1968 по 1976 год Крёмер преподаёт в университете Колорадо в качестве профессора, а затем перешёл в Калифорнийский университет в Санта-Барбаре.

Достижения

Герберт Крёмер никогда не работал в «модных» областях физики. Он предпочитал области, значение которых становилось ясным только спустя много лет. Например, он опубликовал в 1950-х годах работы об основах биполярного транзистора на основе гетероструктур, который мог работать в гигагерцовом диапазоне частот. В 1963 году он разработал принципы лазеров на двойных гетероструктурах — основе полупроводниковых лазеров. Обе эти работы на много лет опередили своё время, и нашли применение только в 1980-х годах, с развитием эпитаксии.

Во время пребывания в Санта Барбаре он сместил свои интересы в экспериментальную область. Например, в 1970-е годы Крёмер участвовал в разработке молекулярной эпитаксии, причём он изучал новые комбинации материалов, такие как GaP и GaAs на кремниевой подложке. После 1985 года интересы Крёмера сместились к комбинациям InAs, GaSb и AlSb.

В 2000 году ему была присуждена Нобелевская премия по физике, совместно с Жоресом Алфёровым и Джеком Килби.

Награды

Ссылки

Просмотр этого шаблона Лауреаты Нобелевской премии по физике в 1976—2000 годах
Рихтер / Тинг (1976) • Ф. Андерсон / Мотт / Ван Флек (1977) • Капица / Пензиас / Р. Вильсон (1978) • Глэшоу / Салам / Вайнберг (1979) • Кронин / Фитч (1980) • Бломберген / Шавлов / К. Сигбан (1981) • К. Вильсон (1982) • С. Чандрасекар / Фаулер (1983) • Руббиа / ван дер Мер (1984) • фон Клитцинг (1985) • Руска / Бинниг / Рорер (1986) • Беднорц / Мюллер (1987) • Ледерман / Шварц / Стейнбергер (1988) • Рамзей / Демельт / Пауль (1989) • Фридман / Кендалл / Р. Тейлор (1990) • де Жен (1991) • Шарпак (1992) • Халс / Дж. Тейлор (1993) • Брокхауз / Шалл (1994) • Перл / Райнес (1995) • Д. Ли / Ошеров / Ричардсон (1996) • Чу / Коэн-Таннуджи / Филлипс (1997) • Лафлин / Штёрмер / Цуи (1998) • ’т Хоофт / Велтман (1999) • Алфёров / Крёмер / Килби (2000)
Полный список | (1901—1925) (1926—1950) (1951—1975) (1976—2000) (2001—2025)