実効放射温度 - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
例文
モデル作成部３４は、ウエハ表面に実効 放射率を、ランプに温度の時間変化及び放射率を設定したモデルを作成する。例文帳に追加
The model creation part 34 creates a model in which the effective emissivity is set on the wafer surface, and temperature temporal change and emissivity are set in a lamp. - 特許庁
多重反射環境に設置された被測定体５４（Ｗ）の温度を、放射率を利用した放射 温度計４０を用いて測定する温度測定方法において、前記放射率として下記式で定まる実効 放射率ε_eff を用いる。例文帳に追加
In this method of measuring the temperature of the measuring body 54 (W) placed in the multiple reflection environment by using a radiation thermometer 40 utilizing emissivity, an effective emissivity εeff defineed by the following expression is used as the above emissivity: εeff=(1-α).ε+α.ε/[1.F.r.(1-ε)]. - 特許庁
温度計測機構５０は第１放射 温度計ロッド５５における反射板１２３の実効反射率を切り替えることができる。例文帳に追加
The temperature-measuring mechanism 50 can switch the effective reflectivity of a reflector 123 in the first radiation thermometer rod 55. - 特許庁
実効反射率の切り替え前後における第１放射 温度計ロッド５５からの出力に基づいて基板９の温度および放射率を求め、求められた放射率および第２放射 温度計ロッド６０からの出力に基づいて各第２放射 温度計ロッド６０に対向する基板９の領域の温度を求める。例文帳に追加
The temperature and emissivity of the substrate 9 can be obtained, based on the output of the first radiation thermometer rod 55 before and after the switching of the effective radivity, and the temperature of the region of the substrate 9 which faces opposite each second radiation thermometer rod 60 can be obtained, based on the output of the obtained emissivity and the output of the second radiation thermometer rod 60. - 特許庁
半導体ウェハ３の温度を非接触で計測するため、半導体ウェハ３からの放射光を測定し、放射光の測定結果に基づいて実効 放射率を未知変数として推定しながら半導体ウェハ３の温度を演算する。例文帳に追加
In order to measure the temperature of a semiconductor wafer 3 in the noncontact state, radiated light from the semiconductor wafer 3 is measured, and the temperature of a semiconductor wafer 3 is operated, while estimating an effective radiation rate as an unknown variable, based on a measurement result of the radiated light. - 特許庁
その際、計測される放射強度Ｉ1，Ｉ2と、求めた実効反射率Ｒ1，Ｒ2とを用いて処理基板Ｗの温度Ｔを算出し、制御部６０は、温度Ｔをもとにランプを制御し、基板Ｗの温度管理を行う。例文帳に追加
Here, a temperature T of the process substrate W is calculated using measured emission intensities I1 and I2 as well as acquired effective reflectivity R1 and R2, and a control part 60 controls a lamp based on the temperature T for temperature-control the substrate W. - 特許庁
例文
そして、回転板５３を回転させて２つの放射 温度計ロッド５５に対する反射板１２３の実効反射率を変化させ、それぞれのキャビティ５１１に対向する基板の２つの領域の温度を計測する。例文帳に追加
The rotary plate 53 is rotated to change the effective reflection factor of the reflection plate 123 to the two radiation thermometer rods 55 and the temperature in two regions of the substrate opposite to the two cavities 511 is measured. - 特許庁