層の間に堆積した - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)

例文

グルー用保護堆積における光学素子の有効口径の被覆方法例文帳に追加

COVERING METHOD OF EFFECTIVE APERTURE OF OPTICAL ELEMENT BETWEEN PILES OF PROTECTIVE LAYER FOR GLUE - 特許庁

第1のガス供給手段30は、処理空 堆積用の第1のプロセスガスを供給する。例文帳に追加

The first gas supply means 30 supplies a first process gas for deposition to a processing space. - 特許庁

導電体11上に最表面がシリコンリッチな20である第1の 絶縁膜12が堆積され、この第1の 絶縁膜12上に第2の 絶縁膜13が堆積される。例文帳に追加

A first interlayer insulating film 12, which is a layer 20 with the silicon-rich uppermost surface, is deposited on a conductor film 11, and a second interlayer insulating film 13 is deposited on this film 12. - 特許庁

絶縁膜サイドウォールの上から全面に、 絶縁膜を堆積して、ビット線11を埋め込む。例文帳に追加

The interlayer dielectric film is deposited all over from above the dielectric film sidewall and the bit line 11 is embedded. - 特許庁

また、チャンバ14内にアンモニアを供給する段階と、チャンバ14内に、堆積 を有する基板22を配置する段階と、アンモニアの存在下で所定の変換期にわたって堆積 にUV光を当てて、少なくとも部分的に堆積 を高密度化する段階とを備える。例文帳に追加

Furthermore, the system and the method comprise a step for supplying ammonium into the chamber 14, a step for arranging the substrate 22 having the deposited layer in the chamber 14, and a step for emitting the UV beam to the deposited layer under the ammonic atmosphere for a predetermined converting period of time at least to partially and highly densify the deposited layer. - 特許庁

そのような堆積方法により絶縁膜を2以上にすることで、平坦に絶縁膜を堆積することが可能となり、そこに上部配線を形成した場合には配線の短絡を防ぐことができる。例文帳に追加

The insulating film of two layers or more is formed by the deposition method, so that the insulating film can be deposited flatly, and when an upper wiring layer is formed thereon, short-circuit between wirings can be prevented. - 特許庁

集積回路は第一の誘電体と集積回路のより上の導電 に拡散防止バリヤ堆積して製造される。例文帳に追加

A diffusion preventive barrier layer is deposited between a first dielectrics layer and a conductive layer above the integrated circuit to manufacture the integrated circuit. - 特許庁

例文

集積回路は第一の誘電体と集積回路のより上の導電 に拡散防止バリヤ堆積して製造される。例文帳に追加

Related to an integrated circuit, a diffusion preventive barrier layer is deposited between a first dielectrics layer and a conductive layer above the integrated circuit. - 特許庁

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