V element - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
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V element
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「V element」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 843件
例文
V-BELT, ELEMENT FOR V-BELT, AND PULLEY FOR V-BELT例文帳に追加
Ｖベルト、Ｖベルト用エレメント及びＶベルト用プーリ - 特許庁
Assign object v to the ith element of o.発音を聞く 例文帳に追加
o の i 番目の要素に v を代入します。 - Python
P is also suitable for group V element.例文帳に追加
Ｖ族元素にはＰもよい。 - 特許庁
The 74HCT type CMOS gate element 10 is operated to switch in both of 3 V system input (2.7 V to 3.3 V) and 5 V system input (4.5 V to 5.5 V), and a 5 V system voltage or a 3 V system voltage is output corresponding to a power source voltage to be supplied from an output destination circuit.例文帳に追加
74HCTタイプCMOSゲート素子10は3V系入力（2.7V〜3.3V）であっても5V系入力（4.5V〜5.5V）であってもスイッチング動作し、出力先回路から供給される電源電圧に応じて5V系電圧または3V系電圧が出力される。 - 特許庁
The semiconductor laser 1 is also provided with a group III-V compound semiconductor layer 11 provided on the group III-V compound semiconductor layer 9 and containing a phosphorous element, and a group III-V compound semiconductor layer 13 provided on the group III-V compound semiconductor layer 11 and containing an arsenic element.例文帳に追加
また、半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層９上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層１１と、III−V族化合物半導体層１１上に設けられヒ素元素を含むIII−V族化合物半導体層１３とを備える。 - 特許庁
GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT例文帳に追加
ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ素子 - 特許庁
例文
GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加
ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体素子 - 特許庁
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