a c-BP - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
例文
Upon the receipt of a system changeover end notice, the BP transmission section 404 releases a BP notice to the input buffer 111 ((8) in Figure C).例文帳に追加
ＢＰ送出部４０４は、系切替完了通知を受けると、入力バッファ１１１へのＢＰ通知を解除する（（Ｃ）の ）。 - 特許庁
Or, the c-BP film is formed as a buffer layer on the Si substrate, and a film of amorphous SiC or amorphous GaN is formed on the c-BP film.例文帳に追加
また、Ｓｉ基板の上にｃ−ＢＰの膜をバッファー層として成形し、そのｃ−ＢＰの膜の上にアモルファスＳｉＣ又はＧａＮの膜を形成する。 - 特許庁
When each of half mirrors HM-a, b and c transmits p-wave (Ap, Bp, Bp) 100% and reflects s-wave (As, Bs, Cs) 100%, the s-wave input from In-a reaches Out-c without attenuation.例文帳に追加
ハーフミラーＨＭ−ａ、ｂ、ｃがいずれもｐ波（Ａｐ、Ｂｐ、Ｃｐ）を１００％透過し、ｓ波（Ａｓ、Ｂｓ、Ｃｓ）を１００％反射する場合、Ｉｎ−ａから入力されたｓ波ＡｓはＯｕｔ−ｃに達するまで、減衰は無い。 - 特許庁
On an Si (100) substrate 1, a c-InN single-crystal film 4 is formed with a buffer layer 2 interposed having a superlattice structure which consists of a plurality of alternately deposited c-BP single-crystal layers 2a and Si single-crystal layers 2b, with the uppermost c-BP single-crystal layer.例文帳に追加
Ｓｉ（１００）基板１上にｃ−ＢＰ単結晶層２ａとＳｉ単結晶層２ｂとを交互に多数層積層し、かつ、最上層をｃ−ＢＰ単結晶層とした超格子構造のバッファ層２を介在してｃ−ＩｎＮ単結晶膜４が形成されている。 - 特許庁
Since this org. solvent having a b.p. of 60-130°C evaporates at a low temp. before the hydrocarbon solvent evaporates, the dryability can be improved.例文帳に追加
沸点が６０〜１３０℃の有機溶剤は炭化水素系溶剤よりも先に低温で揮発するから、乾燥性の向上を図ることができる。 - 特許庁
Further, a 3C-SiC or GaN growing raw material gas is supplied to the surface of the c-BP layer to form the 3C-SiC or GaN layer.例文帳に追加
さらに、そのｃ−ＢＰ層の表面に３Ｃ−ＳｉＣ又はＧａＮ成長用原料ガスを流して、３Ｃ−ＳｉＣ層又はＧａＮ層を形成する。 - 特許庁
例文
A c-BP film is formed as a buffer layer on the Si substrate, and a film of 3C-SiC or c-GaN is epitaxially grown on the buffer layer to manufacture a semiconductor.例文帳に追加
Ｓｉ基板にｃ−ＢＰの膜をバッファー層として成形し、そのバッファー層の上に３Ｃ−ＳｉＣ又はｃ−ＧａＮをエピタキシャル成長させて、半導体を製造する。 - 特許庁