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The body regions of the transistors Qn1, Qn2, Qp1, Qp2, Qpc, Qe, Qb, Qd, Qm, Qio in a sense amplifier 20, a precharger circuit 23, bit line selector circuits 26A and 26B, a memory cell 27, a dummy cell 28, and a column selector circuit 29 for DRAMs are electrically fixed.例文帳に追加

ＤＲＡＭのセンスアンプ２０、プリチャージ回路２３、ビット線選択回路２６Ａ，２６Ｂ、メモリセル２７、ダミーセル２８およびコラム選択回路２９におけるトランジスタＱｎ１，Ｑｎ２，Ｑｐ１，Ｑｐ２，Ｑｐｃ，Ｑｅ，Ｑｂ，Ｑｄ，Ｑｍ，Ｑｉｏのボディ領域を電気的に固定した。 - 特許庁

The body regions of transistors Qn1, Qn2, Qp1, Qp2, Qpc, Qe, Qb, Qd, Qm, Qio in a sense amplifier 20, a precharger circuit 23, bit line selector circuits 26A, 26B, a memory cell 27, a dummy cell 28, and a column selector circuit 29 for the DRAM are fixed electrically.例文帳に追加

ＤＲＡＭのセンスアンプ２０、プリチャージ回路２３、ビット線選択回路２６Ａ，２６Ｂ、メモリセル２７、ダミーセル２８およびコラム選択回路２９におけるトランジスタＱｎ１，Ｑｎ２，Ｑｐ１，Ｑｐ２，Ｑｐｃ，Ｑｅ，Ｑｂ，Ｑｄ，Ｑｍ，Ｑｉｏのボディ領域を電気的に固定した。 - 特許庁

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