lattice-matched - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)

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lattice-matched

格子整合

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「lattice-matched」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 31件

例文

To provide a semiconductor element which can alleviate lattice distortion between a semiconductor layer not matched in lattice with a semiconductor substrate and the same semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板と格子整合しない半導体層と半導体基板との間の格子歪みを緩和した半導体素子を提供する。 - 特許庁

A monocrystalline MgO layer is grown on a Si monocrystalline substrate, and a lattice is matched.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板上に単結晶のＭｇＯ層が成長し、格子整合している。 - 特許庁

Further, the superior quality of crystal of another compound semiconductor not lattice-matched with the above substrate can be obtained.例文帳に追加

またこの基板とは格子整合しない別の化合物半導体の良質な結晶を得ることができる。 - 特許庁

The electrode layer 25 is constituted of a material lattice matched to the semiconductor layers 24.例文帳に追加

電極層２５は、半導体層２４との間で格子整合のとれた材料にて構成されている。 - 特許庁

FORMATION OF NITRIDE-BASED OPTOELECTRONIC/ELECTRONIC DEVICE STRUCTURE ON LATTICE-MATCHED SUBSTRATE例文帳に追加

格子整合基板上への窒化物系光電子／電子デバイス構造体の形成 - 特許庁

The guide layers 3c and 3d are approximately lattice-matched with the GaAs substrate and are thicker than adjacent barrier layers.例文帳に追加

ガイド層３ｃ，３ｄはＧａＡｓ基板に対して略格子整合し、隣接する障壁層の厚さよりも厚い。 - 特許庁

例文

To enable to form an InP-based semiconductor element which is inherently lattice matched to an InP substrate on a GaAs substrate.例文帳に追加

本来InP基板に格子整合性を有するInP系半導体素子をGaAs基板に形成することができるようにする。 - 特許庁

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「lattice-matched」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 31件

例文

In the first magnesium oxide film 13A, there partially exists a first lattice matching portion P lattice-matched with both of the silicon channel layer 12 and the first ferromagnetic layer 14A.例文帳に追加

第一酸化マグネシウム膜１３Ａには、シリコンチャンネル層１２及び第一強磁性層１４Ａの両方と格子整合している第一格子整合部分Ｐが部分的に存在している。 - 特許庁

Lattice constants of the first and second Si_1-xGe_x (0≤x≤1) layers 14a, 14b and 14c are matched with lattice constants of the first and second material layers 15, 16 and 17 on them.例文帳に追加

第１、第２のＳｉ_1-ｘＧｅ_ｘ（０≦ｘ≦１）層層１４ａ，１４ｂ，１４ｃの格子定数はその上の第１、第２の材料層１５，１６，１７の格子定数に整合されている。 - 特許庁

This semiconductor substrate 100 includes: a base substrate 102 having an impurity region 104 having impurity atoms doped into silicon; a plurality of seed bodies 112 provided in contact with the impurity region 104; and a plurality of compound semiconductors 114 each provided in contact with each of the plurality of seed bodies 112 and each lattice-matched or pseudo-lattice-matched with each of the plurality of seed bodies 112.例文帳に追加

シリコンに不純物原子が導入された不純物領域１０４を有するベース基板１０２と、不純物領域１０４に接して設けられている複数のシード体１１２と、複数のシード体１１２の各々に接して設けられ、複数のシード体１１２の各々とそれぞれ格子整合または擬格子整合する複数の化合物半導体１１４とを備える半導体基板１００。 - 特許庁

The titanium oxide layer contains particles of anatase titanium oxide and the particles of titanium oxide bond to their adjacent particles of titanium oxide so that the crystal lattice of the bonded particles of titanium oxide is matched at an interface between the particles.例文帳に追加

酸化チタン層は、アナターゼ型酸化チタン粒子を含み、隣接する酸化チタン粒子が結合し、結合した酸化チタン粒子の結晶格子が粒子間の界面にて整合している。 - 特許庁

The n-side clad layer 3 in the semiconductor laser 1 has a four element material of In, Ga, As and P lattice matched to InP and has a composition wavelength of 0.96-0.98 μm.例文帳に追加

この半導体レーザ１におけるｎ側クラッド層３は、ＩｎＰに格子整合したＩｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｐの４元材料を有し、その組成波長が０．９６〜０．９８μｍである。 - 特許庁

To provide a magnetic semiconductor device that is lattice-matched with a substrate and forms a quantum well layer or a ferromagnetic electrode constituted from II-IV-V_2 group compound magnetic semiconductor material whose Curie temperature Tc is the room temperature.例文帳に追加

基板と格子整合し、キュリー温度Ｔｃが室温であるＩＩ−ＩＶ−Ｖ_２族化合物磁性半導体材料で量子井戸層あるいは強磁性電極を構成した磁性半導体素子を提供する。 - 特許庁

Since the group III nitride in the device 106 is more effectively lattice-matched with the silicon carbon germanium layer 104 as compared with the silicon carbon layer 102, rearrangement density is reduced and the layer 104 can be more thickened than the device 106.例文帳に追加

デバイス１０６のIII族窒素化合物は、シリコンカーボンの層１０２とよりも、シリコンカーボンゲルマニウムの層１０４との方が良好に格子整合するので、転位密度は低くなり、デバイスもより厚くすることが可能となる。 - 特許庁

例文

The surface of an Si substrate 1 is supplied with nitrogen made into a plasma, so that by the surfactant effect of radical nitrogen, an AlN crystal layer 80 which is not lattice matched with Si crystal is formed on the surface of the Si substrate 1.例文帳に追加

次に、Ｓｉ基板１の表面にプラズマ化された窒素を供給して、ラジカル窒素のサーファクタント効果により、Ｓｉ基板１の表面上に、Ｓｉ結晶とは格子整合していないＡｌＮ結晶層８０を形成する。 - 特許庁

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「lattice-matched」の意味に関連した用語

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格子整合

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