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A metal/insulator thin film heterostructure is used for a cold- cathode material forming a field emission element, one of diamond, AIN, and c-BN is used for an insulator layer, and one of Cu, Sn-Pb, Al, Ag, Au, W is used for a metal layer.例文帳に追加

電界放出素子を構成する冷陰極材料に金属／絶縁体薄膜ヘテロ構造を用いるにあたり、絶縁体層としてダイヤモンド、ＡｌＮ、ｃ−ＢＮのいずれか一種を用い、金属層としてＣｕ、Ｓｎ−Ｐｂ，Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｗのいずれか一種を用いる。 - 特許庁