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例文

Without having to provide the diode element utilizing junction capacitance, the maximum oscillation frequency can be markedly improved from several GHz band to tens of GHz band, by using bulk VS. inter-drain capacitance 10 and 12 and bulk VS. inter-gate capacitances 11 and 13 by the bulk potential control voltage of first and second MOS transistors 1 and 2 inputted from input terminals 7 and 8.例文帳に追加

接合容量を利用したダイオード素子を具備することなく、入力端子７，８から入力される第１及び第２のＭＯＳトランジスタ１，２のバルク電位制御電圧により、バルク対ドレイン間容量１０，１２と、バルク対ゲート間容量１１，１３とを使用することで、最大発振周波数を数ＧＨｚ帯から数十ＧＨｚ帯に大幅に向上することができる。 - 特許庁

Further, an n^+ diffusion region 7 acting like a drain of the MOSFET in the MIS region and the p-GaN layer 11 of the pn diode of the bulk region are electrically connected bi a short-circuit electrode 8.例文帳に追加

そして、ＭＩＳ領域のＭＯＳＦＥＴのドレインとなるｎ^+拡散領域７と、バルク領域のｐｎダイオードのｐ−ＧａＮ層１１を、短絡電極８を介して電気的に接続する。 - 特許庁

A bulk potential corresponding to the threshold voltage is generated by connecting a bulk terminal (b) of a transistor T2 whose threshold voltage is to be controlled to a gate terminal (g) of a diode connection type transistor T1 having its gate terminal (g) and drain terminal (d) short circuited, and thus the absolute value and variance width of the threshold are suppressed.例文帳に追加

しきい値電圧を制御したいトランジスタＴ２のバルク端子ｂを、同しきい値電圧を有し、ゲート端子ｇとドレイン端子ｄを短絡したダイオード接続型のトランジスタＴ１のゲート端子ｇと接続することで、しきい値電圧に応じたバルク電位を発生させ、しきい値の絶対値及びばらつき幅を抑制することを可能とする。 - 特許庁

Further, an insulation layer 9 is laminated on the other part of the p-Si layer 2, an n-GaN layer 10 and a p-GaN layer 11 are sequentially grown on the surface of the insulation layer 9 to produce a GaN pn diode which is used for a bulk region.例文帳に追加

また、ｐ−Ｓｉ層２の他の一部の上に絶縁層９を積層し、その表面にｎ−ＧａＮ層１０とｐ−ＧａＮ層１１を順次、成長させてＧａＮのｐｎダイオードを作製し、そこをバルク領域とする。 - 特許庁

例文

The variable capacitance diode 111 includes a p type region 111p and an n type region 111n and the variable capacitance diode 111 adjusts the resonance frequency of the thin film bulk wave element 10 by the application of a voltage to the p type region 111p, the voltage being lower than the voltage applied to the n type region 111n so as to vary the capacitance of a thus formed pn junction.例文帳に追加

可変容量ダイオード１１１はｐ型領域１１１ｐとｎ型領域１１１ｎを備え、可変容量ダイオード１１１はｐ型領域１１１ｐをｎ型領域１１１ｎより低電圧とすることで形成されるｐｎ接合での容量を変化させて、薄膜バルク波素子１０の共振周波数を調整する。 - 特許庁