Абил Aсваров - Academia.edu (original) (raw)
Uploads
Papers by Абил Aсваров
Исследованы характеристики прозрачных проводящих слоев на основе оксида цинка, синтезированных ме... more Исследованы характеристики прозрачных проводящих слоев на основе оксида цинка, синтезированных методом dc магнетронного распыления керамических мишеней ZnO с содержанием легирующей примеси Ga от 3 до 6 ат.%. Изучена взаимосвязь содержания галлия, толщины слоев, температуры синтеза и структурного совершен-ства. При температурах синтеза около 50°С максимальная проводимость и кристаллическое совершенство сло-ев достигаются при содержании в мишени галлия около 6 ат. %, а при температурах около 280°С – 3 ат.%. The GZO layers were synthesized by the dc magnetron sputtering the ceramic targets with gallium content of 3 to 6 atomic percentage; conductivity and crystalline perfection of the layers were studied in relation with the Ga content and the synthesis temperature. It was found that maximum conductivity of the layers is achieved at lower concentrations of gallium: ~6 atomic percentage of Ga at 500C and 3 at % – at 280C. Ключевые слова: оксид цинка; легирование; стехиометрия; прозрачный электрод.
Исследованы характеристики прозрачных проводящих слоев на основе оксида цинка, синтезированных ме... more Исследованы характеристики прозрачных проводящих слоев на основе оксида цинка, синтезированных методом dc магнетронного распыления керамических мишеней ZnO с содержанием легирующей примеси Ga от 3 до 6 ат.%. Изучена взаимосвязь содержания галлия, толщины слоев, температуры синтеза и структурного совершен-ства. При температурах синтеза около 50°С максимальная проводимость и кристаллическое совершенство сло-ев достигаются при содержании в мишени галлия около 6 ат. %, а при температурах около 280°С – 3 ат.%. The GZO layers were synthesized by the dc magnetron sputtering the ceramic targets with gallium content of 3 to 6 atomic percentage; conductivity and crystalline perfection of the layers were studied in relation with the Ga content and the synthesis temperature. It was found that maximum conductivity of the layers is achieved at lower concentrations of gallium: ~6 atomic percentage of Ga at 500C and 3 at % – at 280C. Ключевые слова: оксид цинка; легирование; стехиометрия; прозрачный электрод.