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Papers by Michel CARTON
Annales des Télécommunications, 1988
d'onde de bistabilit6 silicium optique R~sum~ Cet article d~crit un dispositif utilisable pour de... more d'onde de bistabilit6 silicium optique R~sum~ Cet article d~crit un dispositif utilisable pour des applications en logique tout optique dont la structure de base est un guide d'onde non lindaire de silicium sur saphir. Une analyse th~orique confirme que les commutations rapides observdes exp~rimentalement avec ce dispositif rdsultent d'une compdtition entre des effets non lin~aires, d'origines dlectronique et thermique, dans le silicium. Des simulations num~riques permettent d'dtudier l'influence de divers parambtres sur les conditions de fonetionnement du systbme en commutateur ou en bistable optique.
Cette these presente l’etude et la realisation d’un commutateur optoelectronique a seuil de puiss... more Cette these presente l’etude et la realisation d’un commutateur optoelectronique a seuil de puissance qui permet d'obtenir sous l'effet d'un faisceau lumineux impulsionnel des commutations electriques plus franches et mieux definies dans le temps qu'avec un commutateur optoelectronique classique. Le fonctionnement de ce dispositif est base sur l’excitation optique (a 1. 064 micron) en regime non lineaire, a l'aide d'un reseau, d'un mode guide dans un film de silicium epitaxie sur un substrat de saphir. On decrit le principe de fonctionnement des commutateurs optoelectroniques classiques et les avantages du present commutateur. On presente les proprietes du silicium sur saphir, notamment les origines de non-linearite optique de ce materiau. On fait une etude theorique des guides d'ondes optiques plans presentant une faible absorption et des guides pour lesquels le couplage est realise par un prisme ou un reseau. Cette etude permet de definir les condit...
Revue de Physique Appliquée, 1987
Le Journal de Physique Colloques, 1988
2014 Un dispositif original de commutation entièrement optique, utilisant l'excitation de modes g... more 2014 Un dispositif original de commutation entièrement optique, utilisant l'excitation de modes guidés dans un film de silicium sur saphir est présenté. Cette structure a permis l'observation de commutations rapides (quelques centaines de picosecondes). Une analyse théorique est exposée qui permet d'expliquer les observations expérimentales et de définir les conditions d'utilisation permettant d'obtenir la bistabilité. Abstract. 2014 An intrinsic optical switching device, using the excitation of guided modes in a silicon on sapphire film is presented. This structure allows the observation of fast switching (a few hundred picoseconds). A theoretical analysis is presented which explains the experimental observations and allows to predict in which conditions bistability can be observed.
Journal of Applied Physics, 1989
ABSTRACT
NDT & E International, 1997
Annales des Télécommunications, 1988
d'onde de bistabilit6 silicium optique R~sum~ Cet article d~crit un dispositif utilisable pour de... more d'onde de bistabilit6 silicium optique R~sum~ Cet article d~crit un dispositif utilisable pour des applications en logique tout optique dont la structure de base est un guide d'onde non lindaire de silicium sur saphir. Une analyse th~orique confirme que les commutations rapides observdes exp~rimentalement avec ce dispositif rdsultent d'une compdtition entre des effets non lin~aires, d'origines dlectronique et thermique, dans le silicium. Des simulations num~riques permettent d'dtudier l'influence de divers parambtres sur les conditions de fonetionnement du systbme en commutateur ou en bistable optique.
Cette these presente l’etude et la realisation d’un commutateur optoelectronique a seuil de puiss... more Cette these presente l’etude et la realisation d’un commutateur optoelectronique a seuil de puissance qui permet d'obtenir sous l'effet d'un faisceau lumineux impulsionnel des commutations electriques plus franches et mieux definies dans le temps qu'avec un commutateur optoelectronique classique. Le fonctionnement de ce dispositif est base sur l’excitation optique (a 1. 064 micron) en regime non lineaire, a l'aide d'un reseau, d'un mode guide dans un film de silicium epitaxie sur un substrat de saphir. On decrit le principe de fonctionnement des commutateurs optoelectroniques classiques et les avantages du present commutateur. On presente les proprietes du silicium sur saphir, notamment les origines de non-linearite optique de ce materiau. On fait une etude theorique des guides d'ondes optiques plans presentant une faible absorption et des guides pour lesquels le couplage est realise par un prisme ou un reseau. Cette etude permet de definir les condit...
Revue de Physique Appliquée, 1987
Le Journal de Physique Colloques, 1988
2014 Un dispositif original de commutation entièrement optique, utilisant l'excitation de modes g... more 2014 Un dispositif original de commutation entièrement optique, utilisant l'excitation de modes guidés dans un film de silicium sur saphir est présenté. Cette structure a permis l'observation de commutations rapides (quelques centaines de picosecondes). Une analyse théorique est exposée qui permet d'expliquer les observations expérimentales et de définir les conditions d'utilisation permettant d'obtenir la bistabilité. Abstract. 2014 An intrinsic optical switching device, using the excitation of guided modes in a silicon on sapphire film is presented. This structure allows the observation of fast switching (a few hundred picoseconds). A theoretical analysis is presented which explains the experimental observations and allows to predict in which conditions bistability can be observed.
Journal of Applied Physics, 1989
ABSTRACT
NDT & E International, 1997