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Papers by Fatima Abdo
Dans le cadre de cette these, nous presentons une voie economique, propre et innovante de realisa... more Dans le cadre de cette these, nous presentons une voie economique, propre et innovante de realisation de substrat de silicium en couche mince pour applications photovoltaiques. Elle est basee sur la croissance de couche par epitaxie en phase liquide a basse temperature sur substrats de silicium fragilise par implantation ionique pour le detachement et le report sur substrats bas couts. L’objectif de ce travail est de trouver les conditions experimentales pour baisser la temperature d’epitaxie (<800°C au lieu de 1050°C) tout en conservant une vitesse de croissance relativement elevee. Nous avons mis au point une methode innovante qui consiste a utiliser deux bains differents : le premier contenant Al-Sn-Si permet de desoxyder la surface du substrat de silicium sans utiliser l’hydrogene et le second contenant Sn-Si permet la croissance d’une couche epaisse de silicium. Des couches uniformes de 15µm d’epaisseurs ont ete obtenues apres 3 heures de croissance. Des etudes thermodynamiq...
Dans le cadre de cette these, nous presentons une voie economique, propre et innovante de realisa... more Dans le cadre de cette these, nous presentons une voie economique, propre et innovante de realisation de substrat de silicium en couche mince pour applications photovoltaiques. Elle est basee sur la croissance de couche par epitaxie en phase liquide a basse temperature sur substrats de silicium fragilise par implantation ionique pour le detachement et le report sur substrats bas couts. L’objectif de ce travail est de trouver les conditions experimentales pour baisser la temperature d’epitaxie (<800°C au lieu de 1050°C) tout en conservant une vitesse de croissance relativement elevee. Nous avons mis au point une methode innovante qui consiste a utiliser deux bains differents : le premier contenant Al-Sn-Si permet de desoxyder la surface du substrat de silicium sans utiliser l’hydrogene et le second contenant Sn-Si permet la croissance d’une couche epaisse de silicium. Des couches uniformes de 15µm d’epaisseurs ont ete obtenues apres 3 heures de croissance. Des etudes thermodynamiq...