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Papers by Gonzalo Contreras
In this work we prove the existence of Fathi's weak KAM solutions for periodic Lagrangians and gi... more In this work we prove the existence of Fathi's weak KAM solutions for periodic Lagrangians and give a construction of all of them.
Solid State Communications, 1984
ABSTRACT
Physica Status Solidi B-basic Solid State Physics, 1985
An investigation is made of the impurity distribution and carrier concentration in n-type germani... more An investigation is made of the impurity distribution and carrier concentration in n-type germanium layers doped with P, As, and Sb by ion implantation and recrystallized by laser annealing. The impurity distribution is determined with SIMS. The electron concentration is obtained from Hall effect and from ir reflectivity measurements. Impurity concentrations as high as 2 × 1021 cm−3 are reached, with carrier concentrations Ne as high as 2.4 × 1020 cm−3, much higher than in bulk doped samples (Ne ≦ 4 × 1019 cm−3). For the P-doped samples the implanted layers are found to have a lattice constant larger than the substrate for small implantation doses and smaller for larger doses. An analysis of these data leads to the conclusion that most of the ions are implanted substitutionally and, at high concentrations, they are compensated by pairing defects, probably vacancies. With this hypothesis it is also possible to interpret the dependence of the strength of the phosphorus local mode on implantation dose, as found with Raman spectroscopy. The softening of the Raman phonon with dose observed experimentally is also compatible with this hypothesis. A softening of the acoustic phonons with dose found with Brillouin spectroscopy is also reported and discussed.Es wird die Störstellenverteilung und die Ladungsträgerkonzentration in n-leitenden, durch Ionenimplantation P-, As- und Sb-dotierten und mittels Laserausheilung rekristallisierten Germaniumschichten untersucht. Die Störstellenverteilung wird mit SIMS bestimmt und die Elektronenkonzentration aus Hall-Effekts- und aus IR-Reflexionsmessungen erhalten. Störstellenkonzentrationen bis zu 2 × 1021 cm−3 werden erreicht mit Ladungsträgerkonzentrationen Ne bis zu 2,4 × 1020 cm−3, die viel höher als in volumendotierten Proben (Ne ≦ 4 × 1019 cm−3) sind. Für P-dotierte Proben wird gefunden, daß die implantierten Schichten eine Gitterkonstante aufweisen, die für geringe Implantationsdosen größer ist als die des Substrats und kleiner für größe Dosen. Eine Analyse dieser Werte föhrt zu dem Schluß, daß die meisten der Ionen substitutionell implantiert sind und bei hohen Konzentrationen durch paarbildende Defekte, wahrscheinlich Leerstellen, kompensiert werden. Mit dieser Hypothese ist es auch möglich, die Abhängigkeit der Stärke der lokalen Phosphormode von der Implantationsdosis zu erklären, wie mit Ramanspektroskopie gefunden wird. Die Erweichung des Ramanphonons mit der Dosis, die experimentell beobachtet wird, ist mit dieser Hypothese ebenfalls kompatibel. Eine Erweichung des akustischen Phonons mit der Dosis, die mit Brillouin-Spektroskopie gefunden wird, wird ebenfalls mitgeteilt und diskutiert.
Physical Review B, 1985
We present an extensive study of Raman scattering by intervalley density fluctuations in n-type S... more We present an extensive study of Raman scattering by intervalley density fluctuations in n-type Si for a wide range of electron concentrations (8×1018<eqNe<eq1020 cm-3), temperatures (80-473 K), and laser frequencies (1.16 to 2.54 eV). The experiments were performed with a Raman (omega>20 cm-1) and a Fabry-Perot ``Brillouin'' spectrometer (omega<20 cm-1). The results indicate that both nonlocal intravalley diffusion and local
Physical Review B, 1985
We report the resonance of the first-order Raman scattering by phonons in pure and heavily doped ... more We report the resonance of the first-order Raman scattering by phonons in pure and heavily doped n-type Ge for the region of the E1 and E1+Delta1 gaps (1.8-2.7 eV) at room temperature. Our main observations are (i) a shift of about 50 meV for the peak in the resonance curve for pure Ge as compared with earlier measurements, (ii) a
Resumen: ¿Existe una cultura popular? ¿O es sólo el sueño sugerente de una clase (de hombres?) qu... more Resumen: ¿Existe una cultura popular? ¿O es sólo el sueño sugerente de una clase (de hombres?) que, en sus desvaríos de poder e intelligentzia, creen ser capaces de determinar el mundo físico y social y aún el mundo oculto de la subjetividad, de "los otros"? "Esos otros", sin luz, sumidos en sus sueños, sus pesadillas, sus amores y fracasos cotidianos, sus dichos y textos "mal hablados", "mal leídos", iletrados. Sin prensa, ni códices, ni palimpsestos que guarden una cultura no borrable por los dueños del saber. Sin soporte escritural (piedra, árbol, caverna, papiro, cuero, pergamino). Sin folletines, teatro, cine, radio, circo. Reptando por la tierra como simples adláteres, esclavos, labradores, servidores, cuchilleros de las pampas argentinas -para no ser menos que los de otras comarcas allende los mares-(Juan Moreiras de alsinistas y mitristas) muñecos recordados o inventados en leyenda o ficción por las élites, urbi et orbi, por los superhombres que se conciben como nuevos dioses creadores de todas las especies. ¡Hágase la cultura popular!, y la cultura populary/o masiva, para construirla con universo casuístico-se hizo.
In this work we prove the existence of Fathi's weak KAM solutions for periodic Lagrangians and gi... more In this work we prove the existence of Fathi's weak KAM solutions for periodic Lagrangians and give a construction of all of them.
Solid State Communications, 1984
ABSTRACT
Physica Status Solidi B-basic Solid State Physics, 1985
An investigation is made of the impurity distribution and carrier concentration in n-type germani... more An investigation is made of the impurity distribution and carrier concentration in n-type germanium layers doped with P, As, and Sb by ion implantation and recrystallized by laser annealing. The impurity distribution is determined with SIMS. The electron concentration is obtained from Hall effect and from ir reflectivity measurements. Impurity concentrations as high as 2 × 1021 cm−3 are reached, with carrier concentrations Ne as high as 2.4 × 1020 cm−3, much higher than in bulk doped samples (Ne ≦ 4 × 1019 cm−3). For the P-doped samples the implanted layers are found to have a lattice constant larger than the substrate for small implantation doses and smaller for larger doses. An analysis of these data leads to the conclusion that most of the ions are implanted substitutionally and, at high concentrations, they are compensated by pairing defects, probably vacancies. With this hypothesis it is also possible to interpret the dependence of the strength of the phosphorus local mode on implantation dose, as found with Raman spectroscopy. The softening of the Raman phonon with dose observed experimentally is also compatible with this hypothesis. A softening of the acoustic phonons with dose found with Brillouin spectroscopy is also reported and discussed.Es wird die Störstellenverteilung und die Ladungsträgerkonzentration in n-leitenden, durch Ionenimplantation P-, As- und Sb-dotierten und mittels Laserausheilung rekristallisierten Germaniumschichten untersucht. Die Störstellenverteilung wird mit SIMS bestimmt und die Elektronenkonzentration aus Hall-Effekts- und aus IR-Reflexionsmessungen erhalten. Störstellenkonzentrationen bis zu 2 × 1021 cm−3 werden erreicht mit Ladungsträgerkonzentrationen Ne bis zu 2,4 × 1020 cm−3, die viel höher als in volumendotierten Proben (Ne ≦ 4 × 1019 cm−3) sind. Für P-dotierte Proben wird gefunden, daß die implantierten Schichten eine Gitterkonstante aufweisen, die für geringe Implantationsdosen größer ist als die des Substrats und kleiner für größe Dosen. Eine Analyse dieser Werte föhrt zu dem Schluß, daß die meisten der Ionen substitutionell implantiert sind und bei hohen Konzentrationen durch paarbildende Defekte, wahrscheinlich Leerstellen, kompensiert werden. Mit dieser Hypothese ist es auch möglich, die Abhängigkeit der Stärke der lokalen Phosphormode von der Implantationsdosis zu erklären, wie mit Ramanspektroskopie gefunden wird. Die Erweichung des Ramanphonons mit der Dosis, die experimentell beobachtet wird, ist mit dieser Hypothese ebenfalls kompatibel. Eine Erweichung des akustischen Phonons mit der Dosis, die mit Brillouin-Spektroskopie gefunden wird, wird ebenfalls mitgeteilt und diskutiert.
Physical Review B, 1985
We present an extensive study of Raman scattering by intervalley density fluctuations in n-type S... more We present an extensive study of Raman scattering by intervalley density fluctuations in n-type Si for a wide range of electron concentrations (8×1018<eqNe<eq1020 cm-3), temperatures (80-473 K), and laser frequencies (1.16 to 2.54 eV). The experiments were performed with a Raman (omega>20 cm-1) and a Fabry-Perot ``Brillouin'' spectrometer (omega<20 cm-1). The results indicate that both nonlocal intravalley diffusion and local
Physical Review B, 1985
We report the resonance of the first-order Raman scattering by phonons in pure and heavily doped ... more We report the resonance of the first-order Raman scattering by phonons in pure and heavily doped n-type Ge for the region of the E1 and E1+Delta1 gaps (1.8-2.7 eV) at room temperature. Our main observations are (i) a shift of about 50 meV for the peak in the resonance curve for pure Ge as compared with earlier measurements, (ii) a
Resumen: ¿Existe una cultura popular? ¿O es sólo el sueño sugerente de una clase (de hombres?) qu... more Resumen: ¿Existe una cultura popular? ¿O es sólo el sueño sugerente de una clase (de hombres?) que, en sus desvaríos de poder e intelligentzia, creen ser capaces de determinar el mundo físico y social y aún el mundo oculto de la subjetividad, de "los otros"? "Esos otros", sin luz, sumidos en sus sueños, sus pesadillas, sus amores y fracasos cotidianos, sus dichos y textos "mal hablados", "mal leídos", iletrados. Sin prensa, ni códices, ni palimpsestos que guarden una cultura no borrable por los dueños del saber. Sin soporte escritural (piedra, árbol, caverna, papiro, cuero, pergamino). Sin folletines, teatro, cine, radio, circo. Reptando por la tierra como simples adláteres, esclavos, labradores, servidores, cuchilleros de las pampas argentinas -para no ser menos que los de otras comarcas allende los mares-(Juan Moreiras de alsinistas y mitristas) muñecos recordados o inventados en leyenda o ficción por las élites, urbi et orbi, por los superhombres que se conciben como nuevos dioses creadores de todas las especies. ¡Hágase la cultura popular!, y la cultura populary/o masiva, para construirla con universo casuístico-se hizo.