Oleksandr Dobrozhan - Academia.edu (original) (raw)
Papers by Oleksandr Dobrozhan
Chemical reviews, Jan 10, 2017
This review captures the synthesis, assembly, properties, and applications of copper chalcogenide... more This review captures the synthesis, assembly, properties, and applications of copper chalcogenide NCs, which have achieved significant research interest in the last decade due to their compositional and structural versatility. The outstanding functional properties of these materials stems from the relationship between their band structure and defect concentration, including charge carrier concentration and electronic conductivity character, which consequently affects their optoelectronic, optical, and plasmonic properties. This, combined with several metastable crystal phases and stoichiometries and the low energy of formation of defects, makes the reproducible synthesis of these materials, with tunable parameters, remarkable. Further to this, the review captures the progress of the hierarchical assembly of these NCs, which bridges the link between their discrete and collective properties. Their ubiquitous application set has cross-cut energy conversion (photovoltaics, photocatalysi...
Journal of Nanoparticle Research, 2016
J. Mater. Chem. C, 2016
We present a high-yield and scalable colloidal synthesis to produce monodisperse AgSbSe 2 nanocry... more We present a high-yield and scalable colloidal synthesis to produce monodisperse AgSbSe 2 nanocrystals (NCs). Using nuclear magnetic resonance (NMR) spectroscopy, we characterized the NC surface chemistry and demonstrate the presence of surfactants in dynamic exchange, which controls the NC growth mechanism. In addition, these NCs were electronically doped by introducing small amounts of bismuth. To demonstrate the technological potential of such processed material, after ligand removal by means of NaNH 2 , AgSbSe 2 NCs were used as building blocks to produce thermoelectric (TE) nanomaterials. A preliminary optimization of the doping concentration resulted in a thermoelectric figure of merit (ZT) of 1.1 at 640 K, which is comparable to the best ZT values obtained with a Pb-and Te-free material in this middle temperature range, with the additional advantage of the high versatility and low cost associated with solution processing technologies.
![Research paper thumbnail of Морфологічні оптичні властивості та елементний склад наночастинок Cu[2]ZnSnSe[4] отриманих колоїдальним методом](https://attachments.academia-assets.com/54629734/thumbnails/1.jpg)
](80 Морфологічні, оптичні властивості та елементний склад наночастинок Cu2ZnSnSe4 отриманих колоїд... more 80 Морфологічні, оптичні властивості та елементний склад наночастинок Cu2ZnSnSe4 отриманих колоїдальним методом Доброжан О.А. 1 , асп.; Шаповаленко А.О. 1 , студ.; Опанасюк А.С. 1 , проф.; Ібаньєс М. 2 , проф.
Nature communications, Jan 7, 2016
The efficient conversion between thermal and electrical energy by means of durable, silent and sc... more The efficient conversion between thermal and electrical energy by means of durable, silent and scalable solid-state thermoelectric devices has been a long standing goal. While nanocrystalline materials have already led to substantially higher thermoelectric efficiencies, further improvements are expected to arise from precise chemical engineering of nanoscale building blocks and interfaces. Here we present a simple and versatile bottom-up strategy based on the assembly of colloidal nanocrystals to produce consolidated yet nanostructured thermoelectric materials. In the case study on the PbS-Ag system, Ag nanodomains not only contribute to block phonon propagation, but also provide electrons to the PbS host semiconductor and reduce the PbS intergrain energy barriers for charge transport. Thus, PbS-Ag nanocomposites exhibit reduced thermal conductivities and higher charge carrier concentrations and mobilities than PbS nanomaterial. Such improvements of the material transport propertie...
Корисна модель належить до області матеріалознавства, зокрема до технології нанесення плівок для ... more Корисна модель належить до області матеріалознавства, зокрема до технології нанесення плівок для виготовлення приладів електроніки (геліоенергетики та оптоелектроніки), зокрема, для яких функціональні приладові структури формуються на основі полікристалічних плівок багатокомпонентних сполук (Cu2(MII)(MIV)(S,Se)4 (MII: Mn, Fe, Co, Ni, Zn, Cd, Hg; MIV: Si, Ge, Sn) із кристалічною структурою кістеріт (станіт), змінним стехіометричним складом та мінімальним вмістом вторинних фаз великої площі на різних підкладках (скло, кераміка, пластик, метал), включаючи гнучкі полімерні.
В роботі методами рентгенодифрактометрії, скануючої електронної мікроскопії (СЕМ), енергодисперсі... more В роботі методами рентгенодифрактометрії, скануючої електронної мікроскопії (СЕМ), енергодисперсійної рентгенівської, раманівської та оптичної спектроскопії досліджені плівки Cu2ZnSnS4, отримані методом пульсуючого спрей-піролізу при Ts 673 К з прекурсору, що містить CuCl2∙2H2O, ZnCl2, SnCl2∙2H2O, NH2CHNH2. Показано, що стехіометрію, структурні та оптичні характеристики плівок можна змінювати в широких межах, змінюючи об’єм розпиленого прекурсора. Зразки нанесені в оптимальних умовах мали практично однофазну кестеритну структуру, стехіометрію та ширину оптичної забороненої зони близькі до оптимальних для отримання високих значень ККД сонячних елементів.
NanocrystallineZnOfilmsweredepositedontoglass substrates in the temperature range of 473–673Kusing... more NanocrystallineZnOfilmsweredepositedontoglass substrates in the temperature range of 473–673Kusing pulsed spray pyrolysis. The structural, substructural, and optical properties of the films were investigated by means of X-ray diffraction analysis, Raman scattering, and Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy.
The effect of the substrate temperature (Ts) on the coherent
scattering domain (CSD) sizes L, microstrains e, and microstress
s grades, and the average density of dislocations r in the films
were estimated through the broadening of X-ray lines using the
Cauchy and Gauss approximations and the threefold function convolution method. The ZnO films grown at Ts = 623–673K
possessed the highest values of L, and the lowest of e, s, and r,
indicating high-crystalline quality. The Raman spectra showed
peaks located at 95–98, 333–336, 415, 439–442, 572, and 578–
584 cm-1, which were interpreted as E2 low(Zn), (E2high - E2low),
E1(TO), E2 high (O), A1(LO) and E1(LO) phonon modes of the ZnO wurtzite phase. The FTIR spectra showed relatively weak signals at 856, 1405, and 1560 cm-1, corresponding to the C–H and C–O stretching modes, in addition to the main Zn–O mode at 475 cm-1, indicating a low content of precursor residues.
In this work, we report on the structural and optical properties of ZnO films deposited by pulsed... more In this work, we report on the structural and optical properties of ZnO films deposited by pulsed spray pyrolysis at relatively low temperatures, compatible with a large variety of substrates and processing technologies. Crystalline ZnO films were deposited onto glass substrates using zinc acetate dihydrate dissolved in distilled water with concentration of 0.2 M. The temperature of the substrate was varied in the range Ts = 473–673 K with ΔТ = 50 K. Effect of Ts was investigated by scanning electron microscopy, x-ray diffraction and energy dispersive x-ray, and optical spectroscopies. Also, the influence of Ts on the grain size, phase composition, texture quality, coherent scattering domain size, crystal lattice parameters, chemical composition, transmission coefficient, and the bang gap of the ZnO films was studied. X-ray diffraction analysis revealed that films were polycrystalline with hexagonal phase and showed as preferential orientation (101) at Ts < 573 K and (100) and (002) at Ts > 573 K. Scanning electron microscopy (SEM) measurements showed that the substrate temperature has a strong effect on morphology of the films. Energy dispersive analysis revealed that ZnO films consisted of the non-stoichiometric compounds. Optical measurements showed ZnO films to be highly transparent in the visible region, and optical band gap is shifting from 3.18 eV to 3.30 eV.
В роботі визначені оптичні та рекомбінаційні втрати в допоміжних та поглинаючих шарах сонячних ел... more В роботі визначені оптичні та рекомбінаційні втрати в допоміжних та поглинаючих шарах сонячних елементів на основі гетеропереходів n-ZnS / p-CdTe та n-CdS / p-CdTe із струмознімальними фронтальними контактами ITO та ZnO. В результаті розраховані спектральні залежності коефіцієнту пропускання (Т) світла фотоперетворювачами при врахуванні його відбиття від меж контактуючих матеріалів та у випадку його поглинання в допоміжних шарах сонячних елементів. Досліджено вплив оптичних та рекомбінаційних втрат в сонячних елементах зі структурою ITO(ZnO) / CdS(ZnS) / CdTe на струм короткого замикання (Jкз) та ефективність фотоперетворювачів при різній товщині віконних шарів CdS(ZnS) (50-300 нм) та постійній струмознімальних шарів (200 нм). Встановлено, що найбільші значення ефективності (15,9-16,1 %) мають сонячні елементи зі структурою ZnO / ZnS / CdTe при концентрації нескомпенсованих акцепторів в поглинаючому шарі Na – Nd = 1015-1017 см-3 та товщині віконного шару 50 нм.
The present paper concerns the studies of the peculiarities of morphology, elemental composition... more The present paper concerns the studies of the peculiarities of morphology, elemental composition and optical properties of semiconductor nanoparticles Cu 2 ZnSnSe 4 synthesized by a colloidal method by transmission electron microscopy, energy dis-persive X-ray and optical spectroscopy.
В работе выполнено моделирование вольт-амперных характеристик солнечных преобразователей на основ... more В работе выполнено моделирование вольт-амперных характеристик солнечных преобразователей на основе гетеропереходов (ГП) n-ZnS/p-CdTe и n-CdS/p-CdTe в программной середе SCAPS-3200. Показано, что замена традиционного материала CdS оконного слоя фотоэлектрических приборов на более широкозонный материал ZnS приводит к увеличению эффективности устройства. Установлены конструктивные параметры солнечных элементов на основе многослойной n-ZnS/p-CdTe системы, обеспечивающие их максимальную эффективность. Это дает возможность оптимизировать технологию получения более дешевых и высокоэффективных тонкопленочных солнечных преобразователей.
The recombination losses in ancillary and absorber layers of solar cells based on n-ZnS / p-CdTe ... more The recombination losses in ancillary and absorber layers of solar cells based on n-ZnS / p-CdTe and n-CdS / p-CdTe heterojunctions with ITO and ZnO current-collecting frontal contacts were calculated. The effect of recombination losses in solar cells with structure ITO(ZnO) / CdS(ZnS) / CdTe on the short-circuit current (Jsc) and the efficiency (η) of photovoltaic devices at different window layer thickness CdS (ZnS) (50-300 nm) and at invariable of current-collecting layer thickness (200 nm) were investigated. The influence of recombination velocity (S 10 7-10 9 cm/s) on the main features of solar cells was researched. It was established that solar cells with structure ZnO/ZnS/CdTe at the concentration of uncompensated acceptors in absorber layer (Na – Nd) 10 15-10 17 cm – 3 and at window layer thickness 50 nm at recombination velocity S 10 7 cm/s have the highest efficiency values (15.9-16.1 %).
темнових та світлових ВАХ, а також спектральних розподілів квантової ефективності плівкових соняч... more темнових та світлових ВАХ, а також спектральних розподілів квантової ефективності плівкових сонячних елементів (СЕ) на основі ідеальних гетеропереходів n-ZnS/p-CdTe і n-CdS/p-CdTe. Показано, що заміна традиційного матеріалу віконного шару фотоперетворювачів CdS на більш широкозонний матеріал ZnS приводить до зростання ККД. Встановлені конструктивні параметри СЕ на основі багатошарової системи n-ZnS/p-CdTe, які забезпечують їх максимальну ефективність. Вироблені рекомендації щодо оптимізації технології створення реальних дешевих та високоефективних плівкових перетворювачів сонячної енергії.
Ключові слова: плівкові сонячні елементи, телурид кадмію, гетероперехід, моделювання, вольт-амперні характеристики, квантова ефективність, ККД.
The optical reflection and absorption losses in the accessory layers of solar cells based on n-Zn... more The optical reflection and absorption losses in the accessory layers of solar cells based on n-ZnS / p-CdTe and n-CdS / p-CdTe heterojunctions are defined in this work. Aluminum doped zinc oxide is used as the front conductive layer material. It is shown that the replacement of traditional window material (CdS) for a wide-one (ZnS) leads to an increase in accessory solar cells layers transmittance. When the thickness of the window layers is 50 nm, the transmittance using ZnS windows with the wavelength of 380-500 nm is higher in 7-40 % than the corresponding value for CdS. At 300 nm for the same spectral field the difference increases to 8-89 %.
Structural and microstructural investigations of ZnO thin films obtained by spray pyrolysis techn... more Structural and microstructural investigations of ZnO thin films obtained by spray pyrolysis technique. In this paper ZnO thin films were obtained by using spray pyrolysis method at different temperatures of glass substrates. Properties were determined by X-ray diffraction method and scanning electron microscopy. Zinc acetate dihydrate dissolved in distilled water with a concentration of 0.3 M was used as an initial solution. The influence of substrate temperature on the grain size, phase structure, quality of films' texture, lattice constants, size of coherent scattering domains was discovered. The research results can be used in the development of functional solar cells layers.
Chemical reviews, Jan 10, 2017
This review captures the synthesis, assembly, properties, and applications of copper chalcogenide... more This review captures the synthesis, assembly, properties, and applications of copper chalcogenide NCs, which have achieved significant research interest in the last decade due to their compositional and structural versatility. The outstanding functional properties of these materials stems from the relationship between their band structure and defect concentration, including charge carrier concentration and electronic conductivity character, which consequently affects their optoelectronic, optical, and plasmonic properties. This, combined with several metastable crystal phases and stoichiometries and the low energy of formation of defects, makes the reproducible synthesis of these materials, with tunable parameters, remarkable. Further to this, the review captures the progress of the hierarchical assembly of these NCs, which bridges the link between their discrete and collective properties. Their ubiquitous application set has cross-cut energy conversion (photovoltaics, photocatalysi...
Journal of Nanoparticle Research, 2016
J. Mater. Chem. C, 2016
We present a high-yield and scalable colloidal synthesis to produce monodisperse AgSbSe 2 nanocry... more We present a high-yield and scalable colloidal synthesis to produce monodisperse AgSbSe 2 nanocrystals (NCs). Using nuclear magnetic resonance (NMR) spectroscopy, we characterized the NC surface chemistry and demonstrate the presence of surfactants in dynamic exchange, which controls the NC growth mechanism. In addition, these NCs were electronically doped by introducing small amounts of bismuth. To demonstrate the technological potential of such processed material, after ligand removal by means of NaNH 2 , AgSbSe 2 NCs were used as building blocks to produce thermoelectric (TE) nanomaterials. A preliminary optimization of the doping concentration resulted in a thermoelectric figure of merit (ZT) of 1.1 at 640 K, which is comparable to the best ZT values obtained with a Pb-and Te-free material in this middle temperature range, with the additional advantage of the high versatility and low cost associated with solution processing technologies.
80 Морфологічні, оптичні властивості та елементний склад наночастинок Cu2ZnSnSe4 отриманих колоїд... more 80 Морфологічні, оптичні властивості та елементний склад наночастинок Cu2ZnSnSe4 отриманих колоїдальним методом Доброжан О.А. 1 , асп.; Шаповаленко А.О. 1 , студ.; Опанасюк А.С. 1 , проф.; Ібаньєс М. 2 , проф.
Nature communications, Jan 7, 2016
The efficient conversion between thermal and electrical energy by means of durable, silent and sc... more The efficient conversion between thermal and electrical energy by means of durable, silent and scalable solid-state thermoelectric devices has been a long standing goal. While nanocrystalline materials have already led to substantially higher thermoelectric efficiencies, further improvements are expected to arise from precise chemical engineering of nanoscale building blocks and interfaces. Here we present a simple and versatile bottom-up strategy based on the assembly of colloidal nanocrystals to produce consolidated yet nanostructured thermoelectric materials. In the case study on the PbS-Ag system, Ag nanodomains not only contribute to block phonon propagation, but also provide electrons to the PbS host semiconductor and reduce the PbS intergrain energy barriers for charge transport. Thus, PbS-Ag nanocomposites exhibit reduced thermal conductivities and higher charge carrier concentrations and mobilities than PbS nanomaterial. Such improvements of the material transport propertie...
Корисна модель належить до області матеріалознавства, зокрема до технології нанесення плівок для ... more Корисна модель належить до області матеріалознавства, зокрема до технології нанесення плівок для виготовлення приладів електроніки (геліоенергетики та оптоелектроніки), зокрема, для яких функціональні приладові структури формуються на основі полікристалічних плівок багатокомпонентних сполук (Cu2(MII)(MIV)(S,Se)4 (MII: Mn, Fe, Co, Ni, Zn, Cd, Hg; MIV: Si, Ge, Sn) із кристалічною структурою кістеріт (станіт), змінним стехіометричним складом та мінімальним вмістом вторинних фаз великої площі на різних підкладках (скло, кераміка, пластик, метал), включаючи гнучкі полімерні.
В роботі методами рентгенодифрактометрії, скануючої електронної мікроскопії (СЕМ), енергодисперсі... more В роботі методами рентгенодифрактометрії, скануючої електронної мікроскопії (СЕМ), енергодисперсійної рентгенівської, раманівської та оптичної спектроскопії досліджені плівки Cu2ZnSnS4, отримані методом пульсуючого спрей-піролізу при Ts 673 К з прекурсору, що містить CuCl2∙2H2O, ZnCl2, SnCl2∙2H2O, NH2CHNH2. Показано, що стехіометрію, структурні та оптичні характеристики плівок можна змінювати в широких межах, змінюючи об’єм розпиленого прекурсора. Зразки нанесені в оптимальних умовах мали практично однофазну кестеритну структуру, стехіометрію та ширину оптичної забороненої зони близькі до оптимальних для отримання високих значень ККД сонячних елементів.
NanocrystallineZnOfilmsweredepositedontoglass substrates in the temperature range of 473–673Kusing... more NanocrystallineZnOfilmsweredepositedontoglass substrates in the temperature range of 473–673Kusing pulsed spray pyrolysis. The structural, substructural, and optical properties of the films were investigated by means of X-ray diffraction analysis, Raman scattering, and Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy.
The effect of the substrate temperature (Ts) on the coherent
scattering domain (CSD) sizes L, microstrains e, and microstress
s grades, and the average density of dislocations r in the films
were estimated through the broadening of X-ray lines using the
Cauchy and Gauss approximations and the threefold function convolution method. The ZnO films grown at Ts = 623–673K
possessed the highest values of L, and the lowest of e, s, and r,
indicating high-crystalline quality. The Raman spectra showed
peaks located at 95–98, 333–336, 415, 439–442, 572, and 578–
584 cm-1, which were interpreted as E2 low(Zn), (E2high - E2low),
E1(TO), E2 high (O), A1(LO) and E1(LO) phonon modes of the ZnO wurtzite phase. The FTIR spectra showed relatively weak signals at 856, 1405, and 1560 cm-1, corresponding to the C–H and C–O stretching modes, in addition to the main Zn–O mode at 475 cm-1, indicating a low content of precursor residues.
In this work, we report on the structural and optical properties of ZnO films deposited by pulsed... more In this work, we report on the structural and optical properties of ZnO films deposited by pulsed spray pyrolysis at relatively low temperatures, compatible with a large variety of substrates and processing technologies. Crystalline ZnO films were deposited onto glass substrates using zinc acetate dihydrate dissolved in distilled water with concentration of 0.2 M. The temperature of the substrate was varied in the range Ts = 473–673 K with ΔТ = 50 K. Effect of Ts was investigated by scanning electron microscopy, x-ray diffraction and energy dispersive x-ray, and optical spectroscopies. Also, the influence of Ts on the grain size, phase composition, texture quality, coherent scattering domain size, crystal lattice parameters, chemical composition, transmission coefficient, and the bang gap of the ZnO films was studied. X-ray diffraction analysis revealed that films were polycrystalline with hexagonal phase and showed as preferential orientation (101) at Ts < 573 K and (100) and (002) at Ts > 573 K. Scanning electron microscopy (SEM) measurements showed that the substrate temperature has a strong effect on morphology of the films. Energy dispersive analysis revealed that ZnO films consisted of the non-stoichiometric compounds. Optical measurements showed ZnO films to be highly transparent in the visible region, and optical band gap is shifting from 3.18 eV to 3.30 eV.
В роботі визначені оптичні та рекомбінаційні втрати в допоміжних та поглинаючих шарах сонячних ел... more В роботі визначені оптичні та рекомбінаційні втрати в допоміжних та поглинаючих шарах сонячних елементів на основі гетеропереходів n-ZnS / p-CdTe та n-CdS / p-CdTe із струмознімальними фронтальними контактами ITO та ZnO. В результаті розраховані спектральні залежності коефіцієнту пропускання (Т) світла фотоперетворювачами при врахуванні його відбиття від меж контактуючих матеріалів та у випадку його поглинання в допоміжних шарах сонячних елементів. Досліджено вплив оптичних та рекомбінаційних втрат в сонячних елементах зі структурою ITO(ZnO) / CdS(ZnS) / CdTe на струм короткого замикання (Jкз) та ефективність фотоперетворювачів при різній товщині віконних шарів CdS(ZnS) (50-300 нм) та постійній струмознімальних шарів (200 нм). Встановлено, що найбільші значення ефективності (15,9-16,1 %) мають сонячні елементи зі структурою ZnO / ZnS / CdTe при концентрації нескомпенсованих акцепторів в поглинаючому шарі Na – Nd = 1015-1017 см-3 та товщині віконного шару 50 нм.
The present paper concerns the studies of the peculiarities of morphology, elemental composition... more The present paper concerns the studies of the peculiarities of morphology, elemental composition and optical properties of semiconductor nanoparticles Cu 2 ZnSnSe 4 synthesized by a colloidal method by transmission electron microscopy, energy dis-persive X-ray and optical spectroscopy.
В работе выполнено моделирование вольт-амперных характеристик солнечных преобразователей на основ... more В работе выполнено моделирование вольт-амперных характеристик солнечных преобразователей на основе гетеропереходов (ГП) n-ZnS/p-CdTe и n-CdS/p-CdTe в программной середе SCAPS-3200. Показано, что замена традиционного материала CdS оконного слоя фотоэлектрических приборов на более широкозонный материал ZnS приводит к увеличению эффективности устройства. Установлены конструктивные параметры солнечных элементов на основе многослойной n-ZnS/p-CdTe системы, обеспечивающие их максимальную эффективность. Это дает возможность оптимизировать технологию получения более дешевых и высокоэффективных тонкопленочных солнечных преобразователей.
The recombination losses in ancillary and absorber layers of solar cells based on n-ZnS / p-CdTe ... more The recombination losses in ancillary and absorber layers of solar cells based on n-ZnS / p-CdTe and n-CdS / p-CdTe heterojunctions with ITO and ZnO current-collecting frontal contacts were calculated. The effect of recombination losses in solar cells with structure ITO(ZnO) / CdS(ZnS) / CdTe on the short-circuit current (Jsc) and the efficiency (η) of photovoltaic devices at different window layer thickness CdS (ZnS) (50-300 nm) and at invariable of current-collecting layer thickness (200 nm) were investigated. The influence of recombination velocity (S 10 7-10 9 cm/s) on the main features of solar cells was researched. It was established that solar cells with structure ZnO/ZnS/CdTe at the concentration of uncompensated acceptors in absorber layer (Na – Nd) 10 15-10 17 cm – 3 and at window layer thickness 50 nm at recombination velocity S 10 7 cm/s have the highest efficiency values (15.9-16.1 %).
темнових та світлових ВАХ, а також спектральних розподілів квантової ефективності плівкових соняч... more темнових та світлових ВАХ, а також спектральних розподілів квантової ефективності плівкових сонячних елементів (СЕ) на основі ідеальних гетеропереходів n-ZnS/p-CdTe і n-CdS/p-CdTe. Показано, що заміна традиційного матеріалу віконного шару фотоперетворювачів CdS на більш широкозонний матеріал ZnS приводить до зростання ККД. Встановлені конструктивні параметри СЕ на основі багатошарової системи n-ZnS/p-CdTe, які забезпечують їх максимальну ефективність. Вироблені рекомендації щодо оптимізації технології створення реальних дешевих та високоефективних плівкових перетворювачів сонячної енергії.
Ключові слова: плівкові сонячні елементи, телурид кадмію, гетероперехід, моделювання, вольт-амперні характеристики, квантова ефективність, ККД.
The optical reflection and absorption losses in the accessory layers of solar cells based on n-Zn... more The optical reflection and absorption losses in the accessory layers of solar cells based on n-ZnS / p-CdTe and n-CdS / p-CdTe heterojunctions are defined in this work. Aluminum doped zinc oxide is used as the front conductive layer material. It is shown that the replacement of traditional window material (CdS) for a wide-one (ZnS) leads to an increase in accessory solar cells layers transmittance. When the thickness of the window layers is 50 nm, the transmittance using ZnS windows with the wavelength of 380-500 nm is higher in 7-40 % than the corresponding value for CdS. At 300 nm for the same spectral field the difference increases to 8-89 %.
Structural and microstructural investigations of ZnO thin films obtained by spray pyrolysis techn... more Structural and microstructural investigations of ZnO thin films obtained by spray pyrolysis technique. In this paper ZnO thin films were obtained by using spray pyrolysis method at different temperatures of glass substrates. Properties were determined by X-ray diffraction method and scanning electron microscopy. Zinc acetate dihydrate dissolved in distilled water with a concentration of 0.3 M was used as an initial solution. The influence of substrate temperature on the grain size, phase structure, quality of films' texture, lattice constants, size of coherent scattering domains was discovered. The research results can be used in the development of functional solar cells layers.
We report on the evaluation of coherent scattering domain sizes, microstrains, microstresses, an... more We report on the evaluation of coherent scattering domain sizes, microstrains, microstresses, and average density of dislocations in CZTS films deposited by pulsed spray pyrolysis technique by atomizing different volumes of initial solution. CZTS films deposited at V= 5 ml are suitable for application in 3 rd generation thin-film solar cells.
We report on the structural properties of Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin films deposited by using nanoink ... more We report on the structural properties of Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin films deposited by using nanoink spraying process and annealed at different temperatures Ta = (523-723) K and duration ta = (2-10) min under the
ambient atmosphere. The effect of annealing conditions on the phase composition, lattice parameters (a, c, c/2a), unit cell volumes (Vunit) and coherent domain sizes (L) was investigated. CZTS films annealed at Ta = 623 K and ta = 3 min showed the promising characteristics for application in 3rd generation thin-film solar cells.