Способ получения инверсных полупроводниковых слоев — SU 1523001 (original) (raw)
Описание
Способ получения инверсных полупроводниковых слоев в исходном легированном кремнии, включающий импульсных нагрев, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения и исключения эрозии поверхности, в качестве исходного используют кремний n-типа, легированный фосфором до концентраций 1013 - 2 
1016 см-3, а нагрев ведут на воздухе в интервале температур от 1200oC до температуры плавления кремния.
Заявка
4235475/25, 27.04.1987
Коршунов А. Б, Генералов Н. А, Зимаков В. П, Соловьев Н. Г, Газуко И. В, Гласко В. Б, Губарь А. Ю, Верин В. М, Старикова Л. Е, Петровнин Н. М, Щербина С. М, Зыканова И. В
МПК / Метки
МПК: H01L 21/268
Метки: инверсных, полупроводниковых, слоев
Опубликовано: 20.09.2001