Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений — SU 764208 (original) (raw)

Описание

Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений методом газотранспортных реакций, включающее вертикально установленный кварцевый реактор с подложкодержателем внутри, снабженный патрубками для подачи реакционного газа сверху и поддува инертного газа снизу и патрубком для отвода продуктов реакции, отличающийся тем, что, с целью исключения осаждения продукта на стенках камеры и попадания поддуваемого газа в зону осаждения, улучшения за счет этого структурного совершенства и воспроизводимости электрофизических параметров получаемых слоев, реактор снабжен кварцевой рубашкой, соединенной с реактором через отверстия, выполненные в его стенке ниже размещения подложкодержателя, а патрубок для отвода продуктов реакции размещен на кварцевой рубашке выше подложкодержателя.

Заявка

2193167/26, 21.11.1975

Институт физики полупроводников СО АН СССР

Лисовенко В. Д, Марончук И. Е, Марончук Ю. Е

МПК / Метки

МПК: C30B 25/08, C30B 29/40

Метки: выращивания, полупроводниковых, слоев, соединений, эпитаксиальных

Опубликовано: 10.06.2000

Код ссылки

Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений