Элемент памяти — SU 936727 (original) (raw)
Описание
Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в противоположном слое которой расположены истоковые и стоковые области второго типа проводимости, плавающий и управляющий затворы, изолированные друг от друга и от полупроводниковой подложки диэлектрическими слоями и перекрывающие края истоковых и стоковых областей, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности элемента памяти, он содержит высокоомный слой полупроводника, отделяющий стоковую область от полупроводниковой подложки.
Заявка
2911716/24, 11.04.1980
Институт физики полупроводников СО АН СССР
Колосанов В. А, Синица С. П
МПК / Метки
МПК: G11C 11/40
Опубликовано: 20.06.2000