Патенты опубликованные 27.05.1997 (original) (raw)

Способ управления тиристором

Номер патента: 1482478

Опубликовано: 27.05.1997

Автор: Монахов

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристором

Способ управления тиристором, выполненным в виде полого цилиндра с коаксиально расположенными полупроводниковыми слоями и электродами путем создания избыточного заряда в базовых областях, отличающийся тем, что, с целью упрощения схемы управления за счет обеспечения гальванической развязки по цепи управления и уменьшения времени включения, ток управления наводят в электродах и внешних полупроводниковых слоях, выполненных в виде винтообразных полос, с помощью индуктора, обеспечивающего изменение магнитного потока в соответствии с выражениемгде dФ/dt скорость изменения магнитного потока, проходящего внутри полой полупроводниковой структуры;

Полосковый ответвитель

Номер патента: 670043

Опубликовано: 27.05.1997

Авторы: Кац, Мещанов

МПК: H01P 5/18

Метки: ответвитель, полосковый

Полосковый ответвитель, содержащий корпус, выполненный в виде двух параллельных оснований и боковых стенок, внутри которого расположены два прямоугольных проводника и две поглощающие пластины, отличающийся тем, что, с целью расширения рабочей полосы частот, поглощающие пластины установлены перпендикулярно основаниям корпуса и размещены у боковых стенок корпуса на расстоянии от ближайшего прямоугольного проводника, составляющем 5/7 расстояния между основаниями корпуса.

Способ определения средней концентрации фаз двухфазного потока

Номер патента: 1549307

Опубликовано: 27.05.1997

Авторы: Болтенко, Джусов

МПК: G01N 15/02

Метки: двухфазного, концентрации, потока, средней, фаз

Способ определения средней концентрации фаз двухфазного потока, заключающийся в измерении площади сечения канала, занятой каждой фазой двухфазового потока, и общего сечения канала и определении средней концентрации фаз по отношению каждой фазы к общему сечению, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности измерения концентрации фаз в нестационарных условиях за счет сокращения времени измерения сечения фаз, концентрацию определяют с помощью датчика, содержащего n электродов, выбирают максимальный уровень сигнала в качестве опорного, определяют число электродов n_ где сигнал меньше опорного, определяют число попарно электрических замкнутых электродов nзам, концентрацию паровой фазы определяют по...

Способ оценки лучевого поражения

Номер патента: 1755655

Опубликовано: 27.05.1997

Автор: Богомазов

МПК: G09B 23/28

Метки: лучевого, оценки, поражения

Способ оценки лучевого поражения организма экспериментального животного путем исследования крови и мочи, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, на организм животного воздействуют радиацией, перорально вводят хром-51, после чего в плазме и эритроцитах крови и моче определяют содержание хрома-51 в течение 3 сут и при отсутствии его в плазме и эритроцитах крови и увеличении содержания его в моче в 1,8 2,3 раза относительно нормы судят о действии аварийной дозы, при наличии хрома в плазме и эритроцитах крови и увеличении экскреции его с мочой в 3,1 3,9 раза судят о дозовой нагрузке 1 Гр, при наличии хрома в плазме и эритроцитах крови и увеличении экскреции его с мочой в 5,0 6,8 раза диагностируют костно-мозговой синдром острой...

Элемент памяти

Номер патента: 1135354

Опубликовано: 27.05.1997

Автор: Гриценко

МПК: G11C 17/00

Метки: памяти, элемент

Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой расположены истоковые и стоковые полупроводниковые области второго типа проводимости, на поверхности полупроводниковой подложки первого типа проводимости расположены последовательно слои первого диэлектрика, плавающего затвора, второго диэлектрика и управляющего затвора соответственно, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия элемента памяти, в нем слой первого диэлектрика выполнен из SixGe(1-x)O2 с переменным по толщине составом, где x 0,23 + 3,7 10-3

Высоковольтный быстродействующий предохранитель

Номер патента: 1436756

Опубликовано: 27.05.1997

Авторы: Бузоверя, Деменюк, Колобянин, Ниточкин

МПК: H01H 85/02

Метки: быстродействующий, высоковольтный, предохранитель

1. Высоковольтный быстродействующий предохранитель, содержащий укрепленный бандажом изоляционный цилиндрический патрон и расположенный внутри него плавкий элемент, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и упрощения конструкции, бандаж выполнен в виде сплошного равнопрочного защитного чехла из высокомолекулярного полимерного материала, не теряющего эластичности при ударном нагружении.2. Предохранитель по п. 1, отличающийся тем, что защитный чехол выполнен из полиэтилена.3. Предохранитель по пп. 1 и 2, отличающийся тем, что защитный чехол выполнен в виде слоя, нанесенного непосредственно на наружную поверхность цилиндрического патрона.

Легкогазовый инжектор топливных макрочастиц для термоядерных установок

Номер патента: 1611139

Опубликовано: 27.05.1997

Автор: Виняр

МПК: G21B 1/00

Метки: инжектор, легкогазовый, макрочастиц, термоядерных, топливных, установок

Легкогазовый инжектор топливных макрочастиц для термоядерных установок, содержащий расположенные в вакуумной камере ствол с соосно установленной охлаждаемой втулкой, гелиевым теплообменником, систему подачи в ствол ускоряющего газа с импульсным клапаном, систему напуска топливного газа, систему синхронизации и систему дифференциальной откачки, отличающийся тем, что, с целью увеличения частоты инжекции, внутри охлаждаемой втулки соосно стволу размещена теплопроводная пористая втулка с образованием теплового контакта с охлаждаемой втулкой, при этом внутренняя цилиндрическая поверхность пористой втулки совпадает с внутренней поверхностью ствола, а ее внешняя поверхность соединена с системой подачи топливного газа.

Направленный ответвитель

Номер патента: 741729

Опубликовано: 27.05.1997

Авторы: Мещанов, Пантеев

МПК: H01P 5/18

Метки: направленный, ответвитель

Направленный ответвитель, содержащий скрещенные отрезки коаксиальной линии передачи с внутренними и внешними проводниками и щель связи, выполненную в общей стенке внешних проводников, совпадающей с криволинейной поверхностью, которая проходит через середину отрезка, соединяющего оси скрещенных отрезков коаксиальной линии передачи, и перпендикулярна ему, отличающийся тем, что, с целью увеличения направленности путем устранения скачков волновых сопротивлений, на внутренних проводниках выполнен срез по винтовой линии, поверхность которого параллельна криволинейной поверхности.

Линия передачи электромагнитных импульсов для z-пинчевых нагрузок

Номер патента: 1558232

Опубликовано: 27.05.1997

Авторы: Бидыло, Васюков, Погорелов, Чернышев

МПК: G21B 1/00

Метки: z-пинчевых, импульсов, линия, нагрузок, передачи, электромагнитных

Линия передачи электромагнитных импульсов для Z-пинчевых нагрузок, содержащая источник тока, полые, коаксиально расположенные, внутренний и внешний электроды с плоскими торцевыми участками, скрепленные герметизирующим изолятором со стороны источника тока, размыкатель тока и средства откачки межэлектродного зазора, отличающаяся тем, что, с целью повышения плотности потока электромагнитной энергии, передаваемой в нагрузку, за счет уменьшения испарения материала токонесущих электродов, линия помещена в герметичный корпус, объем которого составляет 10 100 объемов межэлектродного промежутка, а торцевые участки выполнены перфорированными, причем ширина d отверстий в азимутальном направлении составляет 1,5 6,0 расстояний между электродами и...

Устройство для определения коэффициента теплоотдачи

Номер патента: 1559860

Опубликовано: 27.05.1997

Авторы: Болтенко, Судницын

МПК: G01K 17/20

Метки: коэффициента, теплоотдачи

Устройство для определения коэффициента теплоотдачи, содержащее по крайней мере одну пару имитатор тепловыделения обечайка в виде установленных коаксиально трубчатых электрообогреваемых элементов, разделенных по длине спиральным дистанционатором, отличающееся тем, что, с целью повышения точности путем исключения влияния тепловыделения, сечения обечайки Sо и имитатора Sи выбраны из соотношения Sо / Sи 0,1 0,15, выполнены из одного материала и имеют одинаковую длину.

Термоэлектрическое устройство с регулируемым положением рабочего спая

Номер патента: 1443555

Опубликовано: 27.05.1997

Автор: Болтенко

МПК: G01K 7/02

Метки: положением, рабочего, регулируемым, спая, термоэлектрическое

Термоэлектрическое устройство с регулируемым положением рабочего спая, содержащее трубку из неэлектропроводного материала, заполненную двумя жидкими термоэлектропроводными материалами, отличающееся тем, что, с целью обеспечения стабильности измерительных характеристик за счет исключения диффузионных явлений в области контакта термоэлектродных материалов, между последними введен слой жидкого электропроводного материала, растворимого в жидких термоэлектродных материалах, являющихся насыщенными растворами жидкого электропроводного материала в разнородных металлах при средней температуре измеряемого диапазона.

Способ определения концентрации фаз двухфазных потоков в динамических условиях

Номер патента: 1674625

Опубликовано: 27.05.1997

Авторы: Болтенко, Джусов

МПК: G01N 27/12

Метки: двухфазных, динамических, концентрации, потоков, условиях, фаз

Способ определения концентрации фаз двухфазных потоков в динамических условиях, заключающийся в том, что измеряют время присутствия паровой и жидкой фаз в контролируемом объеме и на интервале усреднения определяют концентрацию по результатам совокупных измерений, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения концентрации, измеряют отношение мгновенных значений времени присутствия паровой и жидкой фаз, дополнительно измеряют температуру фаз потока и определяют первое значение времени усреднения 1 по предварительно полученной градуировочной кривой для заданного режима течения потока, измеряют частоту смеси фаз и определяют второе значение

Способ получения солей 2-имино-4-алкил(арил)тио-5, 5-диалкил 2, 5-дигидрофуранов

Загрузка...

Номер патента: 1623149

Опубликовано: 27.05.1997

Авторы: Малкина, Мощевитина, Скворцов, Трофимов

МПК: C07D 307/66

Метки: 2-имино-4-алкил(арил)тио-5, 5-диалкил, 5-дигидрофуранов, солей

...: С 57,91, Н 6,31, Ч 5,29, Б 12,08, С 1 13,65.СЗН6 МБОС 1.Вычислено, /,: С 57,88, Н 5,94, 1 Ч 5,19, 8 12,52, С 1 13,89.ИК-спектр, см : 1000-1140 (С-О-С), 1530 б-С=СН), 1560 (С 6 Н 5), 1680 (С=Х), 2760-3100 , свидетельствует об образовании соли.Спектр ПМР (о, м д ): 7 60 м (5 Н, С 6 Н 5), 5,56 с (1 Н, =СН), 2,08 м (2 Н, 1 СН 2), 1,73 с (ЗН, 1 СНЗ, 0,89 т (ЗН, 1 СНЗ).Пример 10. Нитрат 2-имино-изопропилтио,6-диметил,5-дигидрофурана ( к) .Смесь из 0,3 г (11,58 ммоль) 3-гидрокси-метил-изопропилтио-бутенокарбонитрила и 0,4 мл (6,32 ммоль) конц. НМОз перемешивают 3 ч при комнатной температуре. Получают 0,28 г (71,) нитрата (к), температура плавления 125-127 С (с разложением) (ацетон-эфир).Найдено, ,. С 44,01, Н 6,63, М 11,28, 8 12,7.С 9 Н 16 Х...

Способ определения расхода жидкости в пристенной пленке

Номер патента: 1777445

Опубликовано: 27.05.1997

Авторы: Болтенко, Мелехин

МПК: G01F 1/68

Метки: жидкости, пленке, пристенной, расхода

Способ определения расхода жидкости в пристенной пленке газожидкостной смеси, включающий многократный отбор различных по величине проб со стенки канала между его подводящей и отводящей частями, разделение каждой пробы на жидкую и газовую составляющие, измерение величины расхода газа в пробе и расхода жидкости и совместную графическую обработку результатов измерений путем определения точки перегиба кривой на графике зависимости расхода жидкости от расхода смеси, по местоположению которой определяют расход жидкости, отличающийся тем, что, с целью повышения точности при невысоких газосодержаниях вблизи границы дисперсно-кольцевого режима течения, дополнительно нагревают участок стенки отводящей части канала, при каждом отборе пробы измеряют...

Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства

Номер патента: 1012704

Опубликовано: 27.05.1997

Авторы: Гриценко, Кольдяев

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой расположены диффузионные области второго типа проводимости, образующие сток и исток, над которыми размещен первый диэлектрический слой, выполненный, например, из окисла кремния толщиной 40 100 над первым диэлектрическим слоем размещен второй диэлектрический слой, выполненный, например, из нитрида кремния толщиной 200 500 и проводящий электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия при стирании информации и надежности элемента, он содержит...

Матричный накопитель для постоянного запоминающего устройства

Номер патента: 1108915

Опубликовано: 27.05.1997

Авторы: Гриценко, Кольдяев, Овчаренко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

1. Матричный накопитель для постоянного запоминающего устройства, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости с углублениями в ней, в приповерхностном слое которой размещены первая группа разрядных диффузионных шин второго типа проводимости и между ними в углублениях полупроводниковой подложки первого типа проводимости диффузионный слой первого типа проводимости, на поверхности полупроводниковой подложки расположен первый диэлектрический слой с отверстиями, в которых на поверхности полупроводниковой подложки расположен второй диэлектрический слой, на поверхности которого расположен третий диэлектрический слой, на поверхности второго диэлектрического слоя размещены поликремниевые электроды, на поверхности первого и...

Теплопередающее устройство

Номер патента: 1734455

Опубликовано: 27.05.1997

Авторы: Болтенко, Яркин

МПК: F28F 13/12

Метки: теплопередающее

Теплопередающее устройство, содержащее коаксиально расположенные трубчатые тепловыделяющие элементы, в зазоре между которыми размещено закручивающее устройство, причем на внутреннем тепловыделяющем элементе выполнены продольные ребра, отличающееся тем, что, с целью повышения энергонапряженности канала путем повышения критических тепловых потоков, на внутренней поверхности наружного тепловыделяющего элемента выполнены продольные выступы.

Двухступенчатый легкогазовый инжектор топливных макрочастиц для термоядерных установок

Номер патента: 1699298

Опубликовано: 27.05.1997

Автор: Виняр

МПК: G21B 1/00

Метки: двухступенчатый, инжектор, легкогазовый, макрочастиц, термоядерных, топливных, установок

Двухступенчатый легкогазовый инжектор топливных макрочастиц для термоядерных установок, содержащий ствол с клапаном и втулкой, расположенной в вакуумной камере и охлаждаемой гелиевым теплообменником, первую ступень, выполненную в виде резервуара с газом, с системой трубопроводов и устройством подачи газа во вторую ступень, вторую ступень, выполненную в виде трубы, во внутреннем канале которой может перемещаться поршень, снабженную трубопроводами вакуумной откачки и напуска газа, систему дифференциальной откачки, отличающийся тем, что, с целью повышения ресурса непрерывной работы инжектора за счет ликвидации технологической паузы для периодического демонтажа второй ступени и замены поршня, часть трубы второй ступени расположена в вакуумной...

Антибиотик “эремомицин” и способ его получения

Номер патента: 1475150

Опубликовано: 27.05.1997

Авторы: Борисова, Бражникова, Гаузе, Гольдберг, Лайко, Преображенская, Прошлякова, Свешникова, Селезнева, Степанова, Толстых, Федорова, Шаповалова

МПК: C12N 1/00

Метки: антибиотик, эремомицин

1. Антибиотик эремомицин имеет элементарный состав, C 54,86; H 6,14; N 9,02, Cl 2,40; эквивалент по хлору 1479 (( )2D0 10,03 (С 1, вода). Максимум поглощения в УФ-спектре в воде при макс 282 нм/вода, E11%см 38,4, максимум поглощения в щелочных растворах при макс 30 нм/0,1 нр NaOH, максимальные частоты поглощения в ИК-спектре (КВr): макс 34000 3200...