Транзисторный ключ — SU 1458970 (original) (raw)
Текст
СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИН аю 01) 7 А(594 Н 03 К 17 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ тора. Цел КПД транэ го т соде вои трс общимсодержи о электропие/Под ред.и связь, 1983 осится к электрон может испольключа и коммутаГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(71) Научно-исследовательский, нроектно-конструкторский и технологичес кий институт электрических машин постоянного тока Прокопьевского завода "Электромашина"(57) Изобретение отнтехнике и автоматикеэоваться в качестве ь изобретения - повьппениеисторного ключа за счет уменьшения времени включения силоворанэистора. Транзисторный ключ.ржит схему 1 управления и силоанзистор 2, включенный по схемеэмиттером. Схема управленият транзистор 9, подключенный эмиттером к базе силового транзистора 2, а коллектором - к шине дополнительного источника питания, конденсатор 6 и инерционный диод 3. Повьппение КПД обусловлено разрядом конденсатора 6 через база-эмиттерный переход силового транзистора 2, уменьшающим время включения силового транзис- а тора 2 и тем самым динамические поте- ф1458970 Формула изобретения Транзисторный ключ, содержащий силовой транзистор, включенный по схеме с общим эмиттерои, конденсатор, подключенный между эмиттером силового транзистора и шиной дополнительного источника питания, инерционный диод, лодключенньй между коллектором силового транзистора и шиной дополнительного источника питания, о т - л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения КПД в него введен дополнительный транзистор, подключенный базой к шине входного сигнала, а промежутком коллектор - эмиттер - между шиной дополнительного источника питания и базой силового транзистора последовательно по постоянному току с база-эмиттерным переходом последнего. Составитель И. ГореловаРедактор А. Лежнина Техред М,Дидык Корректор Л. Пилипенко Заказ 378/58 Тираж 879 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, гУжгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к электротехнике и автоматике, в частности к электронным коммутаторам.Цель изобретения - повышение КПД транзисторного ключа путем уменьшения5 времени включения силового транзистора.На чертеже приведена принципиальная электрическая схема транзисторно О го ключа.Ключ состоит из схемы 1 управления и силового транзистора 2, включенного по схеме с общим эмиттером. Схема 1 управления содержит инерционный диод 3, соединенный катодом с коллектором силового транзистора 2, связанным через нагруэочный резистор 4 с шиной 5 источника питания, конденсатор 6, включенный между эмиттером силового транзистора 2 и шиной 7 дополнительного источника питания с внутренним сопротивлением, представленным резистором 8, и транзистор 9, промежуток коллектор - эмиттер которого подклю чен между шиной 7 дополнительного источника питания и базой силового транзистора 2; Положительнаяшина 7 дополнительного источника электрически развязана от коллектора силового транзистора 2 диодом 3.Отрицательные шины источников питания свя" заны общей шиной 10.Транзисторный ключ работает следующим образом.При открывающем входном сигнале на базе транзистора 9 через него и через переходбаза - эмиттер си-. лового транзистора 2 протекает ток от шины 7 дополнительного источника питания, при этом часть тока от шины 7 дополнительного источника питания ответвляется по цепи. "диод 3 - силовой транзистор 2. Это ответвление части тока обусловливает ограни чение степени насыщения силового, транзистора 2.При исчезновении отпирающего вход-ного сигнала и появлении запирающего потенциала на базе транзистора 9 последний запирается. При этом весь ток от шины 7 дополнительного источника питания замыкается через диод 3 и силовой транзистор 2. Длительность протекания этого тока через диод 3 равна времени рассасывания неосновных носителей заряда в силовом транзисторе 2. Благодаря этому на р-и переходе диода 3 накапливается заряд .(неосновных носителей тока), который при запирании силового транзистора 2 обеспечивает в течение времени восстановления обратного сопротивления диода 3 протекание через него тока, заряжающего конденсатора 6 и поддерживает низкое напряжение на коллекторе силового транзистора 2.Повышение КПД обусловлено также тем, что в момент отпирания транзистора 9 происходит форсирование базового тока силового транзистора 2 благодаря разряду конденсатора 6, уменьшающее время включения силового транзистора 2 и следовательно, динамические потери.
Заявка
3944261, 14.08.1985
НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ПРОЕКТНО-КОНСТРУКТОРСКИЙ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАШИН ПОСТОЯННОГО ТОКА ПРОКОПЬЕВСКОГО ЗАВОДА "ЭЛЕКТРОМАШИНА"
ИНЕШИН АРКАДИЙ ПАВЛОВИЧ, МАКАРОВ ИГОРЬ АРТЕМОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H03K 17/042
Метки: ключ, транзисторный
Опубликовано: 15.02.1989