Способ изготовления рефлектора из углепластика с высоким коэффициентом зеркального отражения — SU 1682717 (original) (raw)

СООЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 1 б 82717 А Р 2 Ч 7/22,С 23 С 14/О 2 В 5/12,В, Роенок водстергия,Е КТО- КОЭФ(ЕНИЯ хнике,ия ре аааЪвввЪ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИПРИ ГКНТ СССР АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(5 б) Холланд Л. Нанесение тонких плвакууме, - М 1963, с. 443 - 445.Ли Х, Невилл К, Справочное руково по эпоксидным смолзм, - М,; Э1973,Авторское свидетельство СССРМ 423983, кл, Р 21 Ч 7/22, 1974.(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕФЛРА ИЗ УГЛЕПЛАСТИКА С ВЫСОКИМФИЦИЕ НТОМ ЗЕРКАЛ Ь НОГО ОТРАМ(57) Изобретение относится к светотев частности к способам изготовлен Изобретение относится к светотехнике, в частности к способам изготовления рефлекторов из углепластика с высоким коэффициентом зеркального отражения, более 90 О в видимой области и более 80; в ультрафиолетовой области, которые предназначаются для использования в световых приборах, в устройствах концентраторов солнечной энергии.Цепью изобретения является повышение качества рефлектора,Углепластик как материал рабочей поверхности корпуса - основы рефлектора, представляющий полимерный волокнистый композит, сочетает низкую плотность с высокими прочностью, жесткостью, статической и динамической выносливостью,флекторов из углепластика с высоким коэффициентом зеркального отражения, Целью изобретения является повышение качества рефлекторов из углепластика. Способ заключается в нанесении на рабочую поверхность рефлектора поочередно грунтовочного, отражающего и защитного слоев, причем грунтовочный слой представляет собой эпоксидное покрытие, нанесенное в два этапа. На первом этапе наносят из расплава эпоксидную композицию с ароматическим аминным отвердителем и производится частичное отверждение. На втором этапе производят опрессовку рабочей поверхности рефлектора с окончательным отверждением композиции в горячей пресс-Форме. Однако углепластик имеет грубую фактуру поверхности, а возможность улучшения фактуры путем увеличения количества связующего в углепластике приводит к снижению его прочностных характеристик. Высокий коэффициент зеркального отражения рефлекторов из углепластика может быть достигнут при параметрах шероховатости рабочей поверхности, корпуса - осно-. вы, покрытой грунтовым слоем не ниже 12 класса.Для получения грунтовочного слоя используется эпоксидное покрытие, нанесение которого состоит из следующей совокупности операций; нанесение из расплава эпоксидной композиции на рабочую поверхность рефлектора; частичное отверЗаказ 3399 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 ждеиие композиции; загрузка подложки спокрытием в пресс-форму или на нагретыйпуансон, профиль которых соответствуетпрофилю рефлектора, для пневмоформования; опрессовка рабочей поверхностирефлектора в пресс-форме(на пуансоне);отверждение композиции в горячейпресс-Форме; извлечение подложки с нанесенным эпоксидным покрытием изпресс-формы.При малых размерах рефлекторов опрессовку ведут в пресс-Форме, а в случаекрупногабаритной конструкции отражателя- на пуансоне, например из ситалла; пиевмоформованием, при этом параметры шероховатости пресс-форм 12-14 класс,При указанном двухэтапном процессеотверждения .эпоксидного покрытия происходят следующие процессы. На первомэтаже - этаже предварительного отверждения - происходит частичное отверждениепри комнатной температуре на 30-35%,смола переходит в застеклованное состояние. Реакция отверждения практически останавливается, и композиция в такомсостоянии может храниться месяцами, образуется технологическая ступенька, Однако композиция не теряет способностиформоваться при повышенной температуре. и давлении. На втором этапе - отверждениепри опрессовке при 120-150 С при формоваиии на прессовом оборудовании частичноотвержденной композиции получается покрытие, соответствующее 12 классу шероховатости поверхности,П р и м е р. На основу - корпус рефлектора из углепластика марки КМУЛ наносят из расплава композицию следующегосостава, мас, ч,:Смола эпоксидная ЭД100Метафенилендиамин 10Кислота стеариновая 0,0На поверхности корпуса композицияотверждается при 15 - 35 С в течение 24 ч,Далее рабочую поверхность подвергают опрессовке в пресс-форме, профиль которой соответствует профилю рефлектора. Режим опрессовки; температура прессформы 120-150 С, рдел ьное давлениепрессования 5 кг/см, время выдержки впресс-форме 10 мин.5 На полученное таким образом грунтовочное покрытие наносят отражающее покрытие (алюминий толщиной 0,1 мкм)термовакуумным способом, На отражающее покрытие наносяг защитное покры 10 тие - полимерную кремнийорганическуюпленку толщиной 0,25 мкм, полученнуюплазмохимическим способом из гексаметилдисилазана.Использование предлагаемого спосо 15 ба нанесения груитовочного покрытия иарефлекторы из углепластика позволяетполучить рефлекторы с коэффициентомзеркального отражения более 90 в видимой области и более 80% в ультрафиолето 20 вой области, что на 10-15% выше, чемкоэффициент зеркального отражения рефлекторов, в которых в качестве грунтовочного покрытия используется лак,наносимый иэ краскораспылителя, и, кро 25 ме того, геометрические размеры отражающей поверхности точно соответствуютрасчетным,Формула изобретенияСпособ изготовления рефлектора из30 углепластика с высоким коэффициентомзеркального отражения, включающий нанесение на рабочую поверхность корпуса-основы поочередного грунтовочиого,отражающего и защитного покрытий, при35 этом грунтовочное покрытие выполняют ввиде лакового слоя, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью повышения качества рефлектора, указанное грунтовочиое покрытие получают путем нанесение на рабочую40 поверхность корпуса-основы расплаваэпоксидной композиции с ароматическимаминным отвердителем и после частичного отверждения указанной эпоксиднойкомпозиции опрессовывают рабочую45 поверхность корпуса-основы и выжидают время, необходимое для окончательного отверждения композиции.

Смотреть

Способ изготовления рефлектора из углепластика с высоким коэффициентом зеркального отражения