Бсесоюзнам inatehtho-texkjisechahlби5 — SU 304701 (original) (raw)
Текст
3047 О 1 ОПИСАН ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЧПК Н 031 с 19,24 явлено 25.11.1970 ( 1408294/18-24 исоединением заявкириоритетпублпковано 25.Ъ.1971, БОггСтсц17 ата опубликования описания 07.П. 971 Комитет по деламобретений и открытири Совете МинистровСССР621.374.335.2(088.8 а БСЯСООЗНДЯ ВИОМ-ПС",-.ГЯф БЦ, г,КД-.-1(ДАвторыизобретения В. И, Старосельс осковский инжен кий и А, Н, Сапельник 3 аявител изический институт ОДАХ ГАННА ЕМА СОВП ИЙ входные диоды подаются запускающие импульсы,Запускающие импульсы возбуждают вовходных диодах домены сильного тока, кото рые образуются вблизи катода и движутся поцаправлешно и аноду. Прц этом ток через диОд изменяется т;и, .а 10 казацо ца фи. 2.При одновременном поступлении запускающих импульсов ца оба входа уменьшение тока 0 входных диодов во время прохождения доменов мпО у 12 стка с дпэлектрп 1 сским покр 1- тпем вызывает увеличение тока в выходном диоде, достаточное для возбуждешя в цсм домена. Прп прохождении домена мимо дп электрического покрытия форма тока соответствует участку аб па кривой Б. По чертелоло;опрсде. ее жу видно, что отношение елчину области работ 0 быть значительно увелвремя цредлагасмоп схс. лизитсльцо равно реме мсца мимо учстк с дцэ тцем и может быть свсдс пякнц 1,оспсобностц, можетРазрешающее впадешш прцброхождсци 51 дорп 1 сск 1 к покр 1- млой величине,че ы со цц и ЛЕ 1 ГЛ цо к Схема совпадешшжащая соединенные 30 женные на общий р а диодах Ганца, содерараллельцо и пагрупстор один выходной и Устройство предназначено для использования в быстродействующей цифровой вычислительной технике.Схемы совпадений ца диодах Ганна, содержащие соединенные параллельно и цагру;кенцые на общий резистор один выходной и два или более входцых диодов, известны.К недостаткам известных схем совпадений относится малая величина области работоспособности, жесткие требования к допускам ца параметры диодов и малое быстродействие.Предложенная схема совпадений отличается от известных тем, что часть поверхности входных диодов покрыта диэлектриком с высокой диэлектрической проницаемостью, например ВаТ 10 з.Это увеличивает область работоспособности и быстродействия схемы и позволяет ослабить требования к допускам на параметры диодов.На фиг. 1 приведена схема совпадений ца диодах Ганна; ца фиг. 2 показана форма тока в обычном диоде Ганна (А) и в диоде с участком диэлектрического покрытия (Б).Схема совпадений состоит из трех или более одинаковых диодов Ганна, из которых один является выходным 1, а остальные 2 и 3 - входными. Входные диоды имеют участки с диэлектрическим покрытием 4 и 5, например ВаТ 0 з, Диоды соединены параллельно и нагружены ца общий резистор 6. На Предмет изобретен,диктор Б, С. Нанкина Тскрсд Л. Л. Евдонов Корректор Л. Б. Бадынама Заказ 1831 8 Изд. М 752 Тнр 1 к 4 т 3 Г 1 одпнсносЦГ 1 ИИПИ Комптста по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССГМосква, Ж, Раушская наб., д, 4,5 Типография, пр. Сапунова,два или более воднык диодов, отлиитоипяся тем, что, с целью увеличения области работоспособности, ослабления требований к допускам на параметры диодов и повышения быстродействия,диодов покрыта.-.лектрической13 а Т 10 . часть поверхности вкодпык диэлектриком с высокой дипроницаемостью, например
Заявка
1408294
В. И. Старосельский, А. Н. Сапельников Московский инженерно физический институт
МПК / Метки
МПК: H03K 19/21
Метки: inatehtho-texkjisechahlби5, бсесоюзнам
Опубликовано: 01.01.1971