Rc-структура с неоднородными распределенными параметрами — SU 361474 (original) (raw)
Текст
ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ С 01 сэ Советскик Сттцкалистическик Республик/0013/00 омитет то дела риорит вобретеннй и прн Совете М(.тн йнстоос ДК 621,319.4(088.8) Опубликовано 07,Х 1.1972, Бюллетеньза 1973 Дата опубликования описания 06.1.1973 вторызобретен В. Д. Дмитриев и А. И. Меркулов йбышевский политехнический институт им. В. В. Куйбышева явите КС-СТРУКТУРА С НЕОДНОРОДНЫМ РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМ ся к области радиотехользовао в КС-генерай частоты, частотно-израх и т. д, в микроэлеко 289450 известна ми параметрами. ктеристик известочно высокая, так ры неоднородным о распределенная крутизны частотных хаивпый слой КС-структуая резистивцая пленка, лцительпое распределепипа которой равна длиленки, расположенцоц едмет изобретения распределен, отлаличения круик, ца резисепа укорочен- образует допротивление и лектрической Изобретение относит ники и может быть исп торах, фильтрах низко бирательных КС-фильт тронном исполнении. По основпому авт. св, М КС-структура с неоднородны Крутизна частотных хара ной КС-структуры цедостат как вдоль длины ГсС-структ параметром является тольк емкость. С целью увеличения рактеристик, па резист ры нанесена укорочепн которая образует допо цое сопротивление и дл пе диэлектрической п цад цей. На чертеже изображена схема КС-структуКС-структура содержит резистивный слой 1, диэлектрические пленки 2, 3, проводящие пленки-обкладки 4 и 5 и дополнительную резистивную пленку б, расположенную между слоем 1 и диэлектрической пленкой 3.Дополнительная укороченная резистивная пленка 6 уменьшает удельное сопротивление слоя 1 на участке перекрытия, что приводит к образованию по длине неоднородности резистора КС-структуры, причем чем больше неоднородность, тем выше крутизна частотных характеристик КС-структуры,5 Крутизна частотных характеристик предлагаемой КС-структуры зависит от длины слоя 1, ленок 2, 4 и пленок 3, 5, 6, от соотношения удельных емкостей, образуемых слоем 1 и пленкой 2 и плецками 5, б, и от соотношения 10 относительных удельных сопротивлений резистивпой пленки в зоне и вне зоны перекрытия.Напыление дополнительной резистивнойпленки б (толщицой це более единиц микрон) значительно улучшает крутизну частотных ха;15 рактеристик КС-структуры при тех же габаритах. КС-структура с неоднородными ными параметрами по авт, св.чаюп 1 аяся тем, что, с целью уве тизцы ее частотных характерист тцвпый слой КС- структуры нанес пая резистивцая пленка, которая полнительное распределенное со длина которой равна длине дпэ пленки, расположенной цад ней,361474дыхад ВхаСоставитель М, Порфирова Редактор В. Фельдман Техред Л. Евдонов Корректоры Е, Талалаева и 3, Тарасова Заказ 939 Изд Ъоо 9 Тираж 404 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, К, Раушская наб., д. 4/5Типография М 24 Союзполиграфпрома, Москва, Г, ул, Маркса - Энгельса, 14
Заявка
1669062
Куйбышевский политехнический институтВ. В. Куйбышева
В. Д. Дмитриев, А. И. Меркулов
МПК / Метки
МПК: H01C 7/18, H01G 4/40, H01L 49/02
Метки: rc-структура, неоднородными, параметрами, распределенными
Опубликовано: 01.01.1973