Пиковый детектор — SU 444300 (original) (raw)
О П И С А Н И Е (11) 444300ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(32) ПриоритетОпубликовано 25,09.74, Бюллетень М 35Дата опубликования описания 03.04.75 Государственный комите авета Министров СССР 1) УД72) Автор изобретения В. Тихоми биологической физики АН СССР Инст 71) Заявител 1 Й ДЕТЕКТ 54 сторы 1 опптельок котом иттерузистора, постояно тра очник Изобретение относится к амплитудным детекторам и может быть, использовано в устройствах восстановления огибающей импульсных последовательностей,Известен пиковый детектор, содержащий два транзистора одного типа проводимости, базы которых подсоединены к источнику входного сигнала, накопительный конденсатор и источник постоянного напряжения.Однако такой детектор характеризуется:невысокой точностью детектирования, особенно коротких импульсов, из-за шунтирования зарядного транзистора входным переходом разрядного.Цель изобретения - повышение точности детскти рования.Это достигается тем, что к коллектору первого транзистора подключена база транзистора с противоположным типом проводимости, коллектор которого соединен с эмиттером второго транзистора, а эмиттер - с источником постоянного нап 1 ряжения.Изобретение поясняется принципиальной схемой.Пиковый детектор содержит транзи и 2 одного типа проводимости, нак ный конденсатор 3, одна из обклад рого подключена одновременно к э первого и коллектору второг н а вторая - к общей шине, пст,ного напряжения Е, соединенный через резистор 4 с коллектором первого транзистора, дополнительный резистор 5 и дополнительный транзистор 6 противоположного транзи сторам 1 и 2 типа проводимости. Базы транзисторов 1 и 2 подсоединены и источнику входного сигнала, эмпттер транзистора 2 через дополнительный резистор 5 подключен к общей шпнс. К коллектору транзистора 1 10 подключена база транзистора 6 с противоположным типом проводимости, коллектор которого соединен с эмпттером второго транзистора, а эмнттер - с источником;юстоянного напрюкенпя Е.15 Прп воздействии на вход детектора импульса, амплитуда которого превышает напряжение на накопительном конденсаторе, то есть при выполнении условия Е/;) У; ь где У; - амплитуда г-го импульса, СУ; 1 - амплитуда (т - 1) импульса, открывается т 1 ранзистор 1 (зарядный) и начинается процесс заряда накопительного конденсатора 3 до напряжения Е. При этом транзистор 6 открывается и потенциал эмиттера транзистора 2 (разрядного) поднимается до напряжения, близкого Е, и таким образом, при выполнении вышеуказанного условия для любой амплитуды приходящего импульса входной переход транзистора 2 оказывается закрытым,444300 Г оставитель Г. Челе ехред Т. Миронова едактор А. Мороз орректор М. Шнпко Тираж 81 Совета Мини открытий наб., д. 4/5Изд.400ударственвого комитетпо делам изобретенийМосква, Ж, Раушска аказ 39/3ЦНИИПИ Г дписно в СССР ография, пр. Сапунова,Когда очередной импульс из детектируемой последовательности оказывается меньше по амплитуде, чем ему предшествующий, то ,первый транзистор закрывается, при этом транзистор 6 будет закрыт, а т 1 ранзистор 2 открыт для разряда накопительного конденсатора 3 до напряжения амплитуды импульса,Итак, включая дополнительный транзистор б можно исключить паразитное шунтирование цепи зарядного транзистора входным переходом разрядного и повысить коэффициент использования вольт-секундной площади детектируемых импульсов. Предмет изобретен ияПиковый детектор, содержащий два транзистора одного типа проводимости, базы которых подсоединены к источнику входного сигнала, накопительный конденсатор, одна из обкладок которого подключена одновременно к эмиттеру первого и коллектору второ го транзистора, а втораякобщей шине, и источник постоянного напряжения, соединенный через резистор с коллектором первого транзистора, при этом эмиттер,второго транзистора через дополнительный резистор под ключен к общей шине, отличающийсятем, что, с целью повышения точности детектирования, к коллектору первого транзистора подключена база транзистора с противо 1 положным типом проводимости, коллектор 15 которого соединен с эмиттером второготранзистора, а эмиттер с источником постоянного напряжения.