Устройство для определения положения границы фаз при выращивании кристаллов вертикальной направленной кристаллизацией расплава — SU 485761 (original) (raw)
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬОВУ11) 48576 Союз Соеетских Социалистических Республик(23) Приорите нением заявкисудгрстеенный комитет Совета Министров ССоо делам изабретении открытий УД 669,046-172) Заявитель ольскии химическии комбин 4) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛОЖЕНИЯРАНИЦЪ фАЗ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ КРИСТАЛЛОВВЕРТИКАЛЬНОЙ НАПРАВЛЕННОЙКРИСТАЛЛИЗАЦИЕЙ РАСПЛАВА 2 встроен карм вижно введен Рещество 5 с лопроводност 5 туре плавлен лизуемого вещ В процессе измеряют ур при помощи О рый практич дой фазы в а сталлизацип15 Устроиство для границы фаз прп вертикальной напра расплава с подвил длине ампулы щу тем, что, с целью о определения в герм щуп помещен во вст ампулы карман, зап ществом, температу лопроводность кото пературе крнсталлпз кристаллизуемого ве определения положения выращивании кристаллов вленной кристаллизацией сно установленным по пом, отличающееся беспечения возможности етично закрытой ампуле, роенный параллельно оси олненный модельным вера кристаллизации и тепрого соответствуют темации и теплопроводности щества.(22) Заявлено 04.01.74 (21) 1982949/23-26 ата опубликования описания 24.12.75 Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано при исследовании процесса направленной кристаллизации для подбора оптитальных параметров режима,В известном устройстве, позволяющем определить положение границы фаз при помощи подвижно установленного по длине ампулы щупа, герметизация внутреннего объема ампулы при необходимости создания высоких давлений и температур затруднительна.,Целью изобретения является обеспечение ВОЗможности определения положения границы фаз в герметичной ампуле с контролируемой газовой средой.Предложенное устройство отличается тем, что щуп помещен во встроенный параллельно оси ампулы карман, заполненный модельным веществом, температура кристаллизации которого и теплопроводность соответствуют температуре кристаллизации и теплопроводности кристаллизуемого вещества.На чертеже изображено предложенное устройство в разрезе.Устройство включает герметиампулу 1, в которую помещено кмое вещество 2. Параллельно ан 3, в полость которого подщуп 4 и помещено модельное температурой плавления и тепью, соответствующими темперапя и теплопроводности кристалества.кристаллизации периодически овень твердой фазы в кармане щупа и по этому уровню, котоески совпадает с уровнем твермпуле, определяют скорость кривещества в ампуле.едмет изобретения485761 Составитель Т. Фирсоваедактор Г, Яковлева Техред Т, Курилко Корректор Л. Котова ПодписССР ипография, пр. Сапунова, 2 Заказ 3172/7ЦНИИ Изд.1828Государственного комите по делам изобретени Москва, Ж, Раушск Тираж 782а Совета Министрои открытийя наб., д. 4/5
Заявка
1982949, 04.01.1974
УСОЛЬСКИЙ ХИМИЧЕСКИЙ КОМБИНАТ
КАРПОВ ЮРИЙ МИХАЙЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: B01J 17/06
Метки: вертикальной, выращивании, границы, кристаллизацией, кристаллов, направленной, положения, расплава, фаз
Опубликовано: 30.09.1975