Квазистатическая ячейка памяти — SU 631988 (original) (raw)
(61) Дополнительное к авт, свид-ву 631988 Своз СоеетоеаСюцналистияесееРеспублик ВОТЬ Ю", ЖИРОВ(22) Заявлено 17.05,76 (21) 2363319/18-24 рисоедииением заявки23) Приоритет43) Опубликовано 05,11,78.Бюллетень 4 Гесуиретееевй ветут Совета Ик еЧае ЕСО в делам азобретеей я вткрипеД,К 681,327,66 (088. 8) Дата опубликования описания 05.11,7 2) Авторы изобрет(54) КВАЗИСТАТИЧЕСКАЯ ЯЧЕЙКА ПАМ лител ние относитс и частности Указа йка со Иэобрете ой технике щим устрой Извести памяти, вы исторах ольаую пл низкое быстк запомнн ства м.ква зистатичолненная на т1, Эта ячейощадь на подлрод ействне,еская ячейкарех МДП-трака занимает ожке н имеет ок о стока ток - с затвор ципяальстатич транз ыб орки,15 роНаиболее близким техническим решвием к предложенному является квазиеская ячейка памяти, содержащаяисторы записи и считывания, стокикоторых подключены к первой шине выборки, затворы - ко второй шине вИсток транзистора записи подключензатвору информационного транзистора,исток которого соединен с шиной цитания, а сток - с истоком транзисторасчитывания 121 .Эта ячейкатакже имеет ниэкоебыстродействие иэ-за необходимости периодической регенерации информации,Цель изобретения - повышение быстдействия ячейки памяти,иная цель достигается тем, ч деожит транзистор регенерану импульсного питания, прич нзнстора регенерация соеднне м информационного транзистора истоком транзистора записи, - с шиной импульсного питан Нв чертеже представлена принная схема ячейкя памятя.Ячейка содержит транзистор записи 1транзистор считывания 2, шины выборки3, 4, информационный транзистор 5,транзистор регенерации 6, шину питания7, шину 8 импульсного питания,Транзистор регенерации 6 имеет двауровня порогового напряжения вдаль линии канала. Более высокое значение порогового напряжения, чем у остальныхтранзисторов, имеет также транзисторзаписи 1,Часть ячейки памяти, включающаяв себя информационный транзистор 5 итранэястор регенерации 6, прн наличиипитающих напряжений, приложенных кшинам 7, 8, обеспечивает поддержание63193двух устойчивых состояний Потенциапа затвора информациоиного транзистора 5 или, что то же самое 4 вторегенерацию, записанной информации.Устройство работает следующим об- и разом, Запись информации в ячейку осуществляется путем подачи соответствую ших сигналов на шины выборки 3 и 4, При этом заряжается емкость мтвора. информационного транзистора 5 пример- р но ао напряжения на шине выборки 4, т,е. мписьвается логический нуль и еаиница,Считывание информации производится на шину выборки 4 при подаче на шину выборки 3 сигнала с амплитудой, мень аей амплитуды порогового напряжения транзистора записи 1, Если в ячейке записана логическая единица, то информационный транзистор 5 открыл и происходит зарядка шины выборки 4, в случае 39 логического нуля - на выходе сохраняется нулевой потенциал, В силу того что считывание произвоцится не непосредственно с запоминающей емкости затвора ии формационного транзистора 5, а косвенно, 3 записанная информация при этом не разрушается.Описанная ячейка памяти является ячейкой квазистатического типа, обладающей способностью хранения и перезаписи Зф двух устойчивых состояний и неразрушаюшего считывания информации, Прибольшем быстроаействии, чем у известныхячеек, в ней сохраняется минимальноечисло щин выборки, что позволяет строитьна ее основе матрицы ОЗУ большойинформационной емкости. Формула и з о б р е т е н иКваэистажческая ячейка памяти, содержащая транзисторы записи и считывания, стоки которых подключены к первойшине выборки, затворы - ко второй шиневыборки, исток транзистора записи подключен к затвору информационного транзистора, исток которого соединен с шинойпитания, а сток - с истоком транзисторасчитывания, о т л и ч а ю щ а,я с ятем, что, с целью повышения быстродействия ячейки, она содержит транзисторрегенерации и шиву импульного питания,причем исток транзистора регенерациисоединен со стоком информационноготранзистора, сток - с истоком транзистора записи, а затвор - с шиной импульсного питанияИсточники информация, принятье вовниманю при акспертизе:1, Авторское свидетельство СССРИ 395900, кл, 9, 1 1 С 1 1/40 08,01,74,2, Патент США3. 706.079,кл. 340-173 К, 12.12.72,