Способ высокочастотного нагрева проводящих тел, полупроводников и диэлектриков — SU 85196 (original) (raw)
Текст
.сг, ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ АВТОРСКОМУ СВИДЬТЕЛЬСВ. П. Вологдин и А. А, Фогель ПОСОБ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО НАГРЕВА ПРОВОДЯЩИХ ТЕЛПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ Заявлено 1 О февраля 1948 г, за374094 с присоединением заявки374100в Комитет по изобретениям и открытиям при Совете Министров СССРСпособы высокочастотного нагрева электрических проводников, полупроводников и диэлектриков известны.При нагреве токами высокой частоты в магнитном поле невозможно нагревать изделия на значительном расстоянии от индуктора, так как напряженность магнитного поля унсе на очень небольшом расстоянии от индуктора составляет ничтожную долю напряженности поля вблизи индуктора, Вследствие этого возника 1 от больпие неудобства и затруднения при нагреве тел сложной конфигурации.При нагреве токами высокой частоты в электрическом поле весьма затруднительно сосредоточить нагрев в нужных частях диэлектрика, особенно в том случае, если для помещения электрода доступна только одна сторона на 1 реваемого предмета,С целью устранения указанных неудобств и затруднений прп осуществлении высокочастотного нагрева проводников, полупроводников и диэлектриков, предлагают использовать, для переноса энергии В нагреваемые предметы, электромагнитное излучение от соответству 1 ощего высокочастотного генератора.Длину волны выбирают одного порядка с поперечными размерам",1 нагреваемой поверхности,Направление передающего энерггпо луча и сосредоточение его в зоне нагрева достигают при помощи установки зеркал, линз и других средстВ, применяемых В радиолокационных устаноВках. Так как сОВременные генераторы высокой частоты, например магнетроны, не обладают достаточными мощностями для нагрева с помощью электромагнитного излучения, то на нагреваемую поверхность одновременно направ. ляют лучи от нескольких генераторов высокой частоты,Для повышения к. п, д. электромагнитного излучения при нагреве полупроводников и диэлектриков и уменьшения потери энергии, вследствие более глубокого проникновения ее, чем предусмотрено технолоЛо 85196- 2 -гическим процессом для термообработки нагреваемой поверхности, применяют следующие средства:а) установка за нагреваемым изделием металлических или иных проводящих отражателеи;б) пропптка нагреваемой 30 ны изделия веществами, уменьша 10- щими глубину проникновения электромагнитной энергии до величины одного порядка с толщиной нагреваемой зоны;в) в случае нагрева при сушке склеенных предметов, введение в клей веществ, уменьшающих глубину проникновения электромагнитной энергии до величины, одного порядка с толщиной нагреваемой зоны, или нанесение металлической краски на оборотную сторону склеенного изделия,Для повышения к. п,д, электромагнитного излучения при нагреве металлических изделий на нх поверхность наносят покрытия в виде полупроводников со стороны нагрева и толщину этого покрытия подбирают одного порядка с глубиной проникновения электромагнитной энергии. В этом случае нагрев изделия будет происходить главным образом за счет тепла, выделяемого в покрытии вследствие поглощения последним излучаемой электромагнитной энергии. Пред м ет из о бр етен ия Редактор С. А. Барсуков. Техред А. А, Кудрявицкая, Корректор Г. Е, Кудрявцева Поди. к печ. 27/111 - 61 гЗак. 798/24,Объем О,7 уел. и, л. Цена 3 коп.Формат бум. 70 Х 108/1 в Тирак 220 ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, М. Черкасский пер д. 2/6Типография, пр. Сапунова, 2. 1. Способ высокочастотного нагрева проводящих тел, полупроводников и диэлектриков при помощи электромагнитного излучения, отл и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения использования электромагнитного излучения, при нагреве полупроводников и диэлектриков помещают металлические или иные проводящие отражатели позади нагреваемого изделия, т. е. со стороны, противоположной источнику нагрева, а В случае нагрева металлических изделий на их поверхности наносят покрытия в виде полупроводников со стороны источника нагрева.2. Видоизменение способа по п. 1, отличающееся тем, что, с целью увеличения поглощения электромагнитной энергии в покрытии, толщина последнего подбирается одного порядка с глубиной проникновения электромагнитной энергии.3. Видоизменение способа по п. 1, отл и ч а ю щеес я тем; что, с целью увеличе 1 гия использования электромагнитной энергии в нагреваемой зоне при нагреве полупроводников и диэлектриков, нагреваемая зона пропитывается веществами, уменьшающими глубину проникновения электромагнитной энергии до величины одного порядка с толщиной нагреваемой зоны.4. Видоизменение способа по и, 3, отл и ч а ющеес я тем, что в случае склейки дреВесины Вводят В клей вещества, уменьша 10 щие Глубину проникновения электромагнитной энергии до величины одного порядка с толщиной нагреваемой зоны.5. Применение при осуществлении способа по п. 1, например в случае склейки древесины, металлической краски, наносимой на оборотную сторону склеивасмого изделия.
Заявка
374094, 10.02.1948
Вологдин В. П, Фогель А. А
МПК / Метки
Метки: высокочастотного, диэлектриков, нагрева, полупроводников, проводящих, тел
Опубликовано: 01.01.1950
Код ссылки
Способ высокочастотного нагрева проводящих тел, полупроводников и диэлектриков