Устройство для моделирования полупроводникового элемента — SU 881898 (original) (raw)
Текст
Союз Советских Социалистических Республик(22) Заявлено 110779 (21) 2795382/18-25 (51) М Л Н 0129/00С 06 6 7/62 с присоединением заявки Нов(23) Приоритет -Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЭЛЕМЕНТАИзобретение относится к .радиоэлектронике и может быть использовано дляанализа радиоэлектронных устройств вусловиях воздействия различного рода облучения: длительного нейтронногос излучения,излучения, протонного.По основному авт,св. Р 732917наиболее близким по технической сущности является устройство для моделирования полупроводникового элемента,10состоящее из операционного усилителя с переменным резистором в цепиобратной связи, выход которопо подключен к входу источника тока, управляемого напряжением, содержащего 15в качестве нагрузки выходной транзистор, коллектор которого соединен синвертирующим входом операционногоусилителя посредством диода 1 .Недостаток известного устройства 20заключается в том, что оно не позволяет работать с импульсными сигналами, для которых критичными являются времена Фронтов,Цель изобретения - улучшениечастотных и переключательных свойств.Поставленная цель достигается тем,что в устройстве для моделированияполупроводникового элемента, состоящем из операционного усилителя с 30 переменным резистором в цепи обратной связи, выход которого подключен ко входу источника тока, управляемого напряжением, содержащего в качестве нагрузки выходной транзистор, коллектор которого соединен с инвертирующим входом операционного усилителя посредством диода,интертирующий и неинвертирующий входы операционного усилителя соединены через емкость.На чертеже представлено устройство для моделирования полупроводниковбго элемента.Устройство для моделирования полупроводникового элемента состоит из операционного усилителя (Оу) 1, в цепь обратной связи которого включено переменное сопротивление 2, источника тока 3, управляемого напряжением, состоящего, например, из операционного усилителя 4 и резисторов 5 - 8, содержащего в качестве нагрузки выхоДной транзистор 9, диода 10, включенного между коллектэром выходного транзистора 9 и инвертирующим входом. Между базой устройства и базой выходного транзистора 9 включена емкость 11. За базу устройства принимается инвертирующий881898 Формула изобретения Составитель В,Юдинаедактор Л. Тюрина Техред С.Мигунова Корректор М.Шарош аказ 9988/81ВНИИПИ Гопо дел113035, М 787венного комибретений и оЖ, Раушск Подписно ета СССР Тир дар м и ква ыти я, наб., д лиал ППП "Патент", г.ужгород, ул. Проектна вход, за эмиттер и коллектор - соответствующие выводы выходного транзистора 9,В базу устройства, являющуюся инвертирующим входом ОУ 1, задаетсявходной ток, проходящий через переменный резистор 2 и вызывающий навыходе напряжение пропорциональноевходному току. С помощью источникатока 3, управляемого напряжения,в базу выходного транзистора 9 поступает ток, пропорциональный входному току устройства. В сответствнис входной характеристикой транзистора 9 на его базе появляется напряжение О, которое, передаваясь нанеинвертирующий вход, вызывает наинвертирующем входе, являющемся базой устройства, такое же напряжение О ,Диод 10 обеспечивает влияниеколлектора транзистора на входную характеристику устройства в схеме собщей базой. Таким образом, при из -менении сопротивления 2 изменяетсякоэффициент пропорциональности между входным током устройства и токомбазы выходного транзистора 9, аследовательно, и выходным токомтранзистора, происходит изменениекоэффициента передачи тока устройства для модели транзистора. При этомвходные и выходные характеристикиустройства остаются такими же, какв случае реального транзистора сполученным значениемУстройство для моделирования полупроводникового элемента, выполненное по данной структуре, позволяетподавать к входным клеммам моделиэмиттер - база непосредственно входное сопротивление моделируемоготранзистора. При изменении значениясопротивления резистора 2 уменьшается коэффициент передачи по току Ктранзистора и одновременно изменяется сопротивление эммитер - база устройства модели. Происходящие изменения отражают истинный характеризменений параметров транзисторапод действием нейтронного потока.Включение емкости позволяет получить улучшенные частотные и переключательные характеристики устрой ства для моделирования полупроводникового элемента, следовательно,позволяет работать с импульснымисигналами, для которых критичнымй яв-ляются времена фронтов.2 О Устройство для моделирования полупроводникового элемента по авт.св. Р 732917 о т л и ч а ю щ е е -с я тем, что, с целью улучшениячастотных и переключательных свойств,инвертирующий и неинвертирующий входы операционного усилителя соединенычерез емкость.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРР 732917, кл. 6 06 О 7/62, 1977.
Заявка
2795382, 11.07.1979
МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ, ЭЛЕКТРОНИКИ И АВТОМАТИКИ
ВАЛИТОВ МАРАТ САДЫКОВИЧ, ВОЛКОВ БОРИС АЛЕКСЕЕВИЧ, ЗЕЛЬЦЕР ИГОРЬ АБРАМОВИЧ, ОСИНЦЕВ ОЛЕГ НИКОЛАЕВИЧ, ПЕСТРЯКОВА ИРИНА ИВАНОВНА, СВЕТЦОВ НИКОЛАЙ СТЕПАНОВИЧ, СЫРОМЯТНИКОВ АЛЬБЕРТ НИКОЛАЕВИЧ, УМАНСКИЙ МИХАИЛ СЕМЕНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01L 29/00
Метки: моделирования, полупроводникового, элемента
Опубликовано: 15.11.1981