Способ определения характеристик роста кристаллов в растворе — SU 1290092 (original) (raw)

Текст

1290092 логического цикла. Изобретение относится к оптиконнтерференционным средствам измерений и может быть использовано в технологии выращивания кристаллов в растворах. 5Целью изобретения является одновременное определение нормальнойскорости роста грани кристалла В,наклона Р и тангенциальной скоростивицинальных холмов Ч, а также рельефа поверхности.На чертеже представлена схемаустройства, реализующего предлагаемый способ.Устройство содержит источник 1света (лазер), телескопическое устройство 2, делительный кубик 3,фильтр 4, опорное зеркало 5, кристалл.б, проточную кювету 7, объектив8, фотоаппарат 9, телекамеру 10, телефизор 11, фотоприемник 12, усилитель 13, самописец 14 и микроскоп 15.1Луч света гелий-неонового лазера,например, типа ЛГ 52-1 расширают телескопическим устройством 2 и разделяют делительным кубиком 3 на двапучка, первый из которых предметный) отражается от грани кристалла6, растущего в кювете 7, через кото- ЗОрую прокачивают термастатироваиныйпересыщенный раствор, и вновь попадает на отражающую поверхность делительного кубика и далее в объектив 8, формирующий иэображение гранив плоскости фотопленки (находящейсяв фотоаппарате 9) и входного окнателекамеры 10. Второй пучок проходит через нейтральный светофильтр 4,необходимый для выравнивания его 40интенсивности с,интенсивностью предметного пучка, и, отразившись отопорного зеркала 5, попадает в делительный кубик 3 и далее распространяется вместе с предметным пучком,интерферируя с ним. В результатена изображение кристалла накладываются интерференционные полосы, которые интерпретируют как горизонтали на топографической карте поверхности кристалла, разность высот между которыми равна дЬ 1, При помощи микроскопа 15 измеряют линейные размеры кристалла и вычисляют масштаб егоиэображения. Фотоприемник 12(например, фотосопротивление СФ) устанавливают на экран телевизора 11 вточке с наименьшим порядком изображения интерференционной картины. 2Сигнал с фотоприемника усиливают усилителем 13,и регистрируют самописцем 14. Сначала по сигналу с фотоприемника регистрируют период Т изменения порядка освещенности во времени и определяют нормальную скорость роста грани кристалла В из о м лы: фруВгде 9 - длина в олны св ета;- показатель преломления раствора.Затем перемещают фотоприемник с областью постоянной освещенности пер пендикулярно интерференционным полосам и регистрируют скорость Ч движения полосы, а по измерениям расстояния между полосами Й определяют наклон вицинальных холмов Р иэ формулы:Р2 пй Предлагаемый способ позволяет одновременно измерять характеристики роста кристалла твид рельефа грани, Р, Ч, В), с его помощью можно совершенствовать технологию выращивания кристаллов, что приведет к повышению их качества и ускорению техноФормула изобретения Способ определения характеристик роста кристаллов в растворе, основанный на освещении участка кристалла монохроматическим светом, формировании интерференционной картины при отражении световых пучков от верхней и нижней граней кристалла, регистрации интерференционной картины фотоприемником, о т л и ч а ю - щ и й с я тем, что, с целью одновременного определения нормальной скорости роста грани В, наклона Р и тенгенциальной скорости роста вицинальных холмов Ч, формируют дополнительную интерференционную картину, полученную при отражении световых пучков от верхней грани кристалта, помещенного в измерительное плечо интерферометра Майкельсона и от зеркала опорного плеча интерферометра, совмещают дополнительную .интерференционную картину с изображением верхней грани кристалла, устанавливают фотоприемник в точку дополнительной интерференционной картины с наименьшим порядком интерференции,ставитель А. Медведехред Л.Олейник Корректор М. Шароши актор А. Лежнин каз 7888/35 Тираж 799 ВНИИПИ Государственн по делам изобретен 13035, Москва, ЖПодписн о комитета СССР и открытий Раушская наб., д Производственно-полиграфическое предприятие ул. Проектная,Ужг 3 1 регистрируют в дополнительной интерференционной картине период Т изменения освещенности во времени, затем перемещают фотоприемник с. об ластью постоянной освещенности перпендикулярно интерференционным полосам основной интерференционной картины, регистрируют скорость Ч движе 290092 4ния этой области, измеряют расстояние Й между соседними полосами основной картины, а характеристики ростакристалла определяют по формулам: 5 Н =/2 пТ, Р = З/2 пгде Я. - длина волны света;- показатель преломления раствора.

Смотреть

Заявка

3864477, 19.12.1984

МГУИМ. ЛОМОНОСОВА

РАШКОВИЧ ЛЕОНИД НИКОЛАЕВИЧ, МКРТЧЯН АЛЕКСАНДР АРМЕНАКОВИЧ, ШУСТИН ОЛЕГ АРКАДЬЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: G01J 9/02

Метки: кристаллов, растворе, роста, характеристик

Опубликовано: 15.02.1987

Код ссылки

Способ определения характеристик роста кристаллов в растворе