Фотоэлектрический спектрометр микрочастиц — SU 1395994 (original) (raw)
(51)4 С 01 И 15 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(5 ол рол быт ты н иост разм онцентрацию частиц. 1 ил ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ(56) Беляев С.П. и др, Оптико-электронные методы излучения аэрозолей. М.: Энергоиздат, 1981, с. 70.Беляев С.П, и др, Оптико-электронные методы излучения аэрозолей. М.: Энергоиздат, 1981, с. 213. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СПЕКТРОМЕТР ОЧАСТИЦИзобретение относится к конт- но-измерительной технике, в части к устройствам оптического конт- параметров микрочастиц, и может использовано для контроля чисто- азов и жидкостей. Цель " повыше- точности измерений и чувствительи путем снижения нижнего предела еров регистрируемых частиц. Частицы, переносимые потоком газа и жидкости, освещают пучком света полосковой формы, генерируемым непрерывным полупроводниковым лазером. В качестве формирующей линзы используется микросфера из халькогенидного стекла со специально подобранными параметрами, Рассеянный частицами свет регистрируется двумя фотодиодами, расположенными симметрично относительно оптической оси лазера, выходы которых соединены между собой, а также через малошумящий усилитель с блоком регистрации, За счет использования острой фокусировки зондирующего луча, а также максимального использования телесного угла приема света достигается повышение чувствительности устройства, полосковая геометрия луча с однородной засветкой позволяет повысить точность измерений. Уменьшение счетного объема до-110 мм позволяет также существенно, увеличить максимальную измеряемую1395994 Изобретение относится к контроль- нО-измерительной технике, в частности к устройствам оптического контроля микрочастиц, и может быть использовано для контроля чистоты газов и жидкостей,Цель изобретения - повышение точности измерений и чувствительности за счет снижения нижнего предела раэ меров регистрируемых частиц. На чертеже изображена блок-схемаФОтоэлектрического спектрометра мкрочастиц,15Фотоэлектрический спектрометр микрочастиц содержит непрерывный пОлупроводниковый лазер 1, микросфер 2 из халькогенидного стекла, перв й 3 и второй 4 Фотодиоды, узел 5 20 а пирации, усилитель 6 и анализатор 7.Фотоэлектрический спектрометр микр частиц работает следующим образом.Излучение полупроводникового лаз ра 1, сформированное микросферой 2 25 и халькогенидного стекла в полоску, п опускается через поток частиц, с, здаваемый узлом 5 аспирации частиц. Рассеянный частицами свет регистрируется первым 3 и вторым 4 Фотоди одами, Сигнал с выхода фотодиодов через усилитель 6 поступает на вход анализатора 7, Совместное проявление стигматизма пучка от полупроводникоого лазера, сферической аберрации аровой линзы, учет пропускания и тражения от халькогенидного стекла риводит к формированию светового Пучка в полоску с продольным распределением излучения близким к однородному, что повышает точность измерений При отклонении частиц от оси потока. Соединение выходов первого 3 и второго 4 Фотодиодов позволяет повысить отношение сигнал/шум. За счет исполь" зования острой Фокусировки зондирующего луча, а также максимального использования телесного угла. приемасвета первым 3 и вторым 4 фотодиодами достигается повышение чувствительности устройства. Уменьшение счетногообъема до 10 ммз позволяет такжесущественно увеличить максимальнуюконцентрацию регистрируемых частиц,Формула изобретения фотоэлектрический спектрометр микрочастиц, содержащий полупроводниковый лазер с полосковым излучателем,на оптической оси которого расположена формирующая линза, узел аспирации аэрозольных частиц, ось которогоориентирована параллельно полосковомуизлучателю полупроводникового лазераи пересекает оптическую ось полупроводникового лазера, в области счетного объема, с которым оптическисопряжен ориентированный перпендикулярно оси узел аспирации аэрозольныхчастиц, и оптической оси полупроводникового лазера, первый Фотоприемник,выход которого через усилитель соединен с входом анализатора, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с цельюповышения точности измерения и повыщения чувствительности за счет снижения нижнего предела размеров регистрируемых частиц, в него введен второйфотоприемник, при этом второй Фотоприемник расположен на оптической осипервого фотоприемника симметричнопервому фотоприемнику относительнооптической оси полупроводниковоголазера, в качестве полупроводниковоголазера использован непрерывный полупроводниковый лазер, первый и второйфотоприемники выполнены в виде, фотодиодов, выходы которых соединены между собой, формирующая линза выполнена в виде микросферы,(ванов Корректор Л. Пилипенко ставиьел хред М.Д актор А. Реви твенно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная,Прои Заказ 2487/43 Тираж 847 ВНИИПИ Государственно по делам изобретении 113035, Москва, Ж, РаПодпикомитета СССРи открытийская наб д,