Устройство отображения информации — SU 434618 (original) (raw)
Р 1 434618 Союз Советских Социалистических Республик(22) Заявлено 23,11.71 (21) 1716853/26-9 п 5/66 1. Кл ением заявки Ье с при(32) ПриоритетОпубликовано 30,06.74. Бюллетень М Дата опубликования описания 11.11.74 сударственный номитеовета Министров СССРпо делам изобретенийн аткры 1 тий. Е. Васильков и М,льнико ена Ленина и ордена Трудового Красного Знаменый институт им. Г, В. Плеханова 54) УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕИИЯ ОРМАЦИИ 2 Изобретение относигся к области оптико- электроники и может использо 1 ваться для безынерционного получения изображений, отражающих какую-либо информацию, а также для телевизионного экрана больших размеров.Известно устройство, содержащее электронно-лучевую трубку (ЭЛТ), электрооптичсский кристалл, проекционную оптику, источник света и поляризационпую призму.В этом устройстве электрооптический кристалл помещен внутри ЭЛТ, что ухудшает,работу ЭЛТ и ведет к потере со временем нужных свойств кристалла из-за непосредственного попадания на него электронного потока.Целью изобретения являегся улу.чшепие качества формируемого изображения и упрощение устройства.Это достигается тем, что в горедлагаемом устройстве электрооптический к 1 ристалл располагается снаружи ЭЛТ и контактирует с ее металловолокопным экраном через тонкое диэлектрическое зеркало. Оптическое изображение, содержащее информацию, получается в отраженном от этого зеркала свете.В этом случае кристалл не подвергается непосредственному действию электронного пучка ЭЛТ и не связали с внутренним объемом трубки. Соответственно отпадают трудности, овязагоные с размещением кристаллицел вещ эфф нап 30 кот(71) Заявитель Ленинградский ческой пластинки в вакуумной колбе ЭЛТ,когда осложняется обезгаживание, и другиетехнологические операции. Упрощается такжемонтаж кристаллической пластины с прозрач 5 ным контрэлектродоз 1,На чертеже показана принципиальнаясхема предлагаемого устройства.Пластина 1 электрооптического кристаллаЛ-среза располагается вне ЭЛТ 2, контакти 10 руя с ее металловолоконным экраном 3 черезтонкий иммерсионпый слой 4 жидкости итонкое диэлектрическое зеркало 5. С другойстороны к пластине кристалла приклеен прозрачный коптрэлектрод б, который соединен15 с источником 7 модуляционного напряжения(источником видеосигнала), ЭЛТ имеет системы: фокусировки 8 и отклонения (сканирования) 9. На одной оси с ЭЛТ находятсялинза 10, поляризационная призма Глазе 20 брука 11 из шпата и экран 12 (плоскостьдействительного изображения). На оси, перпендикулярной к оси ЭЛТ, напротив призмы 11 располагаются копденсорная линза 13и источник света 14.25 В качестве электрооптического крисга илаесообразно использовать кристаллы изеств с наибольшим электрооптическимектом, т. е. с минимальным управляющимряжением, папример кристаллы КДоП, уорых полуволновое напряжение составля4346183 4ет величину порядка 3 - 4 кв, Электрический ми, примерно нулевой,потенциал. При достаконтакт контрэлектрода 6 с кристаллом мо- точно тонких зеркале и иммерсионном слое, жет быть осуществлен путем склейки эпок- когда потерей напряжения на них можно сидной смолой. принебречь, можно считать, что электронныйКонтрэлекпрод 6 целесообразно выполнить 5 луч как бы электрически соединяет черезв виде стеклянной подложки (пластинки) с штырьки участки кристалла, находящиеся нанесенным на нее тонким слоем закиси оло- над ним, с землей, играя роль пространства. Тонкое диэлекприческое зеркало 5 может венного коммутатора (ключа). Источник 7 бысть нанесено на наружную поверхность ме- модуляционноГО напряжения подключен к талловолоконного экрана 3 ЭЛТ или на по коцтрэлектроду 6 кристалла и, следовательлпрованную поверхность кристалла, Его из- но, создает меняющуюся,во времени разность готавливают путем напыления нескользких потенциалав между его наружной (правой на слоев сульфида цинка и цриолита по извест- чертеже) гранью и участками другой грани, ной технологии. Электрический контакт меж- расположенными, против штырьков экрана, ду кристаллической пластиной 1 и зебркалом 5 15 когда на эти штырьки, попадает электронный целесообразно создать с помощью среды, луч, Совместное действие элекцронного луча имеющей коэффициент преломления, равный и модуляционного напряжения создает на коэффициенту преломления кристалла (им- кристалле потенциальный рельеф, отображамерсионный слой). В качестве такого ве- ющий информацию. Получаемый потенциальщества может, например, использоваться мас ный,рельеф имеет в определенной мере дисло или смесь масел. В этом случае отпадает кретиый характер, соответственно расположенеобходимость в полировке поверхности жри- нию металлических штырьков в экране трубсталла, обращеннной к зеркалу. Фокусирую- ки, Чем тоньше пластина кристалла, тем шая 8 и отклоняющая 9 системы ЭЛТ вы- сильнее выражена дисиретность потенциальполняют обычные функции и могут быть сде ного рельефа. При наличии на кристалле по- ланы электростатическими. тенциального рельефа световой поток по выВ качестве источника света 14 могут ис- ходе из кристалла имеет по поперечному сепользоваться ксеноновая или ртутная лампы, чению соответствующую фазовую модуляцию.имеющие малый размер святящегося пятна и С помощью призмы 11, играющей роль скребольшие мощности излучения, 30 щенного анализатора, фазовая модуляцияКонденсорная линза 13 собирает свет источ- преобразуется в амплитудную модуляцию ника 14 и создает сходящийся пучок света. света.Призма Глазебрука 11 поляризует свет ис- В результате этого после призмы может точника и направляет его к линзе 10, которая быть получено видиМое изображение, соотформирует параллельный пучок света, необ ветствующее,потенциальному рельефу и огоходимый для нормальной рабо 1 ты электрооп- бражающее требуемую информацию.типического кристалла. Параллельный, линней- Чем тоньше пластина кристалла, тем боно-поляризованный световой поток проходит лее распределение электрического поля,в нем через прозрачный конврэлектрод 6, кристал- приближается к точечному, отражая дислическую пластину 1, отражается от диэлек кретную структуру экрана. Соответственно трического зеркала 5 и онова проходит через увеличивается контрастность изображения и кристалл в направлении призмы. Если на разрешение, определяемое в пределе числом гранях кристалла напряжение отсутствует, штырьков экрана.то идущий к призме световой поток сохраня- Элвктрооптические кристаллы обладают ет первоначальную поляризацию по всему се достаточно высоким удельным сопротивлени чению и направляется призмой к источнику ем, и образованный на них,потенциальный света 14. Прохождение световой энергии в рельеф может сохраняться сравнительно долнаправлении экрана 12 при этом отсутствует. го. Постоянная времени разряда заряжен- Призма итрает роль анализатора с ортого- ных пластин кристаллов типа КД 2 П, КДП нальной ориентацией поляризации относи при комнатной температуре составляет вели- тельно исходной. чину, порядка 0,05 - 0,15 сек.При движении электронного луча по экрану При телевизионной развертке смена кадров ЭЛТ штырьки металлического эрана приоб- происходит в течение 0,04 сек. Следовательретают равновесный потенциал. При выборе но, за время кадра разряд заряженных учаускоряющего электронный луч напряжения 55 сткав кристалла незначителен, Это предотбольше первого критического потенциала (по- вращает мерцание экрана, снижает вребоватенциал, при котором коэффициент вторич- ния к току электронного луча, который в ной эмиссии внервые становится равным 1) данном устройстве выполняет одновременно равновесный потенциал изолированных функции записи и стирания. При 750 моду- штырьков равен примерно ускоряющему по ляции светового потока модуляционная хатенциалу, Поскольку ускоряющий электрод рактеристика устройства отображения, так ЭЛТ заземлен (соединен с общей шиной), же как и классической элеквронно-лучевой как это показано на чертеже, то электронный трубки с люминесцентным экраном, квадралуч сообщает точкам,поверхности диэлектри- тична. Напряжение модуляции, подаваемое ческого зеркала, находящимся над штырька на кристаллы КД,Ппри двойном прохож434618 П редм ет изобретения Составитель М. Красильников дактор Е. Караулова Техред Н. Куклина Корректор О. ТюринаИзд.1801 Тираж 678 И Государственного комитета Совета Мпнпс по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5каз 2973/11ЦН ПодписноеССР Типография, пр. Сапунова, 2 денни света через кристалл в этом случае равно 1 кв. Высокие диэлектрические свойства кристалла позволяют формировать оптическое изображение с высоким разрешением. Устройство отображения информации, содержащее электронно-лучевую трубку с ме 6талловолоконным экраном, электрооптически 6 кристалл с контрэлектродом, источник света.поляризационную призму и проекционную оптику, отличающееся тем, что, с целью 5 улучшения качества формируемого изображения, упрощения устройства, электрооптическиц кристалл с контрэлектродом устанавливается с внешней стороны электронно-луче.вой трубки перед металловолоконным экра ном, а между, кристаллом и экраном 1 омещентонкий июмерсионный масляньш слой.