Термокомпенсированный генератор стабилизированного тока — SU 750746 (original) (raw)
Союз Советских Социалистических Республик(22) Заявлено 09017 8 (21) 25 6 8189/18-21с присоединением заявки Мо(51)м, ка Н 03 К 1/02 Госуаарстаеииый комитет СССР по яелам и юйретеиий и открытий.52(088.8) Дата опубликования описания 230780(54) ТЕРт 1 ОКОИПЕНСИРОВАННЫИ ГЕНЕРАТОР СТАБИЛИЗИРОВАННОГОТОКА 15 1Изобретение относится к импульсной технике, в частности к устройствам модуляторов и демодуляторов, применяемым в многоканальных линиях связи с время-импульсной и кодово-импульсной модуляцией.Известен термокомпенсированный генератор стабилизированного тока, содержащий транзисторы, первые два из которых образуют составной транзистор, токозадающий резистор, источник смещения на двух последовательно соединенных транзисторах в диодном включении, резистор, источник опорного напряжения, два источника питания 1 . Недостатком такого устройства является относительно невысокая стабильность выходного тока, вызванная 20 различными изменениями падений напряжения от изменения окружающей температуры на всех четырех переходах база-эмиттер стабилизирующих и термокомпенсирующих транзисторов,25Целью изобретения является повышение температурной стабильности генератора тока.Это достигается тем, что в термокомпенсированный генератор стабили зированного тока, содержащий . транзисторы, первые два из которых соединены с шиной источника питания, азмиттер первого транзистора черезколлекторно-эмиттерный переходтретьего транзистора соединен с базойчетвертого транзистора, коллекторкоторого соединен с эмиттером составного транзистора, а змиттер четвертого транзистора через токозадающий резистор подключен к первомуисточнику питания, источник смещения на двух последовательно соединенных транзисторах н диодном включении, резистор, источник опорногонапряжения, второй источник питания,введены два транзистора, базовозмиттерный переход первого иэ которых соединен параллельно коллекторно-базовому переходу второго,эмиттер которого через источник опорного напряжения соединен с общей шиной источника питания, база соединена с змиттером третьего транзистора,база которого соединена с базой первого дополнительного транзистора, аколлекторы дополнительных транзисторов соединены с эмиттерами транзисторов источника смещения, коллекторпервого из которых соединен с баФормула изобретения Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР 9451171, кл, Й 03 К 1/02, 1971 (прототип). зой составного транзистора и черезрезистор - с шиной второго источникапитания,На чертеже дана принципиальнаясхема устройства.Устройство содержит транзисторы1 - 8, резисторы 9, 10, источникипитания 11, 12, выходная клемма устройства 13, источник 14 опорногонапряжения.Устройство работает следующимобразом.Выходной стабильный ток генерируется генератором, содержащим транзисторы 8, 7, 3, 4. Собственно генератором тока являются транзистор 8, стабильный токозадающий резистор 10, источник 14 опорного (эталонного) напряжения. Транзисторы 3, 4, 7 обеспечивают термокомпенсацию.Транзистор 8 включен по схеме собщей базой, ток эмиттера его определяется величиной опорного напряжения источника 14, величиной токозадающего резистора 10 и падением напряжения на переходе база-эмиттер,,которое изменяется при изменении окружающей температуры.,Цля температурной компенсации напряжения база-змиттер транзистора 8 служит термокомпенсирующий транзистор З,В этом случаена стабильность влияет уже не абсолютное значение напряжение база-эмиттер Пбэз транзистора 2, а разность(1 бэЗ-Обэ 2.Ток через базово-эмиттерный пе"реход транзистора 3 с помощью резистора 9 и источников питания 12 и 1135выбирается равным соответствующемутоку транзистора 8. Все транзисторыв устройстве одного типа, а наилучшие результаты дает использованиесборок в одном кристалле с идентичными параметрами что позволяет получить разность ПбэЗ-Пбэ 2, весьма близкую к нулю.Базовые токи транзисторов 3 и 8протекают через эмиттерно-коллекторные переходы транзисторов 4 и 7.,ток коллектора транзистора 4 приблизительно равен току базы транзистора 3, а ток коллектора транзистора7 - току базы транзистора 8, Ток коллектора транзистора 7, .пройдя черезпереход коллектор - змиттер транзистора 5, складывается на. выходе с током коллектора транзистора 8. Суммаэтих токов равна стабильному токуэмиттера транзистора 8. Транзисторы 55б и 5 обеспечивают постоянство напряжения на коллекторах транзисторов7 и 8 от изменения напряжения на нагрузке, Транзисторы 2 и 7 представляют собой источник смещения для пита- ц)ния коллектора транзистора 4 и базытранзистора 5. Предлагаемое устройство обладает)значительно лучшей термостабильностью,так как в контур, задающий ток, входят не четыре р-п перехода, как упрототипа, а всего два (транзисторы3 и 8) . Поскольку предлагаемое устройство в основном состоит из одинаковых элементов, его удобно выполнить в виде гибридной или монолитовой микросхемы, где опорный источник и токозадающий резистор могут быть внешними элементами. В слу"чае использования в аппаратуре нескольких генераторов опорный источникможет быть общим. Удобно в качествеопорного источника применять термокомпенсированный стабилитрон. Стабильность других источников питания может быть невысокой,Термокомпенсированный генератор стабилизированного тока, содержащий транзисторы, первые два иэ которых образуют составной транзистор, коллектор которого соединен с шиной источника питания, а эмиттер первого тран-. зистора через коллекторно-эмиттерный переход третьего транзйстора соединен с базой четвертого транзистора,коллектор которого соединен с эмиттером составного транзистора, а эмиттер четвертого транзистора через токозадающий резистор соединен с общей шиной источника питания, источник смещения на двух последовательно соединенных транзисторах в диодном включении, резистор, источник опорного напряжения, второй источник питания, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения температурной стабильности, в него введены два транзистора, баэо-эмиттерный переход первого из которых соединен пераллельно коллекторно-базовому переходу второго, эмиттер которого через источник опорного напряжения подключен к первому источнику питания, база соединена с эмиттером третьего транзистора, база которого соединена с базой первого дополнительного транзистора, а коллекторы дополнительных транзисторов соединены с эмиттерами транзисторов источника смещения, коллектор первого из которых соединен с базой составного транзистора и через .резистор - с шиной второго источника питания,.по делам изобретений и113035, Москва, Ж, Рауюск Подписноеета СССРкрытийнаб д. 4/5