Способ изготовления интегральных схем на цилиндрических магнитных доменах — SU 902072 (original) (raw)

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспубликОпубликовано 30.01,82. Бюллетень 4Дата опубликования описания 05.02.82 по делам иэобретеиий и открытий) Заявитель 54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХИзобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).Известен способ изготовления интегральных схем (ИС) на ЦМД, основанный на последовательном нанесении пленочных слоев диэлектрика и проводника, а также резиста, проведении литографии по слою проводника, травлении слоя проводника через маску резиста, снятии остатков резиста, на несении последующих пленочных слоев диэлектрика и магнитомягкого материала, а также резиста, проведении литографии по слою магнитомягкого материала, травлении магнитомягкого материала, снятии остатков резиста и вскрытии окон под контактные площадки 111.Известный способ требует как минимум двух шаблонов при изготовлении схем (на каждую литографию) и высокой точности на совмещение шаблонов, что усложняет тех О нологический процесс изготовления ИС на ЦМД.Наиболсоб изгото ее близок к предлагаемому сповления ИС на ЦМД, который основан на нанесении на доменосодержащую пленку пленочных слоев проводников и диэлектриков, слоя резиста, экспонировании слоя резиста с переменной интенсивностью засветки по площади интегральной схемы, формировании маски резиста различной тол. щины, электроосаждении металла в сквозных.окнах резиста, дотравливании резиста в несквозных окнах, электроосаждении маг- нитомягкого материала во всех сквозных окнах резиста, снятии резиста и вытравливании подслоя 2 .В этом способе используется лишь одна маска резиста, но применение операций электроосаждения металла усложняет технологический процесс.Цель изобретения - повышение технологичности изготовления ИС на ЦМД.Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления ИС на ЦМД, основанном на нанесении на доменосодержащую пленку пленочных слоев проводников и диэлектриков, а также слоя резиста, экспонировании слоя резиста с переменной интенсивностью засветки по площади ИС, формировании маски резиста различной толщины иевого граната (фиг. 1), наносятся последовательно слои разделительного диэлектрика 3, проводника 4, изолирующего диэлектрика 5, магнитомягкого материала 6 (фиг. 2), за- зф тем резиста 7 (фиг. 3), например, негативного электронного, Затем производится засветка электронного резиста электронным лучом 8 различной интенсивности Э 1 и 3, причем Э 1 )Э т (фиг. 4). В местах, где произошла засветка электронным лучом с интенсивностью 51, при проявлении в слое резиста 7 образуется сквозное окно 9, а там,где засветка с интенсивностью 3 - несквозное 10 с недоэкспонированным слоем 11(фиг. 5). Далее проводится операция трав- ффления пленочных слоев, например, ионоплазменное. При этом отравливается также и слой резиста. Интенсивность экспонирования Э выбирается таким образом, чтобы непроэкспонированный слой 11 при проведениитравлении сошел, образуя сквозное окно 12 не раньше, чем протравится слой 6 магнитомягкого материала (фиг. 6) . Далее травление про 3 травлении пленочных слоев, все пленочные слои наносят последовательно слой за слоем, например, катодным распылением, при формировании маски резиста устанавливают толщину резиста и глубину экспонирования резиста пропорционально глубине травления пленочных слоев под маской резиста и проводят сквозное травление всех пленочных слоев, не защищенных маской резиста.На фиг. 1 - 8 показана последовательность технологических операций по изготовлению ИС на ЦМД, осуществляемых в соответствии с предлагаемым способом.На фиг. 1 показан профиль исходной доменосодержащей пленки; на фиг. 2 - то же после нанесения всех пленочных рабочих слоев; на фиг, 3 - то же, после нанесения резиста; на фиг. 4 - экспонирование резиста с различной интенсивностью по площади ИС; на фиг. 5 - профиль после проявления резиста с различной степенью засветки; на фиг. 6 - то же, после проведения операции травления на половинную глубину; на фиг. 7 то же, после полного травления слоев; на фиг. 8 - окончательный профиль после снятия резиста.Предлагаемый способ заключается в следующем.На поверхность доменосодержащей эпитаксиальной феррит-гранатовой пленки 1,выращенной на подложке 2 гадолиний-галли зо 15 26 2 4водят до тех пор, пока.не протравится слой 4 проводника в сквозном окне 9, при этом в сквозном окне 12 глубина травления достигает поверхности слоя 4 проводника, протравив насквозь слой 5 изолирующего диэлектрика (фиг. 7). Толщина слоя 7 резиста выбирается таким образом, чтобы после всего цикла травления на поверхности оставался минимальный остаточный слой 13 резиста (фиг, 7), который затем удаляется (фиг. 8),Предлагаемый способ изготовления ИС на ЦМД включает в себя одну операцию по формированию маски резиста и одну опера- цию травления пленочных слоев. Это существенно упрощает технологический процесс изготовления ИС, так как сокращается количество проводимых операций. За счет сокращения числа операций снижается также трудоемкость изготовления ИС на ЦМД, а также повышается качество изготавливаемых приборов и увеличивается процесс выхода годных.Формула изобретенияСпособ изготовления интегральных схемна цилиндрических магнитных доменах, основанный на нанесении на доменосодержащую пленку пленочных слоев проводникови диэлектриков, а также слоя резиста, экспонировании слоя резиста с переменной интенсивностью засветки по площади интегральной схемы, формировании маски резиста различной толщины и травлении пленочных слоев, отличающийся тем, что, с цельюповышения технологичности изготовления интегральных схем на цилиндрических магнитных доменах, при нанесении пленочных слоев все пленочные слои наносят последовательно слой за слоем, например, катоднымраспылением, при формировании маски резиста устанавливают толщину резиста и глубину экспонирования резиста пропорционально глубине травления пленочных слоевпод маской резиста и проводят сквозное травление всех пленочных слоев, не защищенныхмаской резиста.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, 1 ЕЕЕ Тгапз-МаЯп., У.МА 6-13, 1977,Мо 5, р. 1370,2. Патент Великобритании Мо 1507947,кл. Н 3 В, опублик. 1978 (прототип).902072 г.Х Составитель Ю. Розеня , Тех ред А. БойкасТираж 623ПИ Государственного комитделам изобретений и откМосква, Ж - 35, РаушскаяП Патент, г. Ужгород, ул ферен едактор Л. Пчелинскаказ 12391/61ВНИИп113035,Филиал ПП тальКорректорПодписноеета СССРрытийна 6., д. 4/5Проектная,

Смотреть

Способ изготовления интегральных схем на цилиндрических магнитных доменах