Способ изготовления селеновых электрофотографических пластин и устройство для его осуществления — SU 918926 (original) (raw)

. Республик ОЛ ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(51)М. Кл. с присоединением заявки С 03 0 5/08 С 03 6 15/00 Гасударственный квинтет СССР по делам нзобретеннй н открытнй(5 М) ,СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕЛЕНОВЫХ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИХ ПЛАСТИН И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ Изобретение относится к электрофотографии, конкретно к изготовлениюэлектрофотографических слоев,Известен способ изготовления селеновых электрофотографических пластин,заключающийся в напылении селена наподложку,Устройство для изготовления электрофотографических пластин по известному способу представляет собой ва, 10куумную камеру с испарителями селена 11,Недостатком известного способа является низкое качество выпускаемыхэлектрофотографических пластин, про 13являющее в большой утомляемости приих эксплуатации, недостаточной плот.ности получаемых копий,Цель изобретения - повышение качества селеновых электрофотографических пластин,Указанная цель достигается тем,что согласно способу изготовления селеновых электрофотографических пластин, заключающемуся в напылении на подложку селена, перед напылением слоя селена производят нанесение подслоя с переменной концентрацией паров трехселенистого мышьяка, Устройство для изготовления электрофотографических селеновых пластин, содержащее вакуумную камеру с испарителями трехселенистого мышьяка, имеет переменные по высоте перегородки, расположенные между испарителем с трехселенистым мышьяком и испарителем с селеном для получения зоны переменной концентрации паров трехселенистого мышьяка.На. чертеже показана принципиальная схема устройства для изготовления селеновых электрофотографических пластин,Способ изготовления электрофото; графических пластин реализуется при передвижении подложки-основы 1 над испарителями 2 и 3 в вакуумной камере 1 с системой вертикальных перегоформула изобретения 1, Способ изготовления селеновыхэлектрофотографических пластин, заключающийся в напылении на подложкуселена, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью повышения качествапластин, перед напылением слоя селена производят нанесение подслоя спеременной концентрацией паров трехселенистого.мышьяка.2, Устрейство для изготовленияселеновых электрофотографическихпластин по и, 1, содержащее вакуумнуюкамеру с испарителями трехселенистогомышьяка, о т л и ч а ю щ е е с ятем, что с целью повышения качества электрофтографических пластин,оно имеет переменные по высоте перегородки, расположенные между испарителем с трехселенистым мышьяком ииспарителем с селеном для полученияпеременной концентрации паров трехселенистого мышьяка,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1,Электрофотография и магнитография, Вильнюс, 1965, с.108-119,3 91892 родок 5 путем конденсации паров кристаллизационно стойкого трехселенисто,го мышьяка 6, смеси его с селеном 7, образовавшегося в вакуумной камере в области щели 8 системы перегородок, отделяющих испарители с. напыляемыми полупроводниками, причем концентрация селена по направлению передвижения подложки постоянно увеличивается от нуля до 1003. 1 ОЗа один технологический цикл очищенную известным способом дюралюминиевую подложку-основу 1 предварительно нагревают до 345-360 К, затем подают в;вакуумную камеру непрерывнего 5 действия 4 и с постоянной скоростью 1 последовательно передвигают над испарителем с трехселенистым мышьяком 2, а затем с селеном 4, Эти испарители . в вакуумной камере отделены системой перегородок 5, выполненной в виде вертикально расположенных пластин, высота которых линейно возрастает в направлении движения пластин, В результате этого цикла на подложке напыляются три слоя: первый подслой трехселенистого мышьяка толщиной 0,5-3 мкм, промежуточный слой толщиной 1-5 мкм, состоящий из смеси трехселенисто о мышьяка и селена, в котором концентрация избыточного селена увеличивается от нуля в контакте с подслоем до 100 и верхний слой аморфного селена 40-80 мкм, испаряемого из расплава нагретого до 530-560 К.35Необходимые параметры промежуточного слоя обеспечиваются системоьь перегородок 5, состоящей из 5-6 вертикально расположенных пластин на расстоянии 50-70 мм друг от друга,ю высота которых линейно возрастает в направлении движения кассет с подложками 1, а высота щели 8, между верхней частью вертикальных пластинок 5 и подложкой-основой 1, умень 6 4шается от 30-50 мм со стороны испарителя трехселенистого мышьяка, т,е.в начале щели, до 10-20 мм - в егоконце, Щель с переменной высотой необходима для получения промежуточного слоя с заданным градиентом распределения отдельных компонент напыляемых полупроводников, так как локальная скорость испарения и давление паров в зоне испарителя с трехселенистым мышьяком много меньше,чем в зоне испарителя с селеном,Предлагаемый способ и устройствопозволяют получить селеновые электрофотографические пластины высокогокачества,918926 Составитель В.Казанцевактор Н,Рогупиц Техред З,фанта Коррект зят Заказ 2139 о илиал ППП "Патент", г,Ужгоро Проектная,32 Ти ВНИИПИ Гос ло делам113035, Моаж 489дарственного изобретений и ква, Ж, Ра Подписомитета СССРоткрытийшская наб., д,

Смотреть

Способ изготовления селеновых электрофотографических пластин и устройство для его осуществления