Cbeta — Метка (original) (raw)
Фотоэлектрическое устройство длянаведения ha границу cbeta и тенипри регистрации границы обекта
Номер патента: 796652
Опубликовано: 15.01.1981
Авторы: Куминов, Мельников, Ненашев, Чуличкин, Ямщиков
МПК: G01B 9/04
Метки: cbeta, границу, границы, длянаведения, объекта, регистрации, тенипри, фотоэлектрическое
...элементы выполжны в виде двухэлементной фотоприемной матрмцы,оптически сопрягаемой с плоскостью измеряемого объекта, а элементы матрицы имеютформу круга и кольца, которые концентричныи равны по площади между собой.На фиг, 1 изображена принципиальная схемафотоэлектрического устройства для наведенияна границу света и тени при регистрации границы объекта; на фиг. 2 - вид А.А на фиг. .Устройство содержит (фиг, 1) осветитель 1,проекционный объектив 2, образующие проек"ционную систему, м фоточувствительным элементы в виде двухэлементной фотоприемной матрицы расположенной после объектива 2 в плоскости, оптически сопрягаемой с плоскостьюизмеряемого объекта, Фотоприемная матрица 3796652 ВНИИПИ Заказ 9757/57 Тираж 651 Подписное ал ППП "Патент",...
Способ оценки жаропрочности прово-лочного материала для тела накалаисточников cbeta
Номер патента: 796739
Опубликовано: 15.01.1981
МПК: G01N 3/60
Метки: cbeta, жаропрочности, накалаисточников, оценки, прово-лочного, тела
...путем отжига э атмосфере увлажненного водорода при 1150-1200 оС в течение 10 мин, нагревают в высокотемпературной водородной печи до 2600 С и выдерживают при этой температуре в течение 5 мин, Затем иэ образцов изготовляют микрощлифы методом травящей электрополировки в электролите и исследуют их методом оптической металлографии, регистрируя их дислокационную структуруОдин из образцов проволоки испытывают в качестве эталонного. Его нагрев, выдержку и охлаждение производят под растягивающей нагрузкой. Микрошлиф эталонного образца должен соответствовать микрошлифу проволоки с высокой жаропрочностью, пригодной для изготовления высокотемпературных тел накала и обладает, например, субструктурой с вытянутыми цепочками дислокаций. Затем...
Устройство для измерения индикатрисырассеяния cbeta
Номер патента: 808867
Опубликовано: 28.02.1981
Автор: Катин
МПК: G01J 1/34
Метки: cbeta, индикатрисырассеяния
...и отражателем, имеющим форму, образующая которой - эллипс, причем плоское зеркало расположено в одном фокусе отражателя, а фотоприемник, расположен на пути измеряемого светового потока эа другим фокусом отражателя.На чертеже представлена схема устройства.Устройство содержит осветитель 1, ф немник 2, регистрирующее усгройс 3;:отражатель 4, плоское вращаюя зеркало 5, исследуемый обьекти Р - фокуса отражателя. ОсьСоставитель В. ТузовТиирии А. Сивии КорТираж 918 Понного комитета СССРий и открытий5, Раущская наб., аи 4 ектор Н, Ссное едактор Е, Л ко Заказ 397/43 ВНИИПИ Г по делам 113035, Исударстве эобретен ква, Ж-З филиал ППП Патент", г, Ужгород, ул, Проектная 3 й вращения зеркала 5 проходит через фокус Р и перпендикулярна плоскости,...
Двухканальный фотоэлектронныйприемник cbeta
Номер патента: 811366
Опубликовано: 07.03.1981
Автор: Гулгазарян
МПК: H01J 40/12
Метки: cbeta, двухканальный, фотоэлектронныйприемник
...стержнем резонатора, а два других одпополярных электрода противоположной полярности соединены внешним стержнем резонатора через диэлектрические элементы.На чертеже представлен предлагаемый приемник света. Он содержит два фотоэлемента, состоящих из фотокатодов 1, сеточных анодов 2 и стеклянной колбы д, полуволповой резонатор, имеющий внутренний 4 и внешний 5 стержни, диэлектрик 6 и лпшпо 7 для ввода энергии гетеродппа и гетеродип 8. Элементами /, 2, 4, 5 и 5 образуется коакспальный полуволповой резо натор. Резонатор на обоих концах нагружен па емкость фотоэлементов (смкост. между фотокатодоми анодом 2), В смкостных зазорах образуется наибо:ьпая напряженность электрического поля. Ди электриками б обеспечивается практически короткое...
Акустоэлектронный сканирующийисточник cbeta
Номер патента: 811371
Опубликовано: 07.03.1981
Авторы: Гуляев, Кмита, Медведь, Федорец
МПК: H01L 49/00
Метки: cbeta, акустоэлектронный, сканирующийисточник
...мощности, потребляемойустройством, идет на нагрев, а лишь незначителш 1 ая часть идет на образование аку 5 стического домена.Целью изобретения является повышениеэкономичности акустоэлсктронного сканпру 1 ощего источника света,Указанная цель достигается тем, что10 пьезоэлектрическая подложка структурывыпол:1 сна из пьезодиэлектрика и снаожена прсобразователем и поглотителем поверхностных ультразвуковых волн.На фиг. 1 - устройство, впд спереди; на15 фпг, 2 - то же, впд сверху.Акустоэлектронный сканирующий источник света имеет пьезодпэлектрическую подложку 1, слой полупроводника 2, обладающего пзлучательнымп переходами, преооразователп поверхностных ультразвуковыхволн 3, поглотитель поверхностных ультраз ковых вол 1 4 электроды...
Устройство управления электрооптическимпереключателем поляризации cbeta
Номер патента: 822362
Опубликовано: 15.04.1981
Автор: Юрчиков
МПК: H03K 17/567
Метки: cbeta, поляризации, электрооптическимпереключателем
...5 фазы на колебательный кснтур 1,2, настроенный на основную частоту этихколебаний. Амплитуда колебаний накачки выбирается такой, чтобы амплитуда резонансных колебаний на ЭОПП 2была равна четвертьволновому напряжению, характерному для данного ЭОПП. Фаза накачки такова, что формируемые также генератором 4 импульсы строби рования света, проходящего через ЭОПП, совпадают с экстремальным значением напряжения на ЭОПП. Если напряжение источника 3 смещения также равно чет вертьволновому напряжению; то импуль" Э 5 сы света совпадают с нулевым или с полуволновым напряжением на ЭОПП. Фаза накачки задается управляющим кодом,подаваемым на вход блока 8 управления. при изменении значения этого 40 кода с 0 ф на 1 или с ф 1 на. 0 блок 8 управления...
Эмиссионное вещество для катодовгазоразрядных источников cbeta
Номер патента: 834797
Опубликовано: 30.05.1981
Авторы: Гусейнов, Толстопятова, Якуб
МПК: H01J 1/142
Метки: cbeta, вещество, источников, катодовгазоразрядных, эмиссионное
...цель достигается тем, что в эмиссионном веществе, состоящем3 8347 из цирконатов бария, стронция, кальция, эти компоненты представляют собой твердый раствор, имеющий кристаллическую структуру типа цирконата бария.Твердый раствор, обладая равномерным распределением компонентов по объему и поверхности кристаллов, составляющих эмиссионное покрытие катода, обеспечивает равномерность работы вы-, 10 хода по поверхности эмиттера. Аналогичная закономерность имеет место в оксидных катодах электровакуумных приборов, Определенная структура кристаллов эмиссионного вещества, а именно структура типа цирконата бария, обеспечивает оптимальный для газоразрядных источников света комплекс эмиссионных и технологических характеристик (прочность сцепления...
Оптически управляемый пространственновременной модулятор cbeta
Номер патента: 840783
Опубликовано: 23.06.1981
Авторы: Марахонов, Петров, Хоменко
МПК: G02F 1/03
Метки: cbeta, модулятор, оптически, пространственновременной, управляемый
...З 5 эованном вдоль оси 0013 света значение дифференционной эффективности падает до нуля при приближении к направпению, совпадающему с осью 001, т,е. пространственные частоты, векторы которых ле-40 жат в секторе около направления, совпадающего с осью Г 001, фильтруются Таким образом, модулятор позволяет осуществлять секторную пространственную фильтрацию изображения. При циркулярной поля 45 ризации считывающего света этого не происходит, т,е. модулятор передает все пространственные частоты.На чертеже представлена конструкция предлагаемого ОУ ПВМС.Устройство состоит из пластины 1 фотопроводящего эпектрооптического кристалла кубической симметрии (например Вч 1 0 ипи В 1 6 Оф)ориентированной в55 плоскости 110 и прозрачных электродов 2,...
Устройство для получения параллель-ных пучков cbeta
Номер патента: 844994
Опубликовано: 07.07.1981
Автор: Кладов
МПК: G01B 9/00
Метки: cbeta, параллель-ных, пучков
...устройства. Устройство содержит пластину 1, на1 ф которую нанесен светоделительный слой 2,объектив 3, плоское зеркало 4, объектив 5и плоское зеркало 6. Зеркало 4 установленов фокальной, плоскости объектива 3. Зеркало 6 установлено в фокусе объектива 51 под некоторым углом к его оси и с возможностью вращения вокруг этой оси. Оси объективов 3 и 5 и нормаль к светоделителю лежат в одной плоскости, и пластина 1 делитугол между осями пополам. Пластины 1,объективы 3 и 5 и зеркала 6 и 4 образуют26 оптическую систему раздвоения изображения,Устройство работает следующим образом.844994Фградусов) направления неподвижногопучка,формула изобретения Луч 7 от источника (на чертеже не по казан) делится на пластине 1 на два луча 8 и 9. Луч 8,...
Преобразователь распределения интен-сивности cbeta bo временную последо-вательность электрических сигналов
Номер патента: 845004
Опубликовано: 07.07.1981
Авторы: Кондратьев, Яковлев
МПК: G01B 21/02
Метки: cbeta, временную, интен-сивности, последо-вательность, распределения, сигналов, электрических
...пучка.Прибор работает следующим образом,При проецировании световых пучковЬт опорного источника 12 световогопучка и координатного источника 13светового пучка на однородный Фоточувствительный полупроводник 1 на освещенных участках его генерируют неосновные носители тока, которые при импульсе напряжения от источника 4 сканирующего напряжения доходят до подводящего электроца 2, так как напряжение выбрано таким, что время пролета неосновных носителей меньше ихвремени жизни,2 ОСопротивление однородного фоточувствительного полупроводника 1 изменяется в момент выхода неосновныхносителей в подходящий электрод 2,а также скачком изменяется напряжение 25и ток в цепи дифференцирующей нагрузки.Далее импульс напряжения от действия опорного...
Фотоэлектрическое устройство длянаведения ha границу cbeta и тени
Номер патента: 847019
Опубликовано: 15.07.1981
Авторы: Маламед, Модель, Скворцов
МПК: G01B 11/00
Метки: cbeta, границу, длянаведения, тени, фотоэлектрическое
...на Фиг. 1.Устройство для наведения на границу света и тени содержит (фиг.1) последовательно расположенные источник 1 света, конденсатор 2, призму 3, предметный столик 4, объектив 5, светоделительный кубик, состоящий из двух склеенных прямоугольных призм 15 б и 7 и на входной грани 8 которого нанесены круглая 9 и кольцевая 10 диафрагмы (фиг. 2). В центральной зоне гипотенузной грани призмы, например б, нанесено зеркальное отражаю О щее покрытие 11 со световым диамет-, ром, большим чем диаметр круглой диафрагмы 9, но меньшим, чем внутренний диаметр кольцевой диафрагмы 10. Светоделительный кубик делит световой поток на две ветви, в одной из которых расположен фотоприемник 12, а в другой - 13, фотоприемники 12 и 13 включены по Фотобалансной...
Эталонный высокотемпературныйисточник cbeta
Номер патента: 647986
Опубликовано: 30.07.1981
МПК: H01J 61/90
Метки: cbeta, высокотемпературныйисточник, эталонный
...что токоподводы выполнены в виде катушек индуктивности, располо. женных на диэлектрической пластине так, что оси катушек пересекают ось отверстия и перпендикулярны ей.На чертеже приведена конструктивная схема предлагаемого эталонного высокотемпературного источника света 15Вблизи торца отверстия 1, в диэлектрической пластине 2, размещается электрод 3, к которому присоединены токоподводы 4, Каждый токо- подвод содержит одну или более ка- що тушек 5 индуктивности з виде спиралей, расположенных так, что оси катуш к пересекают ось отверстия в диэлектрической пластине под прямым углом, а сами катушки расположены вплотную к пластине из диэлектрика, При близком расположении к отверстию для устранения электрического контакта с плазмой катушки...
Способ нанесения пленки для изготов-ления мембранного модулятора cbeta
Номер патента: 853591
Опубликовано: 07.08.1981
МПК: G02F 1/19
Метки: cbeta, изготов-ления, мембранного, модулятора, нанесения, пленки
...н возможность металлизации мембраны напылением5в вакууме.Использование способа значительно упрощает технологию изготовления мембранных мо.дуля торов,Брак при изготовлении минимален,Экономический эффект от использованияспособа изготовления мембранных матричныхмодуляторов света с количеством ячеек 32 х 32составляет ориентировочно 50 руб. на каждыймодулятор. При изготовлении мембранного модулятора на пластину из кремния с управляющими электродами наносили слой диэлектрика, в котором методами фотолитографии делалась перфорация в виде матрицы круглых отверс. тий. При. этом отверстия перфорации расположены над управляющими электродами.Для изготовления мембраны был взят раст. вор коллодия, представляющего собой ЗУоный раствор...