Диодной — Метка (original) (raw)

Патенты с меткой «диодной»

Нелинейный преобразователь с диодной схемой

Номер патента: 86673

Опубликовано: 01.01.1950

...Енпи:ВИ)кка ПЕРЕсЕОс 2 ТЕЛЯ П ВЕРХНЕМУ 32 ЖНМУ На ВЫХОДНОМ 33- жнме Ж псявитс 5 папр 5 жсние (+ С/ ), 3 при при(люченип движка не- РСЛЮЧ 3 ТЕЛЯ 71 и НП)КНСМУ 335 ИМУ На ВЫХОДНОМ ЗсЖИМС Ж ПОЯБРГГС 5 напря)кение ( - С/1), Поэтому и последнех случае кривая зависимости напряжени 51 Б точке Я( От ВхОднОЙ Величины х судет имсть Бид пуни. тирной прямой (фиг. 2 а), направленной Вниз от оси аосцпсс. Если ХС 0, то аналОГРН 1 ых ООРс 130) РсбОтает диод с 72 и наГР 51 жснис1 ф 1 кцпп х изме 5 Стс 5 по хсочпо-ГРН 1 ейнс 1 криВОЙ, псксзанной с фп, 20Все дисдпые 51 ейк прпсседин 51 ютс 51 и ОднОму и тОму же сумми. р) снесему ссд с.,опротив.СНИ 5 ( и ( аждОЙ 5 че 1 ки псдООраны Га, чтосы прсдсльнье Знсчсния х, для )азлисньх яеск быгн рс 1 зныхи...

Способ изготовления диодной матрицы

Номер патента: 145800

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Евдокимов, Куликов, Улановский, Шохат

МПК: G11C 11/36, G11C 5/02

Метки: диодной, матрицы

...линиями), часть операций вводится заново 1 окаймлены одной линией).Сущность предлагаемого способа состоит в следующем. Обезжиренная, обработанная и отожженная алюминиевая фольга подвергается висмутированию с нанесением на нее аморфного селена. После сушки изоляционного материала - бумаги - производится вырубка ее с перфорацией. Далее производится резка фольги на полосы, представляющие собой анодные шины. Эти шины путем горячей напрессовки наносятся на бумагу, при этом селен заполняет перфорированные отверстия145800 в бумаге. После этого производится термическая обработка селенового слоя при температуре 110 в течение 3,5 час. Металлизация матриц (нанесение катодных шин) производится путем набрызгивания сплава кадмия с оловом под...

Способ изготовления диодной матрицы

Номер патента: 399914

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Чубов

МПК: G11C 11/36, G11C 5/02

Метки: диодной, матрицы

...ацалогичцо указаццому ыше. При этом образуется устройство, показанное ца чертеже.На чертеже приняты следующие обозцачеция: титацовые полоски 1 - 4 и оксцдироац.цые медные полоски 5, 6.Полученное устройство скрепляют л к) бы ч цзизвестцых способов ц формуот поочсрсдцым 5 пропусканием постоянного токацротцоположных иаиралециях, Напряжеццс формо ки 10 - -15 в; оптимальная плогцость г)11 0,8 - 1 а/см, продолжительность 10 )2 чиц.Образоваццыеказанным спосооом тзл;1 х О решетки ве 11 гильцые элемс 1)гылад 1)р зковыраженной асимметрией вольт-ампсрцоц .арактерис ики. Кратцость прямых и обрг) гцгх т 01 ОВ при цеоольцПх гапр 51 жеццях д)сПг 11 десятков тысяч.5 Оригинальным свойством узлового эг Псаявляется способность резко увеличиаь )-...

Устройство для ступенчатой регулировки постоянного напряжения с диодной защитой

Номер патента: 485523

Опубликовано: 25.09.1975

Авторы: Барбарчук, Догадин, Степанов, Цебро

МПК: H02J 9/06

Метки: диодной, защитой, постоянного, регулировки, ступенчатой

...под нагрузкой наблюдает- й ся искрообразование и потеря мощности нв сопротивлениях,Цель изобретения - исключить короткое замыкание смежных элементов источника питания при непрерывной ступенчатой регу лировке напряжения.Это достигается вк Устройство работает следующим образом.В зависимости от требуемого напряжения переключатель 13 устанавливается в одно, иэ рабочих положений, одновременно включается один из контакторов, например контактор 1, обеспечивая подключение избранной секции к выходному зажиму устройства через соответствующий диод 9.В момент регулирования напряжения, при переходе безобрывного переключателя 13 до фиксированного положения с одной позиции на другую, одновременно оказываютченными два смежных контвктора,...

Измеритель характеристик диодной структуры

Номер патента: 938170

Опубликовано: 23.06.1982

Автор: Чеснис

МПК: G01R 17/10

Метки: диодной, измеритель, структуры, характеристик

...12 Формируется напряжение уравновешивания, представляющее собой прямоугольный импульс напряжения с вершиной, модулированной переменным сигналом. Это напряжение при помощи сумматора 11 суммируется с импульсомЪнапряжения смещеЬия, поступающим от генеоатооа 7, Залеожка между импульсами запуска на выходе блока 13 и тем самым моменты запуска генераторов 7 и 8 подбираются таким образом, что на выходе сумматора 1 1 импульс уравновешивания, наложенный на импульсе смещения, был бы сдвинут по отношению начала последнего на интервал времени не меньше продолжительности переходных процессов уравновешенного . моста, Длительности уравновешивания и смещения при этом подбираются такими, что первая иэ них была бы не меньше продолжительности указанных...

Способ измерения давления остаточных газов в диодной рентгеновской трубке

Номер патента: 1667173

Опубликовано: 30.07.1991

Авторы: Базылев, Коротченко, Орехов

МПК: H01J 9/42

Метки: газов, давления, диодной, остаточных, рентгеновской, трубке

...На анод электроны не попадают, так как его потенциал ниже потенциала катода. Поэтому электроны колеблются в промежутке между анодом и катодом. При этом они набирают энергиювыше потенциала ионизации остаточного газа и ионизируют остаточный газ. Ионы, образовавшиеся в пространстве между анодом и максимумом потенциала на оси, идут на анод, создавая ток, пропорциональныйдавлению остаточного газа, Электроны, колеблющиеся между анодом и катодом, создают отрицательный объемный заряд, который удаляется из промежутка в паузе между импульсами положительным потенциалом на катоде,При упругих столкновениях с молекулами остаточного газа электроны могут диффундировать и дрейфовать в направлении стенки трубки, Поэтому длительность импульса должна быть...

Устройство для фиксации обрывов и коротких замыканий на корпус или подложку внешних выводов твердотельных интегральных схем с диодной изоляцией

Номер патента: 1691790

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Балабанов, Цветков, Шаевич

МПК: G01R 31/02, G01R 31/303

Метки: внешних, выводов, диодной, замыканий, изоляцией, интегральных, коротких, корпус, обрывов, подложку, схем, твердотельных, фиксации

...источника 5. При нали.чии на всех входах блока 6 компараторов 45потенциалов, отличных от нуля и меньшихнапряжения источника 5, на выходе блока 6компараторов имеется напряжение, соответствующее уровню "0",. В случае обрыва любой из клемм 3,1 - 50З.п микросхемы 1 на соответствующем входе блока 6 компараторов устанавливаетсянулевой потенциал, В случае обрыва клеммы 2, соединенной с подложкой кристалламикросхемы 1, нулевой потенциал устанавливается на всех входах блока 6 компараторов. В случае короткого замыкания любойиз клемм 3.1 - З.п микросхемы 1 на корпусили подложку кристалла на соответствующем входе блока 6 компараторов устанавливается полное напряжение источника 5. Появление на любом входе блока 6 компараторов нулевого потенциала,...