Гетероструктуры — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «гетероструктуры»
Способ определения постоянной решетки гетероструктуры
Номер патента: 1103125
Опубликовано: 15.07.1984
МПК: G01N 23/20
Метки: гетероструктуры, постоянной, решетки
...О дуемый образец, скалывая гетероструктуру по плоскости, перпендикулярной гетерогранице,облучают нолученную плоскость скола и по виду дифракционных линий судят о характере распределения постоянной решетки по толщине гетероструктуры, при этом изменение величины постоянной решетки по толщине гетероструктуры определяют по формуле где а(1) - постоянная решетки слоевгетероструктуры, А; 25а - постоянная решетки подоложки,М - разность длин волн дублетаК, иК,3,;М Ю.Ъ - средняя длина волны дублета,Ьг - расстояние между дифракционными линиями дублетаК и К на рентгенограмме, мкм;35Ьг(й) - зависимость расстояниямежду дифракционными линиями слоев гетероструктуры и подложки по толщине слоев, мкм, 40Размеры источника 1-2 мкм, что не.обходимо .для...
Способ получения гетероструктуры кремний-керамика высокотемпературного сверхпроводника
Номер патента: 1812762
Опубликовано: 27.08.1996
МПК: C04B 35/00
Метки: высокотемпературного, гетероструктуры, кремний-керамика, сверхпроводника
...печь и прогрев ают на воздухе прия температуре 920 С в течение 1 ч, Далееыи охлаждают его, растворяют слой керамики иы измеряют их спектр пропускания пластиныь в области 1100-800 см. Наблюдают полосуго поглощения ВаБ 1 О, интенсивностью примернов 15 что говорит о 4-5 кратном уменьшенииглубины переходного слоя. Электрофизичеге ские свойства ВТСП слоя следующие:Т,=90 К, Т=77 К,ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ Заказ 20 п Подписное ВНИИПИ, Рег. ЛР йй 040720 113834, ГСП, Москва, Раушская наб., 4/Б121873, Москва, Бережковская наб., 24 стр. 2. 3Изобретение относится к химии высокотемпературных сверхпроводников и можнайти применение при создании гетероструктур кремний-высокотемпературный сверхпроводник.Целью изобретения является уменьшениглубины переходного...