Гранатов — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «гранатов»
Способ обработки эпитаксиальных структур гранатов
Номер патента: 1059028
Опубликовано: 07.12.1983
Авторы: Данилов, Одарич, Рубан
МПК: C30B 1/02
Метки: гранатов, структур, эпитаксиальных
...виде квадратных пластин с размером ребра 7 мм.Образцы разделены на 3 группы и лодвергнуть 1 обработке: первая группа - в окиси гал" лия при различных режимах; вторая - в окиси алюминия лри различных режимах; третья. - в окиси кремния при различных режимах. Контроль парамет. ров после обработки (измерение гра диента показателя преломления в диф. Фуэионных слоях и толщина этих слоев проведен отдельно в каждом образце элипсометрическим методом.П р и м е р 1, Обработка в порошке оксида галлия. Структуру ЖИГ на подложке ГГГ помещают в мелкощюсперсный порошок окиси галлия (в кераммическом тигле 1, тщательно утрамбовывают порошок в тигле и устанавливают его в отжиговую печь. Температуру поднимают по 150-200 оС/ч до 1100 ОС, далее пленку...
Способ обработки монокристаллов гранатов
Номер патента: 1638221
Опубликовано: 30.03.1991
Авторы: Анисимов, Жеков, Кислецов, Мурина, Попов, Федоров
МПК: C30B 29/28, C30B 33/00
Метки: гранатов, монокристаллов
...Проведение отжига с темпера.турой более 400 С нецелесообразно,из-з а сложности высокотемпературныхпечей, Проведение отжига при температуре порядка 1000 С и более приводитк выпаданию фазы УА 10 э и т.д., кдиффузии атомов, что в свою очередьприводит к образованию точечных дефектов типа Г-центров, 0-вакансий ит.д,Длительность импульса лазерногоизлучения, которым проводят обработ -ку, равна 10 -1 О с и определяетсяэкспериментально, 40Уменьшение длительности импульсаприводит к тому, что времени для перехода частицы в новое кристаллическоесостояние становится недостаточно,то есть она находится при высокой 45температуре мало времени.Увеличение длительности, импульса приводит к уменьшению энергии вотдельном "пичке" лазерного импульсаи данной...
Шихта для выращивания монокристаллов ферромагнитного материала на основе висмут-кальций-железо-ванадиевых гранатов общей формулы в с f v о
Номер патента: 284778
Опубликовано: 15.07.1992
МПК: C01G 49/00, C30B 29/28
Метки: висмут-кальций-железо-ванадиевых, выращивания, гранатов, монокристаллов, общей, основе, ферромагнитного, формулы, шихта
...насыщения не превы шает 600 гс, а ширина линии Ферромагнитного резонанса не менее 1 э. Но известный материал обладает низ" ,кой намагниченностью и широкой линией Ферромагнитного резонанса,Для получения монокристаллицеских составов со значением Х, равным 1,38"1,46, увеличения намагниценнос ти и сужения линии Ферромагнитного резонанса, исходные компоненты берут в следующих соотношениях, вес.Ф: В 10 19,43-8,09СаСО 13,07-17,53Ре 0 34, 80-38,61Что з 5,95-8,79РЬО 26,75-26 98П р и м е р. Исходные компоненберут в соотношении, вес.4:В 1. 08,09, СаСО17,53, Рео з 38, 61;8,79, РЬ 0 26,98, Подвергают их випомолу и полученную смесь помещаюпечь для выращивания монокристаллПодъем температуры осуществляют сскоростью 150 С/ч до 1250 С/ч с...
Способ разбраковки гранатов при поисках алмазоносных кимберлитовых трубок
Номер патента: 2004914
Опубликовано: 15.12.1993
Авторы: Вильковский, Вишневский, Колесник
МПК: G01V 9/00
Метки: алмазоносных, гранатов, кимберлитовых, поисках, разбраковки, трубок
...а также рас 55 сматриваемая нами природа смещений в содержаниях миналов, связанная с обменными реакциями, накладывают Жесткие ограничения на соотношения между приращениями содержания миналов и их величиной пары гранатов целиком и полностью. 20 ну. В идеале должны выполняться следующие равенства:ЬП- =ЬП в - Ьп. -Ьпк. 0о о о о Ппи + Пув Пгр Пкн Ьпкн ф ЬппиС 2 1 (9)Ьпкн Д 2 ЬппифПоскольку Са д изоморфны в составе граната, знаки приращений Ьппи и Ьпки с одной стороны иЬ пгр, Ьпув - с другой - должны быть противоположными. Аналогичным соотношениям подчиняются и остальные приращения. На самом деле указанные соотношения практически никогда строго не выполняются, поэт му они заменены полуэмпирическими приближениями, обеспечивающими сходимость...