Кристалле — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «кристалле»
Способ возбуждения спиновых колебаний в ферромагнитном кристалле
Номер патента: 219642
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Моносов, Электроники
МПК: H01P 1/16
Метки: возбуждения, колебаний, кристалле, спиновых, ферромагнитном
...ЭффСКТИВЦОСТЬ ВОЗОУ)КДСЦИ 51.Г 1 ри кол соаци 5 и рсшстки кристалла с ах 1. плтудой б ца частоте О в крРСталле появляется ьнутрсцнее магнитное поле Н, той жечастоты, неоднородное в пространстве и раьное где у 0 - константа магнитострикцип;Ч, - намагниченность насыщения кристалла;10 1 - размер образца.Для иттрисвого фсррита-граната, например,4 л Ч= 1750 э, у, = 10- и, полагая отцосител ьнос смсщсцпе кристалла, типичное для маг 15нптострикцпонных излучателей, - "-10по 1лучаем (Н/ 1 э, совпадающее по порядку величины с шириной гцщии поглощеш 1 я (2 ЛН) феррита и поэтому при фсрромагни 1- ном резонансе существенно влияюцсс ца свой ства сппновых колебашй в кристалле,Таким образом, если в кристалле возбуждены электромагнитные колебания (при...
Способ измерения временной зависимости упругого когерентного рассеяния нейтронов в кристалле
Номер патента: 270103
Опубликовано: 01.01.1970
Автор: Нитц
МПК: G01T 1/29, H01J 47/12
Метки: временной, зависимости, когерентного, кристалле, нейтронов, рассеяния, упругого
...чтобы во время переходного процесса рассеивались нейтроны необходимой длины волны.Многоячеистый детектор 5 представляет собой, например, ряд газоразрядных счетчиков, установленных вплотную один к другому перпендикулярно плоскости рассеяния нейтронов по дуге окружности с центром на образце. Ячейки детектора через блок пропускания б соединены с многоканальным временным анализатором 7, запускаемым синхронно с каждым импульсом внешнего поля. Блок пропускания 6 открывается для прохождения импульсов на анализатор 7 поочередно со всех ячеек детектора 5, начиная с первой ячейки, соответствующей нейтронам с наибольшей скоростью. При этом время разрешения уменьшается до нескольких микросекунд.В случае использования импульсного источника...
Способ измерения временной зависимости упругого когерентного рассеяния нейтронов в кристалле
Номер патента: 305522
Опубликовано: 01.01.1971
Автор: Нитц
МПК: G01T 1/29, H01J 47/12
Метки: временной, зависимости, когерентного, кристалле, нейтронов, рассеяния, упругого
...нейтроны 5 време)и т переходно руются в течение бо Выражение для предлагаемого способ ной относительной с 0 образца, воздепствия ля, запуска времснног ки источника пейтроннтся в таком направлет рассеиваемых в детекчивается. Это приводитрассеянные в течение го процесса, регистрильшего времени.временного разрешения а при условии идеальннхронизацип вращения на него импульсов поо анализатора и вспышов, записывается в виде:)1 - мозапчность монокрисчисло оборотов в едннт ем ни;скорость света;длина волны регистрируемых нейтронов;т, - размер образца в направлении рассеянного пучка;т, - толщина активного с,т - размер образца в рправлении;сВ =0,25 10-з лсеклА - коэффициентпропорциональности;Редактор оича Иад. М 855 Тирагк 73 Подиисшк дслаги...
Способ управления элементом индикации на жидком кристалле
Номер патента: 452796
Опубликовано: 05.12.1974
МПК: G02F 1/28
Метки: жидком, индикации, кристалле, элементом
...способ,Устройство содержит генератор синусоидального напряжения 1, например, частотой 7 кгц, ЭИЖК 2, коммутатор включения и выключения 3, преобразователь 4О .синусоидального напряжения в пульсиру мнемонически наковых и мозань индикаторах,вестен способ управления элем ции на жидком кристалле (ЭИ еского типа, заключающийся в ля включения ЭИЖК использую ое напряжение или напряжение нди ат ом,почто стоян кой ч юще тоты, а для ускоренного выключеапряжение высокой частоты. Этот Управление эле чается в следуюше Управляющий и тк на вход а. коммут чает генератор 1 к ЭИЖК 2. В это напряжение возбу яние в ЭИЖК 2. Д новления исходног индикации после оментом индикации за авления э ек я сократить периодо состояния ЭИЖКбыстродействие мпульс...
Способ измерения времени релаксации носителей заряда в кристалле
Номер патента: 512422
Опубликовано: 30.04.1976
Авторы: Бугаев, Гуляев, Иванов, Мансфельд, Хазанов
МПК: G01N 29/00
Метки: времени, заряда, кристалле, носителей, релаксации
...ультразвуковую волну, измеряют разность потенциалов в направлении распространения волны и проводимость в перпендикулярном направлении.При распространении по кристаллу высокочастотной ультразвуковой волны (УЗВ) 25из-за механизма электронфотонного взаимодействия звук поглощается электронами и ихсредняя энергия (температура) увеличивается. В области температур, где подвижностьносителей заряда зависит от их энергии, ука- ЗО анное увеличение температуры электронов риводит к изменению сопротивления образ ца Йо, которое дается выражением гд К - постоянная Больцмана;То - температура образца;аав - величина электронного поглощенияУЗВ;и" аэ - мощность УЗВ потока;о - показатель степени зависимости времени релаксации импульса электро.нов от...
Способ изготовления диодного или транзисторного р-п перехода на полупроводниковом кристалле п-типа
Номер патента: 621239
Опубликовано: 15.08.1979
МПК: H01L 21/02
Метки: диодного, кристалле, п-типа, перехода, полупроводниковом, р-п, транзисторного
...по делам изобретений и открытий 113035 Иосква ЖРа ская наб. . 4 5филиал ППП Патент, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 тем самым более четкую, гранину между р-п"областями, увеличивая эффектвыпрямления и, следовательно, улучшая качество изделий,Примеры выполнения предлагаемого способа.П р и м е р 1. Изготовление полевого транзистора из монокристалла.кремния и-типа с исходным удельнымсопротивлением 100 Ом см, выращенного по методу Чохральского и содержащего ростовые дислокации10 смДеформацию осуществляют пуансонамииз ЯО при 900 С втечение, ЬО мйнс нагрузкой 1 кг/мм 2. Толщина исходной пластины кремния равна 0,1 мм.Для одновременности проведения дефор"мации и легирования перед началомдеформации на острия пуансонов наь 3носят каплю спиртового...
Способ стабилизации контрастностиэлектрооптического модулятора напироэлектрическом кристалле
Номер патента: 830278
Опубликовано: 15.05.1981
Авторы: Говорухина, Малков, Неверов, Филев
МПК: G02F 1/03
Метки: контрастностиэлектрооптического, кристалле, модулятора, напироэлектрическом, стабилизации
...литияв диапазоне температур 213-333 К сионизацией окружающего кристалл воздуха и без ионизации в исходномсостоянии - при комнатной температуре - койтрастность модулятора равняется 1000 (на чертеже точка А. Оптические потери в модуляторе (безучета френелевских потерь) определяются поглощением в кристалле и контрастностью, и составляли не более0,5. Скорость изменения температуры кристалла поддерживается 4 К/мин.На чертеже приведены типичные зависимости контрастности модулятора взависимости от температуры при двухрежимах - с ионизацией (кривая, проведенная сплошной линией) и без ионизаций (кривая, проведенная пунктирной линией). Ионизация воздуха фпроизводится коронным разрядом, при 1830278 Формула изобретения ьдЮоив юэ ги ги га ю жз ТИАР...
Способ возбуждения люминесценции в щелочногалоидном кристалле
Номер патента: 1002716
Опубликовано: 07.03.1983
Авторы: Авотиньш, Бриедис, Бугаенко, Готлиб, Дзелме, Крейшмане, Тиликс
МПК: F21K 2/00
Метки: возбуждения, кристалле, люминесценции, щелочногалоидном
...до 1000.Число Рейнольдса, хара еережим движения жидкости д щегося диска, определяется еке щГН,где 18 - число Рейнольдса;св - угловая скорость вращениядиска,Г - радиус диска,кинематическая вязкостьжидкости,Вращаясь, диск заставляет жидкостьциркулировать в направлении от центрадиска к краю, что обеспечивает прискорости вращения менее критической,т.е. при ламинарном режиме движенияжидкости, постоянство скорости растворения по всей поверхности диска1002716 Формула изобретения Составитель А. КоробовРедактор Н. Киштулинец Техред К.Мыцьо Корректор С, Шекмар Заказ 1501/13 Тираж 562 Подписнбе ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, .Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул....
Способ рега записи и считывания оптической информации в щелочно-галоидном кристалле, активированном ртутеподобными ионами
Номер патента: 1010657
Опубликовано: 07.04.1983
Авторы: Баранов, Данилов, Жеков, Мурина, Нагли
МПК: G11C 13/04
Метки: активированном, записи, информации, ионами, кристалле, оптической, рега, ртутеподобными, считывания, щелочно-галоидном
...радиацией, например электронами большей энергии, а при считыванииинформации необходимо одновременнооблучение кристалла интенсивным светом из области поглощения Г-центрови когерентным светом из области излучения активатора.Наиболее близким по техническойсущности к предлагаемому являетсяСпособ записи оптической информации,ультрафиолетовым светом на щелочногалоидных кристаллах, активированныхионами Ая- или 0 о, или Аи и катионной примесью (Ма+, т) щелочногометалла. Известный способ применяется для записи информации ультрафиолетовым светом иэ области поглощения анионного активатора, а длясчитывания используется свет из области Г-полосы поглощения, при этомв качестве ответного сигнала используется рекомбинационное свечениеАдМ-центров 2...
Способ определения концентрации центров, находящихся в кристалле в возбужденном триплетном состоянии
Номер патента: 1061016
Опубликовано: 15.12.1983
Авторы: Баграев, Власенко, Рожков
МПК: G01N 24/10
Метки: возбужденном, концентрации, кристалле, находящихся, состоянии, триплетном, центров
...с парамагнитными центрами, поляризация которых Р отличается приосвещении от равновесной поляризации РНа фиг. 1 приведена схема энергетических уровней центра в возбужденном триплетном состоянии и сигналыЭПР; на фиг. 2 - зависимость степени оптической поляризации ядер решетки кремния, содержащего центры,находящиеся при освещении в возбужденном триплетном состоянии, от величины магнитного поля Н, на фиг.3 зависимость измеренной концентрациицентров, находящихся в кристаллекремния в возбужденных триплетныхсостояниях, от интенсивности света.Центры в возбужденном триплетномсостоянии имеют спин Я=1 В сильноммагнитном поле Н 0 три энергетическихподуровня триплетного центра характеризуются значениями проекции.спина Я 2 на направление...
Способ рега записи оптической информации в щелочногалоидном кристалле, легированном активатором
Номер патента: 1084892
Опубликовано: 07.04.1984
Авторы: Воронова, Калнынь, Объедков, Плявинь, Рапопорт, Тале, Тарновский
МПК: G11C 13/04
Метки: активатором, записи, информации, кристалле, легированном, оптической, рега, щелочногалоидном
...Лис ю в гва этапа. сначала светом кристалла.,Поставленная цель достигается тем, что согласно способу записи оптической информации в щелочногалоидном кристалле, легированном активатором, заключающемуся в последовательном облучении всего кристалла светом из первой и второй областей поглощения и последующем локальном облучении кристалла информационным световым потоком изспектральной области поглощенияаквтиватора, причем облучение кристалла из второй области поглощенияпроизводят светом из спектральнойобласти поглощения Г-центров, а облучение кристалла из первой областипоглощения производят светом из области длинноволнового спада полосы поглощения триплетных анионных экситОНОВПри этом на первом этапе в результате облучения активной среды...
Способ рега записи и считывания оптической информации в активированном щелочно-галоидном кристалле
Номер патента: 1088071
Опубликовано: 23.04.1984
МПК: G11C 13/04
Метки: активированном, записи, информации, кристалле, оптической, рега, считывания, щелочно-галоидном
...задержки должен быть соизмерим со временем образования рабочих центров окраски, 4 МД оГЯ.ц.ои также желательно, чтобы импульсы записывающих сигналов были короче времени образования центров окраски"Зюп "06 Р И,Огде Т условно можно принять характеризующим время, за которое интен 1 08807 2Изобретение относится к областитехники, связанной с оперативной обработкой аналоговой информации припомощи света, в частности к запоминающим устройствам в радиолокационной технике.Известен способ записи и считывания оптической информации, заключающийся в облучении щелочно-галоидного кристалла при записи ультрафиолетовым светом в полосе поглощения активаторного центра или фундаментального поглощения щелочно-галоидного кристалла, а при считывании -...
Способ рега считывания оптической информации в активированном щелочно-галоидном кристалле
Номер патента: 1109805
Опубликовано: 23.08.1984
МПК: G11C 11/42
Метки: активированном, информации, кристалле, оптической, рега, считывания, щелочно-галоидном
...люминесценции,Запись оптической информации при З 5этом производят ультрафиолетовым светом из полос высокоэнергетическогопоглощения активатора или фундаментального поглощения щелочно-галоид-чого кристалла 2"). 40Недостатком известного способа счи.тывания оптической информации является возможность производить обработку только интенсивности записаннойаналоговой инФормации. Однако оптический сигнал характеризуют: длинаволны, поляризация, интенсивность,направленность (когерентность) .Целью изобретения является расшиРение функциональных возможностей спо-соба путем обеспечения возможностиопределения длины волны (энергии)записывающей ультрафиолетовой радиации.Поставленная цель достигается тем,что согласно способу РЕГА считыванияоптической...
Способ записи оптической информации в щелочно-галоидном кристалле, легированном активатором
Номер патента: 1411825
Опубликовано: 23.07.1988
Авторы: Брацлавец, Калнин, Плявинь, Рапопорт, Тале, Тарновский
МПК: G11C 13/04
Метки: активатором, записи, информации, кристалле, легированном, оптической, щелочно-галоидном
...анионных экситонов (фундаментальнойобласти поглощения кристалла), Привоздействии квантов света из этойспектральной области при комнатнойтемпературе создаются подвижные автокатализующиеся экситоны, которыепреимущественно распадаются на Р, НФФпары вблизи А - типа центров, Нцентры являются подвижными возбужденными состояниями и уходят с местараспада; на месте распада остаетсяР-центр и близлежащии А -типа центр,т,е, образуется пара Р, А - типацентров, Распределение концентрациипар этих центров по кристаллу (активной среде) представляет собойскрытую форму записанной информации.В принципе эта скрытая форма позволяет осуществить в дальнейшем как когерентную, так и некогерентную формуобработки информации, При когерентной форме используется...
Способ записи и стирания оптической информации в щелочно галоидном кристалле
Номер патента: 1451771
Опубликовано: 15.01.1989
МПК: G11C 13/04
Метки: галоидном, записи, информации, кристалле, оптической, стирания, щелочно
...возможности регистрацииградационного изображения объекта вщелочно-галоидном кристалле,Способ записи и стирания оптической информации в щелочно-галоидном кристалле заключается в том, чтощелочно-галоидный кристалл облучаютультрафиолетовым излучением, а затемнагревают щелочно-галоидный кристаллдо 110-120 С и.проецируют на негоизображение видимым светом в течение 5-20 мин, а стирание осуществляютнагреванием щелочно-галоидного кристалла при 550410 С в течение 1-2 мин.В качестве регистрирующего слояиспользуются монокристаллическиепластины щелочно-галоидного кристалла, сенсибилизированные отжигомв парах матричного катиона. Для записи градационного изображения кристалл предварительно окрашивается путем облучения его поверхности нефильтрованным...
Способ получения когерентного излучения на f+2 -центрах в кристалле фтористого лития
Номер патента: 1414266
Опубликовано: 09.07.1995
Авторы: Иванов, Иншаков, Хулугуров
МПК: H01S 3/16
Метки: излучения, когерентного, кристалле, лития, фтористого, центрах
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОГЕРЕНТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА F+2 -ЦЕНТРАХ В КРИСТАЛЛЕ ФТОРИСТОГО ЛИТИЯ, включающий облучение кристалла ионизирующим излучением и накачку его излучением импульсных газоразрядных ламп, отличающийся тем, что, с целью повышения энергии излучения путем увеличения концентрации рабочих центров окраски при одновременном упрощении способа, облучают кристалл ионизирующим излучением при температуре 78 243 К.