Квантрон — Метка (original) (raw)

Патенты с меткой «квантрон»

Квантрон

Номер патента: 991509

Опубликовано: 23.01.1983

Метки: квантрон

...джозефсоновском контакте5 близка к Ь/2, а в контуре наводится дополнительный циркулирукщкй ток. Направление тока в шине б выбирается таким образом, чтобы дополнительный магнитный поток совпадал по знаку фф с потоком смещения фс/2. На фиг.1 в шинах 4 к 6 стрелками показаны направления токов для этого случая. . Ток управления вызывает смещение одновременно и по внутреннему потоку 63( й /2), поскольку он жестко связан с Фазой на втором контакте, и по внешнему потоку вследствие дополнительного наведенного циркулирующего тока. В результате кривая 1 сдвигается так, что теперь зависимость внутреннего магнитного потока от внешнего описывается кривой 2.Для переключения квантронон в одну или несколько нходных шин подает ся входной.ток (это может...

Квантрон

Номер патента: 1282790

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Копылов, Коргачин, Сапрыгин, Щедров

МПК: H01S 3/04

Метки: квантрон

...4 изготавливались из индия, Прокладки 4 расположены симметрично относительноплоскости, проходящей через ось ак".тивного элемента 2 и лампы 1 накачки.В конкретном примере выполненияактивный элемент 2 располагается вдержателе б из прозрачного телепроводного материала, а лампа накачкиконтактирует с отражателем, Контактосуществляется путем прижатия лампы1 накачки к ситалловым пластинам 3.Диффуэно-селективное отражение ситалла обеспечивается -эа счет температур 40ной обработки,После обработки ситалл обладаетвысоким коэффициентом отражения вполосах накачки активного элемента ивысоким поглощением в инфракраснойобласти,. в частности прй длине волны падающего излучения вьппе 0,9 мкм,При обработке ситалл сохраняет высо-кую термическую...

Квантрон твердотельного лазера

Номер патента: 1721681

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Дьяконов, Лян, Михайлов, Пак, Тюков, Щербаков

МПК: H01S 3/02

Метки: квантрон, лазера, твердотельного

...Й в поперечном сечении активного элемента ИСГГ; Сг, Йбб.усредненное по длине АЭ для известного квантрона; на фиг. 3 - то же, для предлагаемого квантрона; на фиг, 4 - зависимость коэффициента однородности Р распределения коэффициента усиления от угла р для АЭ из кристалла ИСГГ: Мб, Сг; на фиг, 5 - распределение интенсивности по сечению пучка выходного излучения ИСГГ; Сг, Иб .лазера при использовании извф.стного кван- трона; на фиг, 6 - то же для предлагаемого квантрона; на фиг, 7 - зависимость энергии импульсов излучения ИСГГ: Сг, Мб лазера Ог от энергии накачки С 4 для известного и предлагаемого квантрона при р = 90 град.Квантрон твердотельного лазера (фиг,1) содержит осветитель 1 цилиндрической формы, в котором размен ены активный...

Квантрон моноимпульсного лазера

Номер патента: 1466600

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Артемьев, Батище, Кузьмук, Малевич, Мостовников, Толстощев

МПК: H01S 3/09

Метки: квантрон, лазера, моноимпульсного

КВАНТРОН МОНОИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРА, содержащий цилиндрический отражатель и расположенные в нем активные элементы и по крайней мере одну лампу накачки, продольные оси которых параллельны, отличающийся тем, что, с целью повышения энергии излучения в моноимпульсном режиме работы, в отражателе дополнительно установлена по крайней мере одна перегородка из материала, поглощающего излучение на длинах волн генерации, причем перегородка установлена между активными элементами в плоскости, проходящей через продольную ось лампы накачки.