Liio3 — Метка (original) (raw)
Способ выращивания кристаллов -liio3
Номер патента: 1309621
Опубликовано: 20.03.1996
Автор: Рубаха
МПК: C30B 29/10, C30B 7/02
Метки: liio3, выращивания, кристаллов
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ -LiIO3, основанный на методе испарения, включающий испарение растворителя из исходного раствора LiIO3 и HIO3, приготовленного при температуре t0, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и снижения себестоимости кристаллов, рост кристаллов проводят при температуре t, связанной с кислотностью исходного раствора соотношением 1,5 - 0,007 (t - t0), где
Способ выращивания монокристаллов иодата лития -liio3
Номер патента: 1294027
Опубликовано: 27.03.2000
Авторы: Денькина, Исаенко, Якушев
МПК: C30B 29/10, C30B 7/02
Метки: liio3, выращивания, иодата, лития, монокристаллов
Способ выращивания монокристаллов иодата лития -LiIO3 из нейтрального исходного раствора иодата лития, включающий регенерацию затравки и последующий рост при изотермическом испарении раствора при температуре 60 - 65oC и поддержании постоянной его степени пересыщения, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов диаметром 50 - 70 мм с высокой оптической стойкостью, используют исходный раствор иодата лития, общее содержание микропримеси в котором не превышает 10-5%, регенерацию затравки осуществляют при подъеме температуры со скоростью 10 - 15oC/сутки и рост ведут при степени...