Магниторезистивный — Метка (original) (raw)

Патенты с меткой «магниторезистивный»

Магниторезистивный датчикплтшис-кtavltoah

Загрузка...

Номер патента: 349961

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Котенко, Ленинградский, Пикулев

МПК: G01R 33/00

Метки: датчикплтшис-кtavltoah, магниторезистивный

...зависимостью.Датчик (см. чертеж) содержит основноймногоэлектродный магниторезистор 1, размещенный в постоянном магнитном поле смеще.ния Вс, и несколько вспомогательных магниторезисторов 2, расположенных,в управляющем магнитном поле В,В создаваемом катушками 3,Многоэлектродный магниторезистор 1 представляет собой полупроводниковую пластину. 25К торцовым граням пластины присоединеныосновные электроды, а к боковым - несколь.ко пар управляющих электродов. К каждойпаре управляющих электродов подключеныдвухэлектродные магниторезисторы 2. 30 При подаче электрического сигнала в катушки 3 магнитное поле этих катушек будет воздействовать на магниторезисторы 2. Это вызовет изменение сопротивления этих резисторов, что, в свою очередь, вызовет...

Магниторезистивный датчик

Загрузка...

Номер патента: 371539

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Козлов, Ротарь

МПК: G01R 33/095

Метки: датчик, магниторезистивный

...включении датчика в электрическую цепь, а третий омический контакт 3 является общим при включении датчика в электрическую цепь.Датчик представляет собой линию передачис переменными параметрами элекгрическои энергии от источника 4 к сопротивлению 5 нагрузки. Параметры, определяющие внутреннис потери электрической энергии в линии, зависят 1;, от напряженности магнитного поля в окружающем линию пространстве. Если потери энергии в линии малы, то мало и пада ощее на ней напряжение, а напряжение, выделяющееся на сопротивлении Б нагрузки, составляет существенную часть напряжения питания.Прп больших потерях электрической энергии, т. е. при большом падении напряжения в линии, напряжение, выделяющееся на зажимах сопротивления нагрузки, составляет...

Магниторезистивный преобразователь угла поворота в электрический сигнал

Загрузка...

Номер патента: 453562

Опубликовано: 15.12.1974

Авторы: Барановский, Изобретени, Исаев, Кондрашов, Лексаченков, Ломова

МПК: G01B 7/30

Метки: магниторезистивный, поворота, сигнал, угла, электрический

...симметрично относительно кольцевого полупроводникового элемента, и разноименные полюса первой и второй пары магнитов расположены один напротив другого.На фиг, 1 приведена принципиальная схема преобразователя; на фиг. 2 - сечение по А - А на фиг, 1; на фиг. 3 - сечение по Б - Б на фиг. 1.Преобразователь состоит из кольцевого чувствительного элемента 1, выполненного из полупроводникового магниторезистивного вещества (например антимонида индия), нанесенного 1 на диэлектрической подложке 2, с центральным отверстием и четырех постоянных магнитов 3, занимающих скоторые расположены попарно д ртив другого на общей оси 4.Участки кольцевого полупроводниково;о5 элемента между входными 5 и выходными 6клеммами образуют равноплечий...

Магниторезистивный преобразователь перемещений

Загрузка...

Номер патента: 458009

Опубликовано: 25.01.1975

Авторы: Зарипов, Сафинов

МПК: G01B 7/30

Метки: магниторезистивный, перемещений

...расположенных так, что баланс их э.д.с. близок к нулю.На чертеже представлен предложенный преобразователь.Он содержит и топроводный цилиндр 1, внутри нцентрично устамет изобретения олый магни которого ко ИзотрольисполличньИзвтельводньтричнцилинположчик. новлен второй магнитопроводный цилиндр 2.На поверхности последнего напылены два магниторезистора 3 и 4 с кольцевыми выводами 5 - 7. Резисторы расположены симметрично относительно явновыраженного полюса 8 цилиндра 1 и включены в схему 9, фиксирующую баланс этих сопротивлений, У второго торца цилиндра 1 установлена обмотка 10 возбуждения магнитного поля, обхватываю 10 щая цилиндр 2,Преобразователь функционирует следующим образом. При возбужденном магнитном поле устанавливается...

Магниторезистивный датчик угла

Загрузка...

Номер патента: 488056

Опубликовано: 15.10.1975

Авторы: Барановский, Бодин, Лексаченков

МПК: G01B 7/30

Метки: датчик, магниторезистивный, угла

...немагнитном основании и 20 расположенных в зазоре между магнитопроводами, отличающийся тем, что, с целью устранения момента тяжения, в нем второй магнитопровод выполнен также в виде витка винтовой линии, причем витки магнитопрово дов имеют одинаковый шаг, расположеныподобно и жестко связаны посредством двух параллельно ориентированных постоянных м агнитов. Изобретение относится к магниторезис вным преобразователям сигналов и может б ть использовано в качестве бесконтактного информационного преобразователя угловых величин в электрический сигнал.Известны магниторезистивные датчики угла, состоящие из параллельно ориентированных постоянных магнитов, двух магнитопроводов, один из которых выполнен в виде витка винтовой линии,...

Магниторезистивный преобразователь

Загрузка...

Номер патента: 514187

Опубликовано: 15.05.1976

Авторы: Барановский, Бодин, Лексаченков, Погодин, Тихомиров

МПК: G01B 7/30

Метки: магниторезистивный

...для измерения углов поворота.В основном авт. св. 453562 описан магнито. резистивный преобразователь, содержащий неподвижный кольцевой полупроводниковый элемент и соосно с ним расположенные с разных сторон две пары постоянных магнитов, выполненные в виде секторов, симметричных относительно оси вращения.В предлагаемом преобразователе одна пара магнитов установлена с возможностью поворота вокруг своей оси относительно другой пары. Это обеспечивает симметричность характеристики выходного напряжения.На фиг. 1 представлена принципиальная схема преобразователя; на фиг. 2 и 3 - сечение по А - А и Б - Б на фиг. 1 соответственно.Преобразователь содержит чувствительный элемент, выполненный в виде кольцевого полупроводникового кольца 1 на...

Двухкоординатный магниторезистивный датчик перемещений его варианты

Загрузка...

Номер патента: 926518

Опубликовано: 07.05.1982

Авторы: Новиков, Пужляков

МПК: G01B 7/008

Метки: варианты, датчик, двухкоординатный, магниторезистивный, перемещений

...и в вершине угла каждого элемента и ориентированы по соответствующей координатной оси,Датчик работает следующим образом.В исходном положении пар 2 полюсов магнитной системы относительно магниторезистивных элементов 3 магнитный поток, создаваемый ими, воздействует на участки одинаковой длины магниторезистивных элементов 3 из-за чего сопротивления всех плеч обеих мостовых измерительных схем для измерения перемещений по осям Х и Чодинаковы и сигналы на измерительных диагоналях 8 - 10 и 9 - 11 этих схем равны нулю, При взаимном относительном перемещении пар 2 полюсов магнитной системы датчика и магниторезистивных элементов 3 по одной из координатных осей увеличиваются со-. противления участков магниторезистивных элементов 3 тех двух...

Магниторезистивный датчик перемещений

Загрузка...

Номер патента: 1027657

Опубликовано: 07.07.1983

Автор: Пужляков

МПК: G01R 33/095, H01L 43/08

Метки: датчик, магниторезистивный, перемещений

...двух плеч моста, на которыенадвинулся управляющий элемент, увеличится на величину Ьй, а сопротивление двухплеч, с которых сдвинулся управляющийэлемент, уменьшится; на величину (-дР).Это приводит к разбалансировке моста.На выходных клеммах формируется сигнал пропорциональный величине смещения)управляющего элемента, причем максимальный сигнал будет при смещении управляющего элемента магнитной системы к одному из концов (правому или левому)чувствительных элементов 2 ,К недостатку известного датчика относится то, что диапазон, в котором величина сигнала пропорциональна величине смещения управляющего элемента, составляет 0,5 длины чувствительного элемента, сужает объем его использования."4 увствитеьные элементы магниторезисторов изготавливают...

Магниторезистивный преобразователь угла поворота в код

Загрузка...

Номер патента: 1364862

Опубликовано: 07.01.1988

Авторы: Барановский, Игуменов, Лапин, Лебедев, Сурков

МПК: G01B 7/30

Метки: код, магниторезистивный, поворота, угла

...в виде полудиска, закрепленного на оси вращения. При вращении магнита магнитный поток перемещается вдоль магниторезистора 6, изменяя сопротивление последнего относительно средней точки, что приводит к изменению напряжения на выходе преобразователя в функции угла поворота. Из чертежа следует, что ток, протекающий через магниторезистор 6, равен(2) Е х(К)О + Е,ььк 2 1(К+1)Поскольку выходное напряжение снимается относительно средней точкиисточника 1 питания, тох (К)Б =Е - . (371(К+1)Из фоРмулы (3) следует, что выходное напряжение является функцией коэффициента резистивного отношения,который зависит от температуры,Для уменьшения зависимости вы 25 ходного напряжения от изменения температуры окружающей среды в предлагаемый преобразователь...

Магниторезистивный сплав

Загрузка...

Номер патента: 1534082

Опубликовано: 07.01.1990

Авторы: Барабанова, Баранов, Козлов

МПК: C22C 5/00, H01L 43/08

Метки: магниторезистивный, сплав

...в дуговой печи с нерасходуемым вольфрамовым электродом на водоохлаждаемом медном поддоне в атмосфере гелия, Масса каждого слитка 1 г. После плавки слитки отжигают в печи сопротивления в течение 70 ч при 1000 С в вакууме, Охлаждение проводят с печью. Для измерения электросопротивления из слитков вырезают образцы призматической формы длиной около 6 мм и сечени- ем 1 мм 2. Измерения электросопротивле1534082 лях до 7 Тл, величина.магниторезистивного эфФекта К(0)/К(НТаким образом, величина магниторезистивного эффекта в предлагаемых сплавах значительно выше, чем у известного. Мире диапазон температур, при которых большие изменения электросопротивления происходят в магнитных полях до 7 Тл,Формула изобретения 20 Состав сплавов и результаты...

Магниторезистивный сплав

Загрузка...

Номер патента: 1700080

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Барабанова, Баранов

МПК: C22C 5/00

Метки: магниторезистивный, сплав

...59,2-60,0 Палладий 3,0-4,0 Иридий 2,1-3,2 Железо Остальное П р и м е р. Сплавы выплавляют в дуговой печи с нерасходуемым вольфрамовым электродом на еодоохлаждаемом медном поддоне в атмосфере гелия. Выплавленные слитки отжигают в печи сопротивления в течение 70 ч. при 1000 С в вакууме, Охлаж. дение проводят с печью, Для измерения электросопротивления из слитобразцы призматической фоколо 6 мм и сечением 1 ммэлектросопротивления правоконтактным потенциометрическим методом с помощью потенциометра Р-2 (класс 0,002). Контакты к образцу прикрепляют с помощью электросварки. Магнитное поле с индукцией до 7,5 Тл создается сверхпрово дящим соленоидом, Температуру образцов измеряют с помощью термопары медь-кон стантан и термопреобразователя...

Магниторезистивный преобразователь угла поворота в электрический сигнал

Загрузка...

Номер патента: 1702171

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Барановский, Воронцов, Лебедев

МПК: G01B 7/30

Метки: магниторезистивный, поворота, сигнал, угла, электрический

...образом.Магнитная цепь образуется двумя постоянными магнитами, выпоЛненными е виде секторов в 90 О, закрепленных на оси вращения магниторезистора. При вращении магнита магнитный поток перемещается вдоль магниторезистора, изменяя сопротивление последнего относительно1 ъ 1выводов питания Г и Г, что приводит к изменению напряжения на выходе преобразователя в функции угла поворота,Напряжение с основных выводов А -А" поступает на усилитель 2, который е рабочем диапазоне перемещений через компаратор 7 управляет ключами 5 и 6. При повороте оси магнитореэистора 9 по часовой стрелке компаратор 7 подключает через управляющие входы аналоговых ключей 5 и16 выводы В, и б магниторезистора 9 к входам сумматора 8, При повороте против часовой стрелки...

Магниторезистивный датчик

Загрузка...

Номер патента: 1807534

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Касаткин, Муравьев

МПК: H01L 43/08

Метки: датчик, магниторезистивный

...датчике постоянного электрического тока, протекающего через контакты 9, 11, намагниченность в магниторезистивных элементах 1 - 16 устанавливается в двухслойных магнитных пленках вдоль оси легкого намагничивания (ОЛН) и антипараллельно.друг другу. При подаче постоянного электрического тока в. датчи к воздействием воз н икающих магнитных полей от токов в различных магнитных пленках на намагниченность датчика можно пренебречь, . т,к, эти поля много меньше поля анизотропии, Пусть внешнее магнитное поле подается в плоскости датчика под углом а к ОЛН, В идеальном случае. когда толщины магнитных, пленок одинаковы, размагничивающих полей нет, и перемагничивание происходит когерентным вращением. Под действием внешнего магнитного поля...