Микросхемы — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «микросхемы»
Элемент интегральной микросхемы
Номер патента: 354768
Опубликовано: 01.01.1972
Автор: Ходак
МПК: H01L 29/00
Метки: интегральной, микросхемы, элемент
...те я тока утечки, уве электродами по и ой диэлектрика. росхемь ий из д и актичто,ичения форме напрэлектр ного м с цел стабил распол Элемент 5 мер плана ческой под териала,уменьшени ности, под 20 жен подслс присоединением заявкиИзобретение относится к электронной технике и может быть использовано на предприятиях, изготавливающих тонкопленочные элементы и схемы.Цель изобретения - уменьшение тока утечки и увеличение стабильности устройства.Достигается это тем, что под электродами по их форме расположен подслой диэлектрика.На чертеже представлен элемент интегральной микросхемы.Устройство состоит из подложки 1, электродов 2, активного материала 3 и подслоя из диэлектрика 4.Применение подслоя диэлектрика под электродами, протравленного...
Корпус интегральной микросхемы
Номер патента: 388375
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: H05K 5/03
Метки: интегральной, корпус, микросхемы
...стеклянного основания с выводами и спаянный с коваровым колпачком. Интегральная микросхема основанием припаивается к колпачку и соединяется с выводами корпуса проволочными перемычками. Герметизация интегральной микросхемы осуществляется с помощью металлической крьтшки баллона, припаиваемого к колпачку.Однако,при монтаже интегральной схемы с объемными выводами групповым методом, например методом перевернутого кристалланадежность механического крепления интегральной микросхемы на основании недостаточко высока; недостаточно хорошие,и условия теплоотвода, так как механическое крепление и отвод тепла могут быть осуществлены только с помощью выводов кристалла.Цель изобретения - повышение надежности механического крепления интегральной...
Устройство для крепления микросхемы на печатной плате
Номер патента: 373910
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Сергеев
МПК: H05K 13/04
Метки: крепления, микросхемы, печатной, плате
...целью по- уменьшения выполнен в иновиднымидвух ее про- действующиИзобретение относится к области микроэлектроники и, в частности, к устройствам для монтажа микросхем на печатной плате.Известны устройства для крепления микросхем на печатной плате, содержащие держатель с расположенной в нем микросхемой и фиксатор,С целью повышения надежности фиксации микросхемы на печатной плате и уменьшения габаритов устройства, фиксатор в предлагаемом устройстве выполнен в виде рамки с вертикальными клиновидными выступами, расположенными на двух ее противоположных сторонах и взаимодействующими с пазами держателя.На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство для крепления микросхем на печатной плате; на фиг. 2 - фиксатор.Предлагаемое устройство содержит...
Контактная плата микросхемы
Номер патента: 497655
Опубликовано: 30.12.1975
Авторы: Локтаев, Макаров, Малявко, Русаков
МПК: H01K 1/02
Метки: контактная, микросхемы, плата
...равны соответственно 0,5 - 0,7 и 0,7 - 0,8, а отношение ширины,проводника к ширине контакгной площадки 0,5 - 0,6.На чертеже показана предлагаемая контактная плата микросхемы.Контактная плата содержит изолирующую подложку 1, на которой размещены по крайней мере одна металлическая холостая пло щадка 2, ленточные проводники 3 и соединенные с последними Г-образные контактные площадки 4, Каждая холостая площадка 2 выголнена с размещенным на подложке 1 симметричным прямоугольным выступом 5. Отношение ширины прямоугольного выступа 5 к ширине холостой площадки 1 равно 0,5 - 0,7, 5 отношение высоты прямоугольного выступа 5к ширине холостой площадки 2 - 0,7 - 0,8, отношение щирины проводников 3 к ширине соединенных с ними контактных площадок 4 -...
Устройство для контроля параметров микросхемы
Номер патента: 615432
Опубликовано: 15.07.1978
Автор: Аратский
МПК: G01R 31/28
Метки: микросхемы, параметров
...резисторе 3, регистратор результата 7, соединенный с нзмерителем напряжения 6 и генератором управляющих сигналов 8, Генератор управляющих сигналов 8, кроме того, соединен с генератором строб-сигнала 9,свыхода которого импульс напряжения через согласующнй трансформатор 1 О подается на ключ 11, соединенныйсо схемой управления токосхемного резистора 3, коммутатором 4 н измерителем напряжения 6.Устройство работает по программе.Генератор управляющих сигналов 8 вырабатывает тестовую команду в анде и-разрядных управляющих слов, которце записываются в память программного источника напряжения 1, коммутатора 4, измерите. ля напряжения 6, регистраторан в схему управления с памятью токосъемного резис. тора 3 по сигналу нх адреса и...
Устройство для стабилизации температуры подложки микросхемы
Номер патента: 703794
Опубликовано: 15.12.1979
Авторы: Стеклов, Харжевский
МПК: G05D 23/24
Метки: микросхемы, подложки, стабилизации, температуры
...окружающей. среды).гУстройство изображено иа чертеже. 2 О Отсутствие сигнала (при Е = 0) обОно содержит подложку .1; вйервом условлено также равенством сопротивле.кйнале управления измерительный мост 2 . ний резисторов 11, 12 и терморезисторовс датчиком 3 температуры подложки,уси 13, 14, включением их по дифферейцивль;щтель 4, сумматор 5, исполнительный ной схеме, равенством напряжений источэлемент 6 с нагревателем 7, во втором .5 ников питания (Е)=(Е ), а также рввенканале управления усилитель 8, сумматор ством температурных коэффициентов тер9, усилитель 10, нагреватель на резисто- морезисторов, При наличии сигнала ошибрах 11 и 12, дифференциально включенные ки Е 1 (Е Ф 0) с усилителя 10 цогеуморезисторы 13 и 14. Кроме того,ступает...
Способ изготовления токопроводящего рисунка интегральной микросхемы
Номер патента: 710116
Опубликовано: 15.01.1980
Авторы: Балтрушайтис, Садаускас
МПК: H05K 3/00
Метки: интегральной, микросхемы, рисунка, токопроводящего
...гальваническим способом наращивают медь.Технология способа состоит в следующем.Предварительноочищенную и глазурированную подлЬжку помещают в центрифугу и при скорости 2400-3000 об/мин наносят пипеткой раствор жидкого золота. Вращение поддерживают в течение 1 мин для удаления растворителей. Образовавшуюся пленку вжигают прио800 С, Затем пластину (подложку с золотым покрытием) в качестве катода подвешивают между анодами из нержа710116 Формула изобретения 20 толщина пленкизолота 2000-3000 А ее адгезия к подложке адгезия пленки меди к золотуудельное сопротивление токопроводящегорисунка 2200-300 кг/см 25 2100 кг/см 0,003 Ом/кВ ЗО Составитель Е,Хвощева Техред З.фанта Корректор М.Вигула Редактор Л.Янова Заказ 8776/52 Тираж 885 ПодписноеЦНИИПИ...
Соединитель выводов микросхемы с печатной платой
Номер патента: 736229
Опубликовано: 25.05.1980
МПК: H01R 13/26
Метки: выводов, микросхемы, печатной, платой, соединитель
...Выполнень: допалнительные отверстия число которых состветствует числу упомянутых отверстий,каждый контактный элемент имеет Ц-об-.разную Форму,. причем второй конецкажцога из контактных элементов расположен в дополнительном отверстии. 2 г)Разделение контактного элемента натри функциональные зоны: непосредст-.венна зону кантактирования, основ.:нуи упругую часть и зону вывода (для пайки на печаткой плате), г;оэваляет длительно сохранстьупругость контактирующего элемента, повысить надежность я долговечность кантактиравания упругогоэлемента, упростить сборку соедини- р)теля.На Фиг. 1 представлен вариант выпо:тнения саединителяр на Фиг. 2 - ссединитель в закрепленном в плате рабочем состоянии.Соединитель состоят из кон .ак-.:ьсга1 Б-образной...
Корпус микросхемы
Номер патента: 707457
Опубликовано: 15.06.1981
Авторы: Петров, Пинский, Соколовский, Федотов
МПК: H01L 23/08
Метки: корпус, микросхемы
...корпуса вырубают из титановой. ленты штамповкой на нескольких штампах,с предварительным отжигом материала. Основание корпуса также выполняют штамповкой нз листа, после чего термически обрабатывают,окисляют и собирают в графитовых формах вместе со стеклянными трубочками, изготовленными из вышеуказанного стекла, и металлическими выводами, вставленными в них. Вся эта сборка поступает в конвейерную печь, где осуществляется спай стекла с основанием корпуса и выводами. В дальнейшем основание контролируют на герметичность масс-спектрометрическим методом и после сборки в нем микросхемы направляют на окончательную операцию герметизации выполняемую контурной контактной сваркой.Выполнение деталей корпуса из тйтановых сплавов и соединение...
Устройство для контроля подложки микросхемы, преимущественно при анодировании в ванне с электролитом
Номер патента: 871260
Опубликовано: 07.10.1981
Автор: Суходольский
МПК: H01L 21/66, H01L 21/77
Метки: анодировании, ванне, микросхемы, подложки, преимущественно, электролитом
...линией. К танталовым пленкам 3 и 5 подключают блок питания 1. При этом переключатель 4 находится в левом положении, соединяя пленки. Напряжение на выходе блока питания растет от нуля до определенного значения, которое определяется требуемой удельной емкостью. По достижении требуемой величины рост напряжения прекращается, и пленки выдерживают в дальнейшем при этом значении напряжения. Рост напряжения в общепринятых технологических режимах длится несколько минут, причем именно за этот отрезок времени происходит основной рост диэлектрической пленки; удельная емкость пленки достигает 120% конечной,Время выдержки под постоянным напряжением составляет свыше одного часа; при этом диэлектрическая пленка растет очень медленно. Поэтому в...
Устройство для совмещения масок и подложек микросхемы
Номер патента: 911439
Опубликовано: 07.03.1982
Автор: Йакш
МПК: G03B 27/32
Метки: масок, микросхемы, подложек, совмещения
...подложки при ступенчато-шаговом способе.Известно. устройство для изготовления масок из фотолака, содержащее чувствительно перемещаемый столик, несущий изготавливаемую маску, механически соединенный с крестовым столиком, С помощью крестового столика маска грубо позиционируется. Точное позиционирование в направлениях координат Х и У вызывает бесприводный механизм точной установки, действующий между обоими столиками, работающий преимущественно на физическом эффекте (тепловое расширение, электроили магнитострикция) . Если для точного позиционирования маска должна быть повернута в плоскости ХУ вокруг определенной точки, то необходим дополнительный поворотный столик,оазмещенный на чувствительно перемещаемом столике и приводимый в движение...
Корпус для интегральной микросхемы
Номер патента: 961006
Опубликовано: 23.09.1982
Авторы: Малков, Ребизов, Федоров
МПК: H01L 23/04
Метки: интегральной, корпус, микросхемы
...сварки в объем З 0 ,корпуса.Указанная цель достигается тем,что в корпусе для интегральной микросхемы, содержащем диэлектрическоеоснование, выполненное в виде полого цилиндра с коммутационными выводами, и .крышку с сечением Т-образнойФормы, в торце боковой стенки основания выполнена Б-образная кольцевая канавка на расстоянии от наружной боковой поверхности стенки непревышающем ширины сварного шва меж Оду основанием и крышкой,Наличие разделительной канавки вторце боковой стенки позволяет осуществлять надежную герметизацию засчет полного проваривания шва от канавки до внешней поверхности боковойстенки основания, и в то же времясохранить широкую опорную контактнуюплощадку для крышки, что увеличива-ет прочность корпуса. 20Кроме того,...
Тара-спутник для бескорпусной интегральной микросхемы
Номер патента: 1037361
Опубликовано: 23.08.1983
Авторы: Бычков, Сергеева, Страхов
МПК: H01L 21/00
Метки: бескорпусной, интегральной, микросхемы, тара-спутник
...бескорпусной интегральной микросхемы, соединенный с вакуумной системой, и размещенную под 4 ней металлическую пластину, и крышку с элементом ее фИксации, снабжена прижимным диэлектрическим винтом, торцовая поверхность которого имеет форму поверхности кристалла бескор" пусной интегральной схемы и который расположен в отверстии, выполненном в центре крышки, а в металлической пластине основания выполнен выступ, который расположен в сквозном пазу диэлектрической пластины основания..На фиг. 1 изображена тара-спутниц с размещенной. в ней бескорпусной. полупроводниковой интегральной микросхемой, вид сбоку; на фиг. 2- то же, вид сверху. 6Тара-спутник содержит основание, выполненное из диэлектрической пла" стины 1 и металлической пластины 2,...
Способ изготовления резистивной тонкопленочной микросхемы
Номер патента: 1045280
Опубликовано: 30.09.1983
Авторы: Озолс, Скобленко, Смеркло
МПК: H01C 7/00
Метки: микросхемы, резистивной, тонкопленочной
...: точки зрения механических напряжечий резистлвная пленка, позво.пяющая подбором толщин и материаловслоев получать заданное значение ТКС,Однако лзвестный способ имеет ряднедостатков, упомянутая компенсациявозникающих механических напряженийНЕ ВСЕГДВ ВОСПРОИЗВОДИМа И ЗВВИСИТот технологических параметров Осаждения, - в результате ТКС отдельныхТПР может быть различным; усложненПрОцЕСС ОоаждЕНИя рЕЗИСтИВНьХ ПЛЕНОК,поскольку требует нанесения трехразнородчых материалов,Цель изобретения - уменьшение темПЕРВТУРНОГО КОЗОф гЦИЕНта СОПРОГИВЛЕния рс;исто 3 ОВ Глкрос:еиы,, К" З с .,Е Ь .,ОС. ЛпаЕтСЯ ТЕИ,ЧтО СОГ".1 С О 01 ОСОбу ИЗГОтВЛЕНИЯ рЕЗЛСТИ.сОЙ ОНКОПЛЕНОга 0 й МИКРОСХЕМЫ,влючаюцему последовательное чанесеие; а дизлВктричзс.ую п 3;ложурези сть...
Способ изолирования выводов микросхемы
Номер патента: 1277223
Опубликовано: 15.12.1986
Авторы: Ленков, Смирнов, Смирнова, Штин
МПК: H01B 19/00
Метки: выводов, изолирования, микросхемы
...за счет токовихревого эффекта. При ферромагнитном материалевыводов и температуре ниже точкиКюри силовое воздействие создаетсяглавным образом за счет взаимодействия переменного магнитного поляс внутренним полем ферромагнетика. Устройство, реализующее способ,состоит из нагревательной печи 4с обмоткой 5, основанием 6 и крышкой 7,После установки корпусов микро"схем на основание б в печи 4 создается необходимая для расплавленияизолирующего материала 3 температура.По виткам обмотки 5 пропускаетсяпеременный ток определенной амплитудыи частоты, который создает переменное магнитное поле, вектор напря женности Н(1:) которого совершает периодические колебания в направлениях, показанных стрелками на фиг. 2,Это поле взаимодействует с...
Устройство для контроля контактирования микросхемы в разъеме программатора
Номер патента: 1317439
Опубликовано: 15.06.1987
Авторы: Ершов, Ищенко, Попов, Селигей, Семка, Стрюченко, Трапс, Федоренко
МПК: G06F 11/00
Метки: контактирования, микросхемы, программатора, разъеме
...контактами разъема 7, контакт 8 которого (" Общий" ) через ключевой элемент с шиной 9 нулевого потенциала устройства.Устройство для контроля контактирования микросхемы в разъеме программатора работает следующим образом.Программируемую микросхему 1 О ППЗУ устанавливают в разъем 7 программатора. При наличии электрического контакта выводов микросхемы 10 с контактами разъема 7 вывод "Питаниемикросхемы 10 подключен к шине питания +Е. Вывод "Общий" микросхемы 10 .подключен через контакт 8 разъема 7 к входу 6 соответствующего усилителя группы 1 и через нормально открытый ключевой элемент 3 - к шине 9 нулевого потенциала устройства.Для контроля контактирования выводов микросхемы 10 с контактами разъе, ма 7 на вход 4 "Режим контроля"...
Герметичный корпус микросхемы
Номер патента: 1499418
Опубликовано: 07.08.1989
Авторы: Знаменский, Мещанинов, Ремизов, Фролов, Язовцев
МПК: H01L 23/02
Метки: герметичный, корпус, микросхемы
...именно к микроэлектронной радиоаппаратуре, и может бытьиспользовано для размещения интегральных или гибридных микросхем изащиты их от проникновения влаги иагрессивных сред из окружающей средыЦелью изобретения является повышение надежности в условиях воздействия циклических температур.На фиг. 1 показан герметичныйкорпус, вид со стороны окна; нафиг2 - то же, поперечный разрез; 15на фиг. 3 - схема действия растягивающих сил на диэлектрический материал в окне.Герметичный корпус микросхемысодержит алюминиевое основание 1 20с алюминиевой крышкой 2, припаяннойк основанию 1, В стенках основанияс четырех сторон сформированы окна 3прямоугольного сечения, стенки 4которых выступают снаружи основаниякорпуса 1. В окна заведены электрические выводы 5....
Корпус интегральной микросхемы
Номер патента: 1559383
Опубликовано: 23.04.1990
Автор: Маланкин
МПК: H01L 23/02
Метки: интегральной, корпус, микросхемы
...конструкцию корпуса от появления трещин, 3 ил, 1 табл. ВК, с припаянным к металлокерами ческому спаю 2 с образованием герме тицного шва металлическим ободком 3 из материала 29 НК или 12 Н и крышку 4 из того же материала. Между ободком 3 и основанием 1 по всему периметру ободка со стороны внешней бо" ковой поверхности имеется зазор 5. Кристалл 6 с микросхемой расположен на диэлектрическом основании 1 корп са и соединен с выводами 7 проволоч ными перемычками 81559383 Величина воздушного зазора для материала ободка, ммЙ 2 Н 29 НК 5 10 3 х 10 0,60 0,38 Корпус используется следующим образом,При выполнении в ободке корпуса зазора по его внешнему периметру гер" метизацию производят сваркой крышки к ободку корпуса, При этом возникает...
Устройство для формирования напряжения на подложке микросхемы
Номер патента: 1636857
Опубликовано: 23.03.1991
Авторы: Копытов, Сидоренко, Стиканов, Юхименко
МПК: G11C 11/40
Метки: микросхемы, подложке, формирования
...и может быть использовано в интегральных схемах на МДП-транзисторах.Цель изобретения - повышение точности стабилизации формируемого напряжения на подложке микросхемы за счетснижения зависимости этого напряженияот напряжения питания, частоты задающегогенератора, технологии изготовления основных транзисторов. 10На чертеже приведена функциональнаясхема устройства.Устройство содержит задающий генератор 1, усилитель 2, конденсатор 3, первый4 и второй 5 МДП-транзисторы, первый инвертор 6, выполненный на МДП-транзисторах 7 и 8 (транэистор 8 имеет повышенныйв сравнении с отальными транзисторнымиустройствами коэффициент влияния напряжения подложки), второй инвертор 9 (МДПтранзисторы 10 и 11), третий инвертор 12(МДП-транзисторы 13 и...
Способ изготовления заготовки для гибридной микросхемы
Номер патента: 1762424
Опубликовано: 15.09.1992
Авторы: Благинина, Вайсберг, Зубкова
МПК: H05K 3/38
Метки: гибридной, заготовки, микросхемы
...толщиной 1000-1400 А химическим методом. Далее осуществляют гальваническое осаждение антикоррозионного токонесущего С золота, Способ обеспечивает повышение выхода годных заготовок по адгезии золотых С к проводниковым С до У) рование рисунка коммутационоводится на установке УПСЭ-З, я позитивный фоторезист ФПвание верхнего хрома произв воре состава:калий железосинерадистый 250 г/дг.кали едкое 30 г/дм Температура раствора 40 С .5 С. Вр травления 60 -10 с. Затем подложка тщ ьно промывается дистиллированно1762424 Составитель Н.ОвсянниковаТехред М.Моргентал Корректор Н.Бучок Редактор Л.Волкова Заказ 3266 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5...
Способ получения изображения микросхемы методом трафаретной печати
Номер патента: 1815239
Опубликовано: 15.05.1993
Авторы: Ивлюшкин, Смирнов, Фомина, Харитонов
МПК: B41M 1/12
Метки: изображения, методом, микросхемы, печати, трафаретной
...продавливанием на подложку ракелем. расположенным под углом 100-160 к поверхности печати. 1 ил 1 табл,ракеля, недостаточно и не обеспечивает полное выдавливание пасты из отверстий в трафарете на подложку, Следствием этого является большой разброс толщины отпечатка на подложке.Для достижения требуемой точности при формировании отпечатков по предлагаемому техническому решению необходимо использовать пасты с вязкостью от 2000 до 10000 Пэ, При использовании паст с вязкостью менее 2000 Пэ отпечаток имеет увеличенные геометрические размеры из-за растекания ее после отрыва трафарета.Использование паст с вязкостью более 10000 Пэ не позволяет полностью заполнить все отверстия в трафарете, И при движении ракеля она очищается, не продавливаясь на...
Способ изготовления стеклопокрытия, преимущественно на монтажной площадке корпуса интегральной микросхемы
Номер патента: 2000279
Опубликовано: 07.09.1993
Авторы: Билодид, Бобровников, Кондратьев
МПК: C03C 27/00, C03C 8/24
Метки: интегральной, корпуса, микросхемы, монтажной, площадке, преимущественно, стеклопокрытия
...стеклопокрытия, подвергают оплавлению до соединения с деталью. Тонкий припоечный материал получают в виде стеклянной пластины, что увеличивает трудоемкость и не обеспечивает качественного покрытия для посадки кристалла. 2000279 С5 10 15 20 25 30 35 40 45 р;", ляют пластичную пленку при помощи :ц,;ляного пгиспособления на пластин;, ,ог сдимой формы, размещают в углубч м н усэ в зоне монтажа кристалла, ,1,;": до полного прилегэния к монтаж.";в и пппэвляют до соединения с:,", ".дпвэгот с растворителями - этанол .лГ,; э;вг м и плэстификэтором - дибут фгээ,ом до полного оэстворения. В поптчен гей биндер веодяг порошок легкое: пр:;ое вюго стекла С-1, Емкость с.и, сустанавл впюг чэ магнитнуюсуществ пяк перемешивэние ;1 "; ;нич одноргдной с...
Металлокерамический корпус микросхемы
Номер патента: 1457744
Опубликовано: 30.11.1993
Автор: Флегонтов
МПК: H01L 23/02
Метки: корпус, металлокерамический, микросхемы
...с подслоем никеля. Возможны и другие покрытия.Рамка 2 имеет фаску, что ограничивает паяный шов между рамками, Возможно расположение фаски на рамке 3, при агом рамка 2 не имеет фаски.Положительный эффект от использования изобретения достигается благодаря тому, что выступающая кромка нижней рамки, соединенная с металлизацией платы, обеспечивает существенное уменьшение термомеханических напряжений от сварки в наиболее опасном месте - под наружным краем паяного соединения нижней рамки с металлизацией. Термомеханические напряжения уменьшаются благодаря перераспре делению напряжений, передающихся отверхней рамки, на сравнительно большуюплощадь соединения нижней рамки ободкас металлизацией платы, Наличие фаски5 между наружной кромкой...
Корпус для микросхемы
Номер патента: 1681694
Опубликовано: 15.05.1994
Авторы: Губин, Катин, Острецов, Стадник, Шамардин
МПК: H01L 21/00
Метки: корпус, микросхемы
КОРПУС ДЛЯ МИКРОСХЕМЫ, содержащий керамическую плату с контактными площадками и выводную рамку с наружными и внутренними частями выводов, соединенными с контактными площадками, отличающийся тем, что, с целью улучшения технологичности, керамическая плата выполнена пирамидальной, с боковыми гранями в виде ступеней одинаковой высоты, на которых размещены контактные площадки, образующие симметричные группы, состоящие из центральной площадки, расположенной на верхней ступеньке, и пар зеркально симметричных площадок на нижележащих ступеньках платы, при этом внутренние части выводов выполнены в виде обнисок.
Способ диффузии в кремниевые полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы
Номер патента: 1400387
Опубликовано: 30.06.1994
МПК: H01L 21/324
Метки: диффузии, интегральные, кремниевые, микросхемы, полупроводниковые, приборы
СПОСОБ ДИФФУЗИИ В КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ, включающий диффузию фосфора с последующим отжигом при понижении температуры до 650oС, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров за счет снижения концентрации генерационно-рекомбинационных центров, отжиг проводят при понижении температуры от температуры диффузии со скоростью 2 - 4 град/мин.
Способ сборки микросхемы в корпусе
Номер патента: 1649955
Опубликовано: 15.12.1994
Авторы: Катин, Стадник, Челноков
МПК: H01L 21/00
Метки: корпусе, микросхемы, сборки
1. СПОСОБ СБОРКИ МИКРОСХЕМЫ В КОРПУСЕ, включающий изготовление керамической платы, формирование на ней токоведущих дорожек, вырубку окна, обжиг платы, сборку основания корпуса, размещение кристалла на основании, разварку проволочных проводников, изготовление и установку крышки на основание и герметизацию корпуса, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и надежности микросхемы, обжиг платы проводят перед сборкой основания, при сборке предварительно осуществляют соединение металлической пластины с металлическим термокомпенсатором, площадь которого выбирают меньше площади сечения окна а в плате, и шлифовку поверхности термокомпенсатора, формирование токоведущих дорожек осуществляют после сборки основания путем напыления...
Способ изготовления металлокерамического корпуса для интегральной микросхемы
Номер патента: 1716925
Опубликовано: 09.01.1995
МПК: H01L 23/48
Метки: интегральной, корпуса, металлокерамического, микросхемы
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКОГО КОРПУСА ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ, включающий изготовление основания корпуса с металлизированными площадками и выводной рамки из железо-никелевого сплава, нанесение на выводную рамку слоя никеля, совмещение выводов выводной рамки с металлизированными площадками и соединение их пайкой медно-серебряным припоем, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и повышения коррозионной стойкости корпуса, нанесение слоя никеля осуществляют холодным плакированием со стороны, обращенной к металлизированным площадкам, а толщину слоя никеля устанавливают равной 5 - 15% от толщины выводов выводной рамки.
Способ определения влаги в корпусе микросхемы
Номер патента: 1686969
Опубликовано: 09.01.1995
МПК: H01J 49/26
Метки: влаги, корпусе, микросхемы
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВЛАГИ В КОРПУСЕ МИКРОСХЕМЫ, при котором помещают корпус микросхемы в камеру разгерметизации, производят откачку камеры разгерметизации до высокого вакуума, нагревают внутренний объем камеры разгерметизации до температуры более 150oС, выдерживают при данной температуре и давлении в течение 12 - 18 ч, затем охлаждают до температуры 100oС, производят разгерметизацию корпуса и определяют количество влаги в корпусе по масс-спектру, отличающийся тем, что, с целью упрощения анализа за счет обеспечения возможности проведения безэталонного анализа, после размещения испытуемой микросхемы в камере разгерметизации подключают к камере разгерметизации аналитическую камеру и производят их совместную откачку до...
Способ изготовления тонкопленочной микросхемы
Номер патента: 1816170
Опубликовано: 20.05.1995
МПК: H01L 49/02, H05K 3/00
Метки: микросхемы, тонкопленочной
...1,5- 2,0 мкм методом вакуумного напыления. Формируют маску 3 из фоторезиста с рисунком схемы проводников нижнего уровня коммутации (фиг. 1-3). Удаляют слой 2 (фиг, 4) через маску 3 селективными травителями: для хрома: соляная кислота: дистиллированная вода:1 при температуре55 + 50 С; для меди - хромовый ангидрид;серная кислота: дистиллированная вода 5 9:3:20 при комнатной температуре.Удаляют маску 3 (фиг. 5).Очищают поверхность подложки сосформированным нижним уровнем коммутации кипячением в изопропиловом спир"0 те в течение 10 мин. Напыляют в вакуумесплошной технологический слоИ 4 ванадиятолщиной 0,1-0,15 мкм на поверхность подложки с проводниками нижнего уровня коммутации (фиг. 6).15 Формируют окна в слое 4 ванадия научастках...
Способ изготовления микросхемы
Номер патента: 1556521
Опубликовано: 20.07.1996
Авторы: Жуков, Корпухин, Полищук
МПК: H05K 3/00
Метки: микросхемы
Способ изготовления микросхемы, включающий формирование диэлектрического основания путем нанесения слоя полиимидного лака на технологическую подложку, сушку слоя с последующей полимеризацией, формирование тонкопленочных элементов с помощью вакуумного напыления слоев и фотолитографии, удаление технологической подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества микросхем за счет улучшения физико-технологических характеристик диэлектрического основания, в качестве технологической подложки используют пластину кремния со слоем окисла, нанесение слоя полиимидного лака проводят в два этапа: на первом этапе лак наносят методом центрифугирования, а на втором этапе методом полива с промежуточной выдержкой между этапами в течение времени не...