Монодоменных — Метка (original) (raw)

Патенты с меткой «монодоменных»

Способ получения монодоменных кристаллов метатанталата лития

Номер патента: 388498

Опубликовано: 25.07.1979

Авторы: Ангерт, Гармаш, Клюев, Колбацков

Метки: кристаллов, лития, метатанталата, монодоменных

...заполнения тигля,Затравку 2 х 2 х 10 мм, вырезанную внаправлении оси У (90 к направлениюооси Я ), закрепляют платиновой проволокой на платиновом штоке. 15В верхней части индуктора устанавливают экран 50 х 2 х 50 мм в керамическомэкране и затравку опускают в зону надзакристаллизовавшимся расплавом. Включают БЧ генератор и, увеличивая мощ йность, подаваемую на индуктор, повышают температуру и расплавляют в тиглетаблетки (температура в зоне экрана должна быть 1400-1500, С),Процесс в сращивания производитсяпри следующих технологических параметрах: скорость вытягивания 6 мм/ч, скорость вращения затравки 50 об/мин. Размер выращенного кристалла: диаметр 16 мми длина 30 мм. После отрыва кристаллаот расплава мощность ВЧ генератора постепенно...

Способ выращивания монодоменных кристаллов ниобата лития из расплава

Номер патента: 958508

Опубликовано: 15.09.1982

Автор: Гернанд

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, кристаллов, лития, монодоменных, ниобата, расплава

...кристаллов по методу Чохральского, задачей данного изобретения является указание простого метода для выращивания однодоменных кристаллов ниобаталития из расплава.В основу изобретения положен тотфакт, что мероприятия для реализацииоднодоменной структуры по известнымдо сих пор методам и дополнительныемероприятия не только усложняют процесс выращивания кристаллов ниобаталития, но также могут отрицательносказываться на качестве кристаллов,например в отношении оптической однородности и пропускания. Кроме того,однодоменность обеспечивается не повсей полезной длине кристаллов.Существо предлагаемого изобретениязаключается в том, что в противоположность к до сих пор распространеннойтеории однодоменные кристаллы ниобаталития могут...

Способ получения монодоменных сверхпроводниковых монокристаллов типа r м в с о

Номер патента: 1775509

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Водолазская, Воронкова, Леонтьева, Петровская, Яновский

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: монодоменных, монокристаллов, сверхпроводниковых, типа

...до температуры 1030 С. При этой температуре расплавы выдерживают в течение часа и охлаждают до температуры 2000 С1775509 Составитель И. ЛеонтьеваТехред М.Моргентал Корректор,Л, Филь Редактор Заказ 4024 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 со скоростью 4 С/час. Кристаллы освобождают из застывшего расплава механическим путем.При наблюдении в поляризованном свете были найдены кристаллы размером до 1 мм, свободные от двойников, а также.кристаллы с крупнодоменной структурой с размерами двойников 0,5-1 мм.П р и м е р 2. Смесь состава 3 мол.% ТагОз, 27 мол.7 ь Ва 0, 3 мол.7...