Н-п.и — Метка (original) (raw)

Патенты с меткой «н-п.и»

Йсесоюзндя паяатно-клнк: „ вивлиотг; , д”тлоп и „. _ _, в. н-п.и. беда, н.и. мозжегоров, г. а. бухароваа. с. крюков

Номер патента: 365643

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Удк

Метки: беда, бухароваа, вивлиотг, д"тлоп, йсесоюзндя, крюков, мозжегоров, н-п.и, н.и, паяатно-клнк

...следующим образом.С генератора 1 ца индукторную катушку Лподается иапряжеие, которое наводит в изделии вихревые токи. В индикаторных катушс ках 4 и 5 результирующее поле наводит цапряжецие фона, устрацецие которого осуществляется подбором падения напряжения ца сопротивлешях Р и йг с помощью фазовращателей 10 и 11, Поскольку каждая ицдика 5 ториая катушка включена ца вход усилителей И и 14 последовательо с соответствующими резисторами, то компенсация фона происходит падением напряжения, и при отсутствиполей, вызваццых краем детали, 20 перекосом или другим фактором, переменноенапряжение а входе фазочувствительцых мостов 15 и 1 б иа входах схемы совпадения 17 равно нулю, причем опорное иапряжеиие ца фазочувствительцые мосты подается 25 от...

Способ изготовления n-p+и p-p+-структур кремниевых непланарных приборов

Номер патента: 1424631

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Басовский, Зданович, Кац, Орехов, Сидоров

МПК: H01L 21/208

Метки: p-p+-структур, кремниевых, н-п.и, непланарных, приборов

Способ изготовления n-p+- и p-p+ - структур кремниевых непланарных приборов, включающий заполнение промежутка между кремниевой монокристаллической пластиной-подложкой и пластиной-источником расплавом алюминия и последующее проведение зонной перекристаллизации в поле с градиентом температур, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур за счет уменьшения удельного сопротивления p+-слоя, в качестве пластины-источника используют пластину поликристаллического кремния, легированную бромом до уровня 1020 - 3 1020