Однократным — Метка (original) (raw)

Патенты с меткой «однократным»

Способ получения толстостенных изделий из латекса однократным маканием

Номер патента: 72909

Опубликовано: 01.01.1948

Метки: латекса, маканием, однократным, толстостенных

...в. редактор М. М, Акишиы 52 Уке известно изготовление изделий из латекса, например, перчаток, одноразовым маканием с применением коагулянтов.Предлагаемый способ получения толстсстенных зделй из латекса одисразсвым маканием с применением в качестве коагулянтов борной кислоты, спирта и кальциевых солей и последующей сушкой имеет ту ссобеннссть, что изделия после сушки обрабатываот 2"-ны раствором щелоч 1, после чего их вновь подвергакт сушке,По предлагаемому способу изготовление перчаток осуцествляется следующим образом.Приготовляст смесь из латекса с. введением веществ, таких как Р-Р казеината аммония. олеиновой кислотыдругих, необходимых для получения однородной и гладкой поверхности, с относиельной вязкостью по Денлопу 3,1- 3,25, В...

Элемент памяти с однократным программированием

Номер патента: 986198

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Васильев, Воронов, Елинсон, Степанов, Шевченко

МПК: G11C 11/40

Метки: однократным, памяти, программированием, элемент

...в виде тонкого диэлектрического слоя, толщина которого определяется напряжением пробоя диэлектричес- кого слоя, а диэлектрический слой выполнен из ЫО, толщина которого не должна превышать 50 нм.Схематический вид элемента памяти приведен на фиг. 1.Описываемын элемент памяти с однократным программированием содержит полупроводниковую подложку (кремний р-типа) 1, эпитаксиальный полупроводниковый слой обратного подложке типа проводимости (кремний и-типа) 2, вторую управляющую шину 3 (вырожденный кремний и-типа), защитный диэлектрический слой 4 (БхО), области изолирующего элементы р-и-перехода 5 (кремний р-типа), тонкий (10 нм) диэлектрический слой 6 (ВО), первую управляющую шину 7 (А 1). Приведенный вид элемента соответствует исходному (до...